マークついたところの問題の解き方わかる方いらっしゃいましたら教えてください！

凝集状態 間 ng ド-ジョーン剛計 の 10 "mr =108 X 10 mi リョょの反沈ポテンシャルエネル半主計 ルゴン 1分子の結合エネル半語を生 記子 AS の分子の平衡原子間距離を求めよ。 ま 3・2 溢体アルゴンが, 平均 12 個の最通 ) れているとした場合 液体の蒸発熱を算出科示 3・3 純ニッケルにおける空孔形成コンみ は, A = 97.3 kl mol "である. 1100 6 にお6 孔分率を算出せよ. 3・4 純金における空孔形成エンタルピーの人 123.5 kl mol !、 その密度は 19281 kg m! であ訪l における単位体積当たりの平衡識孔数を算出直開 3・5 CaO 結晶内の1ショットキー欠陥の形 キーは, 61 eV である. 1000 *C および2000 CIGG8 に存在するショットキー炎陥の数を人算出せよ。 だ泡 の浴度は 3300 kg m * である、 3'6 1500CでMgO 結晶内に存在する ジョラ 大陥の数を算出せよ。ただし。 欠際形成エン用 2 Ag。三 96.5 kimol! その密度は 3580 kgm* である ニー 300Kで4gC結晶内に存在するフレング の数を算出せよ』 ただしAg結晶は単位乃に Ag'イお を4 個有する 1辺 0.555 nm の立方晶であり. 侵入倍 肝に8伯所存在する四面位置とナッ なお, この 合の欠陥形成エンタルピーは Az =269メ 10 本 である 二 0。をモル%のZr0。 と混合じ議 ー公深になるまで加熱 突定化ジルコニア| 4 0 せり YZn0.で示される ナァを抽人的に決定せょ。 ・導性が筆ら和 3 下記の化人物bにちあょか。 きどのような種拓の欠導opし合物aを加え 4 HBr b. CaBr 人が生成するか入>エ 4 CaBr。 b. TBr 4. MgO, b. Fe,0。 3. MgO, b. Nio 3:10 塩化オトリゥムは 重2165 kg mの立方昌でぁ 1 < 056s in調 の Na と CI を有する. これらのテーッ。 はそれそれ 4人 トル (m9 当たりのNi の上数をne て 立方メー

わかる方お願いします

バCをOU回KGZF/エ帯(の計V (8) ^ZES_OUhE)案の竹加@壮っ)彫館 T の辱イ言Y (る) いヽノ避@⑳玉区導の避の導つ ?尾(LT) を詩 の考和交如 半守久間還っとvw 6SC告V "まい受田コマニ8 ?尾9 天宇 ユニい本コッこと 06笠記詳 "とま6科0平う-ミ役のギーヤルみザいっ1回訪E寿9 、1国衝回憶在 凌ネ6国の可の 006xe還|g

(1.82)から(1.83)の1行目への変形を教えてください

1.5 電磁力と運動方程式 と定義する・ これを応カテンソル (stress tensor) と呼ぶ31 発散の定義を拡張 う5 ゆで (V 7)* = > の77k 2 と書く. 以上を (1.80) に使うと ァー/ vs ト】 を得る. 領域 に働く力 はの密度 (単位体積あたりの力) の体積積分だ ょ考えアーリナdz と置くと (< は任意の領域であるから) SEM という表現を得る. さて電磁場の応力テンツルは 2 (@g -3 wlgf) 5 (ぁg 半2 1.82) タ /o 2 3 によって与えられる. これを成分とする応力テンソルを 7,。 と書きマックス ウェルの応カテンツルと呼ぶ 7. の発散を計算すると (マックスウェルの方 程式をた用いて) V.人6。 = eo [(V お玉ーー玉x(Vx妃] エー [(V.Bお)お-Bx(Vxぢ)] /0 三p/ぢ十eoぢ x (の万) 一戸 x (eoのみ刀二) ニーp/二7xアeoの(ぢxどぢ) (1.83) を得る. この第1 項と第 2 項は荷電粒子に作用するローレンツカ (1.71) を有限 な体積をもつ物体に一般化したもるのであることがわかる. 第3項は電磁場自体がもつ「運動量] が時間変化することを表している. つ まり (万 x ) は「電磁場の運動量密度」 を表すベクトルなのである. (1.36) で定義したポインティングベクトルを思い出そう. 5 = 娘xメおは電詳場 31 テン >ッ "リ テンソルアア の要素に上つきのインデックスを与えるのは』 これを物体の応カテンツルと 迷合するための都合である. まだテンソルの友変成分と半変成分の区別を十分説明して いないので, 後の議論のための技術的準備とだけ理解しておこう.

