電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません！教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

こちらの問題の解き方を教えて頂きたいです。よろしくお願いします！！

12.9 問図 12.4の回路で,i=2sin(1000t + T/2) [A]の電流が流れている。次の問いに 答えよ。 (1) この回路のアドミタンスYの複素数表示と極表示を求めよ。 (2) 回路に生じる電圧Vのフェーザ表示を求めよ。 (3) 電流 iR, icのフェーザ表示を求めよ。 (4) i, in, ic. 文のフェーザ図を描け。 ao iR ic R= C= 10[Q] 100 [μF] bo 問図 12.4

どなたかこちらの問題の答えを解説してもらえないでしょうか？

B2-1~B2-2 の2間のうちから1問を選んで解答しなさい. (配点10点) B2-1 次の文中の空欄に当てはまる最も適切な答えを候補群から選びなさい。 風船は天然ゴム (イソプレン) で作られており, 膨らませた後で縮んでいく過程は気体の膜透 過現象とみなせる. 実際に, 空気と水素にて同じ大きさに膨らませて一晩置いたところ, 空気を つめた風船はほとんど大きさを変えなかったのに対して水素の方は半分ほどの大きさに縮んだ。 この結果に対する理由について, 以下のような説明をすることができる。 気体分離膜中の着目分子の移動速度 Q/A[mol*m?*sりは, 拡散係数 D, 膜厚 tm 膜中の供給側 (風船内)の濃度を CH, 透過側 (大気) の濃度を Cとすると, 次式で表すことができる。 2-D(C-C) A t ここで膜中の濃度 CH, CLは測定するのは困難であるため, 着目成分の気相中の分圧 pと膜中の濃 度Cとの間に一定の平衡関係を適用して濃度を気相分圧 p で書き表すことにする. その関係式と して、 型の式を適用すれば、 a C=S*p と表される。ここで, Sは b に関係する係数である. 着目成分の供給側の分圧を pa, 透過側 の分圧を pとして, 上式を式(1)に代入すると着目成分の膜透過速度は次式で表される。 2- A c(d]-e) C P 式(3)において, 膜厚は同じとみなすと, 残りのバラメータの大小によって風船の収縮速度が決 まる。つまり,冒頭で述べた空気に比して水素の風船が早く縮んだのは, 水素の透過が大きかっ たためと理解できる. その 1番の理由は 内外で|g|ためにそれが小さい. 2番目の理由は,分子の大きさや質量に依存する 素の方が大きいことである.なお, 炭素数4以上の有機ガス (例えばブタン)になると i は小 さくなるものの, それ以上にj_が大きくなるために水素よりも早く縮むことが知られている。 f が大きいためであり,空気の風船の場合は組成が h が水 [候補群] 0 Heury (2) Langmuir (2)飽和度 a (3) Freundlich (4) Raoult (5) Fick b (1)揮発度 (3)溶解度 (4)分散度 (5) 自由度 S D D C DS Dt。 Stm S DS 「m d (3) Pu PL (2) PL (4) PHS (5) pLS (1) pH (2) pL (3) PL PH (4) PHS (5) pLS (1) pL (2) pu- PL (3) PH (4) 2 (5) D S (6) S (8) 同じである (9) 差が小さい (10)差が大きい

電気回路の問題です！1番教えて欲しいです！ 自分で解いた結果載せてますが、初期条件のところが特に自信が無くて、分かる方ご教授お願いしたいです🙇‍♂️ 電荷の保存則が成り立ち僕の解答のようになるのかと、切り替わり時の周波数の上昇から電流の初期値0になるのかで迷ってます よろし... Read More

問1-1 図1に示すように定常状態にある回路のスイッチをt=0で接点B側へ接続したと きの回路に流れる電流i(t)を求めよ。但し、微分方程式を立てる際および解く際は ラプラス変換は使用しないこと。 図2の回路において、定常状態になっている時に t=0 でスイッチが同時に閉じら れた。出力の応答i(t)の一般解を求めよ。ただし、E=8、R1 = R2 = 2、R3 = 3、 L=C=2とし、微分方程式を立てる際および解く際はラプラス変換は使用しない こと。(ヒント :3回微分) 問1-2 o m R2 A て(t) B9S Ww RI R1 C i(t) E1 E2. E R3 Lイ 図1 図2 ww T S の w w

