NMRに関する質問です。Cの手の本数がおかしいですが他にもう一本あると思ってください。 -C=Oと-C=Sのスペクトルの出方について何か違いなどはありますか？ ゼミでなんでそこはチオアミドだとわかったの？という質問に対する答えを探しているのですが全く分かりません。 元... Read More

仰角49ドで投げた物体と到達距離が同じになる仰角の求め方教えてください。 初めの速さは同じとします。

解説をお願いします

b 235 ダイオードを含む回路 図1で, Eは内部抵抗の無視 できる起電力Eの電池,R は抵抗値R の抵抗, Cは電気容 R I。 D立 E 量Cのコンデンサー, Dはダイオードで,点aに対する点 bの電位を Voとし,矢印の向きの電流をLとすると,Lと Vらの関係は図2のグラフで表され,Vo>V%の部分のグラフ :C a 図1 I。 1 の傾きを一とする。また, 初めコンデンサーに電荷はなか ったものとする。以下の問いにE, V, R, r, Cの中から 必要なものを用いて答えよ。 (1) スイッチを閉じた直後, Rを流れる電流1を求めよ。 (2) E<V。の場合,スイッチを閉じて十分に時間が経過した 後のV6とCの電気量Q を求めよ。 (3) E>V。の場合,スイッチを閉じて十分に時間が経過した後のV。を求めよ。 (4) E>V%の場合, 十分に時間が経過した後,スイッチを開いた。その直後の1,を求 めよ。さらに,十分に時間が経過した後のCの電気量Q'を求めよ。 V。 0 V。 図2

解説が欲しいです！よろしくお願いします！

3. 以下のダイオー 波数1 kHz の正弦波交流 いて, 出力電圧ゞの最大値と最小値を述べなさい. ただし, z は振幅3V, 周 Eであり, ダイオードは理想的に動作するものとする. 必ず回路動作に関する説 明を与 GQ① oーーーレーーナーーo ⑦ 9 。 レーーー了 イイ 3V < B lko と "

(2)と(3)がいまいちわからないので教えて頂けるとありがたいです！！

炊のように, 小球と床との間の反発係数 ( 以下の問いに答えよ。 SI 【実験 1 】右図のように, はね返り係数) を測定する実験を行った。これについて ・ 千突による変形熱の作用による反発作数への影響は考えなくてより、 水平な床の上で 1.0 m の高さから小球を自 落下させ 晃ね上がってきた小球の最高点での高さ / を測定 ド らの高きは小球の下面と床との距離を測るものとし回 別定値の平均を取った。 測定結果をまとめたのが沈 測定値ヵ[] (1) この小球と床の間の反発係表はおよそいく 区の0一⑩のうち, 最も適当なものを1フ選びの: ⑩ 0.20 @ 0.25 ⑨⑳ 0.50 ⑲ 0.7( レル = から受けた力積の大きさはお で答えよ。ただし| 必要 ⑳ 022 Nrs

マークついたところの問題の解き方わかる方いらっしゃいましたら教えてください！

凝集状態 間 ng ド-ジョーン剛計 の 10 "mr =108 X 10 mi リョょの反沈ポテンシャルエネル半主計 ルゴン 1分子の結合エネル半語を生 記子 AS の分子の平衡原子間距離を求めよ。 ま 3・2 溢体アルゴンが, 平均 12 個の最通 ) れているとした場合 液体の蒸発熱を算出科示 3・3 純ニッケルにおける空孔形成コンみ は, A = 97.3 kl mol "である. 1100 6 にお6 孔分率を算出せよ. 3・4 純金における空孔形成エンタルピーの人 123.5 kl mol !、 その密度は 19281 kg m! であ訪l における単位体積当たりの平衡識孔数を算出直開 3・5 CaO 結晶内の1ショットキー欠陥の形 キーは, 61 eV である. 1000 *C および2000 CIGG8 に存在するショットキー炎陥の数を人算出せよ。 だ泡 の浴度は 3300 kg m * である、 3'6 1500CでMgO 結晶内に存在する ジョラ 大陥の数を算出せよ。ただし。 欠際形成エン用 2 Ag。三 96.5 kimol! その密度は 3580 kgm* である ニー 300Kで4gC結晶内に存在するフレング の数を算出せよ』 ただしAg結晶は単位乃に Ag'イお を4 個有する 1辺 0.555 nm の立方晶であり. 侵入倍 肝に8伯所存在する四面位置とナッ なお, この 合の欠陥形成エンタルピーは Az =269メ 10 本 である 二 0。をモル%のZr0。 と混合じ議 ー公深になるまで加熱 突定化ジルコニア| 4 0 せり YZn0.で示される ナァを抽人的に決定せょ。 ・導性が筆ら和 3 下記の化人物bにちあょか。 きどのような種拓の欠導opし合物aを加え 4 HBr b. CaBr 人が生成するか入>エ 4 CaBr。 b. TBr 4. MgO, b. Fe,0。 3. MgO, b. Nio 3:10 塩化オトリゥムは 重2165 kg mの立方昌でぁ 1 < 056s in調 の Na と CI を有する. これらのテーッ。 はそれそれ 4人 トル (m9 当たりのNi の上数をne て 立方メー

ここに書いてある誤差の求め方がさっぱりわかりません。どういう計算をすればこうなるのでしょうか？？

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分からないです。

A6でできた断面積1 mmzの導線中を1Aの電流が流れている。この 時、導線中を流れている電子の平均の速さをm/s、cm/s、mm/sの単 位で求めなさい。 ただし、 Aeの導線の密度を2.7g/cm3、A6の原子 量を27とし、 アボガドロ数を6.0 x 1023としなさい。 また、 電子1個の電 荷量は1.6 X 1019Cである。 また、 Ag原子1個は導線中を自由に流れ ることのできる電子(自由電子)を1個放出するとする。 ヒント 1) 1Aという電流量は導線の断面を?c/sの電荷が流れている状態 である。 2) 原子量とは何か、また原子時とアボガドロ数との関係を考察せよ。 3) 自由電子の平均速さをv cm/sとして、 電流が1Aの時にどのような 等式が成り立つか。この時、 両辺の単位を揃えなければならない。 4)Ae導線単位体積中に存在する自由電子の個数を求める。 32

タンパク質(ミオグロビン)の精製実験です。 sdspageのゲルの写真からたんぱく質の分子量を分子マーカーから求めたいです。また推測したバンドのたんぱく質から平滑筋に含まれるたんぱく質を知りたいです。

最終的な答えを教えてください。

| | 川 還和放とカウスの池間 上 ] 川 川喘 図1 に示したように、半径ヵの同心導体 殻AB があり、A とB との間は誘電率。の誘電体が 、 挿入され、他は真空である。球の中心に点電人荷 を8き、A Bにそれぞれ ののs の電荷を与えた。以 | 下の問いに答えよ。 | | (a) 電東密度 ), 電界 放/)を求めよ。 (b) A,B の電位 ム,放を求めよ。 上【層 rewfeltefrFefewhrrefe衝eefewerwiewmrs 上 間出 PefewifefiWewhterrthwfwiemrehehefrhWfFhlihe [凌電体中のポアソレおよびラプラスの方程式まその応用] 3, 内側の導体円筒の半径 。、外側の導体円筒殻の内半径ヵの間を一様な誘電率eで満たされた同軸円筒 コンデンサ(長さき /)がある。その静電容量をラプラスの方程式より求めよ。 | 1 愉 | | 全ドント柱田価の輸対称放より、 ランァォのがREVアートテ| |-0eabene」 にコブ に 因 7