凸レンズ・虚像（物理学）について この問題の①は、焦点距離fを1として、fの0.何倍の位置に置くと2倍の虚像ができると答えればいいのでしょうか？ 虚像ができるのは焦点よりも前に置く必要があるのでfよりも小さいすよね？ また、解答はどのようになりますか？

人 (①③5 点、⑧④3 点) レンズの結像について以下の問題に答えよ。 ① 1枚の凸レンズを覗いてレンズの逆側から物体を観測しようとするとき、 元の物体の 2 倍の大きさの像を見るためには物体をレンズから焦点距離の (31).(32)倍離して設置する必要がある ② ①のとき、見える像は(33、a:実像、b:虚像)である。 ③ ②で選んだものと逆の像を①と同じ大きさ (元の物体の 2 倍) で得ようと するとき、物体をレンズから焦点距離の(34).(35)倍離して設置する必要がある ④ 1枚の凹レンズで像を得ようとするとき、観測できる像はすべて(36、a:実 像、b:虚像)である。

(2.88)から(2.89)への変形がわかりません 教えてください🙇‍♂️

の 本請 ソフ ん(ンズペア、 人 eV x Ke 0 沿 こ遠方での磁束 1 現れる株分を レジ42三 0 , 7(?) 6 PAM [3 (2.74) とおいて 7/ について展開する と 定常電流の場合, 電荷の保存則 V- 9 (2.76) +り次の関係式が成り 立つことが示せる. / ヴァ7み(7) 0 (?ニ12,3) (2.77) 9 (7g太(7) キ全大(7)) 0 Neの1.2.3) (2.78) この関係式を用いると 4 の第1項はゼロとなり = / @y ey)76ので7でrl | 7 PCの)] 9) と書き直せる. 磁気双板子モーメントとして (2.80) に 補: を定義する、 これにより〆/r についての展開の高次を無視する 2 aox

(2.30)から(2.32)への変形がよくわかりません 教えてください🙇‍♂️🙇‍♂️🙇‍♂️

これをアンペールの法則 (微分形) とよぶ. ビオ・サバールの法則からアンペールの法則が導かれることを示そう. 式 (2.22) は ぢ() = / 人品yO xr (にニn) 2 この式の両辺の回転をとると 7 太 / 1 .30 マxg) = / 寺*※ (zeのxr (ごゃ) (2.30) となる. 右辺の非積分関数に外積に関する公式 3 extgzgh=とAmoんao (2.31) を適用すると Aa Y x ぢ(7) ー/ 2 zeのDr 5 CO] ツリマー Ei | -/二凍にeer(記る

最終的な答えを教えてください。

| | 川 還和放とカウスの池間 上 ] 川 川喘 図1 に示したように、半径ヵの同心導体 殻AB があり、A とB との間は誘電率。の誘電体が 、 挿入され、他は真空である。球の中心に点電人荷 を8き、A Bにそれぞれ ののs の電荷を与えた。以 | 下の問いに答えよ。 | | (a) 電東密度 ), 電界 放/)を求めよ。 (b) A,B の電位 ム,放を求めよ。 上【層 rewfeltefrFefewhrrefe衝eefewerwiewmrs 上 間出 PefewifefiWewhterrthwfwiemrehehefrhWfFhlihe [凌電体中のポアソレおよびラプラスの方程式まその応用] 3, 内側の導体円筒の半径 。、外側の導体円筒殻の内半径ヵの間を一様な誘電率eで満たされた同軸円筒 コンデンサ(長さき /)がある。その静電容量をラプラスの方程式より求めよ。 | 1 愉 | | 全ドント柱田価の輸対称放より、 ランァォのがREVアートテ| |-0eabene」 にコブ に 因 7

静止摩擦係数がμで、重心G、重力加速度g、質量Mです。 この図形がBを中心として回転し始めた時の力FがMga/2hである解説をお願いします。

(8.3)の2つ目の等号ってどのようにして計算しているのでしょうか

S8 境界値開是 へWX) = ーニZ) 113 8.2) を解かなくてはならない. この場合, 真電荷の空間的分布 のz(*%) はあたえられた ゃのとする. もし, 上の方程式が解けたならば, 導体表面 S 上の表面電荷の刻 度分布 o は の 三e婦・72 ーe有(⑤) 8.3 であぁあたえられる. ここで 2 は導体表面に外向きにたてた法線方向の単位ベクト ルであり, み による微分は z 方向への方向微分である. (8.3)は, 容易にわかる ょ5K, Gauss の法則 (4.10) を導体表面上の微小部分に適用したものである. ⑱.1) ぁるいは (8.2) の偏微分方程式を, 問題に適した境界条件のもとに解くこ とは, 特殊の場合をのぞいては一般に困難である. そして個々の問題に対 して, 幣珠な数学的技巧を工夫する必要があり, それらは物理学の問題というよりも応 用数学の問題でもるといってもよいであろう. ここでは, 物理学の他の領域にお いてもよく利用される, なるべく 一般的な方法についてのみ概説するにとどめる・ 等角写像法などの特殊な方法に興味のある読者は, その方面の専門書を参照され たい. 1) 鏡像決 (method of imageS) 人 間内に点電荷と導体とがある場合を考えてみよう. このとき, mn さる

式のたて方がよくわかりません。 教えてください( . .)"