添付しました、許容寸法について、A〜Fの値にどれを入れれば良いのかいまいちよく分かりませんでした。 なので、誤差は=計測値-基準で出しましたので、どこにどの値を入れるのか教えてください。 A〜Fの値それぞれ、 よろしくお願いします。

I.許容寸法について 1. 下の図面で値の書いていない場所の寸法をノギスで計測した結果、 以下の表の 値になった。単位は mm である。 基準 計測値|記号 基準 計測値 記号 基準|計測値 記号 12 11.90 B 29.8 30.00 C 11 10.75 A 基準 計測値|記号 基準 計測値 記号 基準||計測値 記号 3 3.25 E 37 36.90 F 3 2.90 D ※ 誤差=計測値-基準 A=-0.1 B-42 C=-a2t D= a25 2. 各寸法の計測値が表 25 の普通公差·精級の許容差に入るか検査する。F=a25 3. 各寸法が、精級許容差内の場合は図中の計測値の記号を○で囲む。F= -0.| 4. 精級許容差に入らない場合は、 図中に中級許容差内△、粗級許容差内口、それ 以外の場合は×を付ける。 表25 面取り部分を除く長さ寸法に対する許容差 (かどの丸みおよびかどの面取り寸法については,表26参照) 基準寸法の区分 単位 mm 公差等級 0.5以上|3を超え 3以下 6以下 6を超え| 30 を超え| 120 を超え| 400 を超え| 1000 を超え| 2000を超え 1000 以下 記号 説明 30以下 120 以下 400 以下 2000 以下 4000 以下 許容差 土0.2 精級 土0.05 ±0,05 土0.15 土0.3 土0.5 f 土0.1 土0.3 土0.5 土0.8 ±2 中級 粗級 極粗級 m 土0.1 土0.1 土0.2 土0.2 ±0.3 ±0.5 土0.8 +2 土3 土4 C 土0.5 ま1.5 土2.5 土4 ±6 +8 V 注a) 0.5 mm未満の基準寸法に対しては, その基準寸法に続けて許容差を個々に指示する。 C A M8×10/の6.8× B 60 の10.3V D IC E F 2-C2オ C M4/ の3.3」の8V 2 22 000×

真理値表の書き方を教えてください

も衣さしるJ。 3 D- D 排 図5 データセレクタ実験回路 器 半 図 図1(a) 実験3 半加算器の実験 セーにモ O IC実験ボード上に2個のIC(74HC00)による半加算器の回路(図 6)を組み立て, 入出力 回路を結線する。 大人 (2入力側のスイッチを操作し, 入力 A, Bを表3のように変化させ,そのつど0~③の 各点と出力X,C。の値(H, L) を,真理値表(表 5)に記録する。 表5 半加算器の真理値表 A A B 0 3 X C。 X L L B L H H L D H H 図6 半加算器実験回路 セーロ 150 電子工学編

これの解き方教えてください！ お願いしますm(_ _)m

A10 図8の直流回路で、電圧計が24 Vを指示しているとき、 電流計の指 示値[A]を求めよ。 29 A 129 。 24V (V 42 69 図8

この2音発生回路の回路図がわかりません。 答えを教えください。

1国) IC2 1M0] Ch- 0.001月 4700 Cx .47 10) IC1, 10 IC1 S臨 IC2P-0 0UT MIX C? 6.0022u月 R アクティベート岡路 ENL [補足) CHange: 交換する ー*を Nable: 番性化する IC2 19 IC3 低審発振器SL activate: 載的にする [圏6] 2管発生回路

固定バイアス回路と自己バイアス回路のICと安定係数S2を教えて欲しいです…やってるのですが全然分からないです…お願いします。

このトランジスタのIEとICの誤差が無視して扱える理由を教えて欲しいです。