1枚目から、2枚目のgrad sとgrad rの計算方法がわかりません。教えてください🙇‍♂️

第11章 電 気 力 学 Zo6 り んo@ の 0 5 ラッ ケー 7・の/C 1.56) テニテー"(⑫),。 7ニレーァ"(7の)|。 りー2'(7の), アニ7の/c Lienard Wiechert のポテンシャルとよぶ ((13・1) 参照). とき生ずる電磁界は次のようになる ([13〕 参照). 2 は 1 (-放)+ 民 1る) 引) Gd1.5の) 06 / のXア の? にみた の ア ergっlkd ergku ラッ ため, あまり速くない点電荷によって単位時間あたりに放射される電磁エネルギー ようになる (13・2) 参照). 2 - me (exのxの) は- テ) Q1.583) 4(,の= ー<a ④⑫⑦)* Q1-58b) うに, 加速された点電荷による電磁波の放射を制動放射とよぶ、 ) 点電荷による電磁波の散乱 入射した電磁波が点電荷を加速し, 加速された点電 電磁波を放射する過程が点電荷による電磁波の散乱の現象である. 入射した電磁波

考え方と一緒に教えていただけると助かります

【問1】 Dis Gyを10京。 5 K 図1のFET を用いた自己バイアス式ソース接地増幅回路について, 以下の小問に答えよ. , FET の寄生抵抗ヵを考虎し, 相互コンダクタンスを gn とすること. Cm Cee Csの各インピーダンスは, vm(のの周# 対して十分小さいとして考えること. また, ⑫)の解答において, 例えば尺 と 応の並列接続の合成抵抗を 7Ay や Ay。 AAな ど省略して記述してはならない. ⑬)の解答はそれぞれ有効数字 2 桁で答えよ ⑪) 図1 の小信号等価回路を同図右に完成させよ. agm, vos(0, Ai, 到。Ap を書くこと. 拓 叶 Yoa(の p 1 | 中明 っ (の 人 weの "9 和 AS で ルル (1 小信号等価回外) 図1 ⑫)(⑪の小信号等価回路の電圧増幅率 44は agm, Ap を用いると である. ⑬) ⑫)で =2.0 [MO].gn=18 [mS].Rp =3.9[kO]ならばは 倍( dB) である. (⑭ Cas の役割を以下の枠内に簡潔に述べよ.

(8.16)はどのように出てきますか？

1番下の式ってなんの式なんでしょうか

ガウスの法則は. クーロンの法則から導いたが, クーロンの法則と同等の 法則と考えてはいけない. ガウスの法則だけではクーロンの法則を一意的に 導くことができない. 球対称の電荷分布が球対称の電場をつくるということ を導くことはできないのである. 微分演算子V とベクトル場 世 の外積 9のRB (90 ミ290い0 (9 95: vxp=e [壇 が ( 5 e( の ) をマクスウェルは BB のカール, 後に回転と呼んだ (さまざまな別名を考えた ようである) . へヴィサイドはcurl と表した. また rot BB と表すことも多 い. 正確には回転密度と呼ぶべきである. 次節で証明する積分定理 (2.44) AOも を体積要素 A に適用すると

マーカーのところってどのように近似してるのですか？

7較の2 9z 2 6z "8z OS 6* 9の (寺 -e計のみつ な。 や万,が のぐー2の で時間空間的に変化するとすれば 2 デー ee?一jro三0 となり 図 10-7 ニーソ(zoo二ee?) 王(1上すり)YZzo/2三①)/2 (9三Y2/ zoの) を三e/c とおき, 電界や磁界の成分を ちあe-%*。 万三万e-*%! と書き, 三つの領域で次のよ ヶ生0 : 選三oe二戸ばく 万(%/んoo) (Peは2:一戸,e-はの 0ミニ2 : とーーだoeの上だ/e-7" (6/Zo) (だ2一だ7e-せ9 gz : アーp,e2 万=(%/Z。o) あecばく ヶ三の での連続条件 : ze“二戸"の7三刻,/eは9 > CN 5 だeeー eeニgEret6 ただし 8ニニ 7 守 9 (Qiデの ZiCd り) 応三1/2) 6) 記27-の4。 だ/三1/2) 1一8) 記せの4 を三0 での連続条件 : 玉士戸ーア+だ/。 所一把ニ(1/8) (ダーめど) これを 記, 玉 について解き, 上に得た だ, "を代入すると が=Q/26) {8+1) だ21だ ニ①/48) (d+8)?e-"“ー ローg) 2769) 6は6記。 か=Q①⑪/28) ((@-)だ(8+1 下り = /48) (6?ー1) (6-""ーet) 2は6 173((28gssl (と括りSSいい3) (つの) 。 太。 d+の2e-““ーローの7e76 1T8)?一ローの2e-% CYS 49e は9 VetseciS 右記 (6はTQM2つ。 (Ra だだ| メニーix2=ニ1一2/8

わかる方お願いします

バCをOU回KGZF/エ帯(の計V (8) ^ZES_OUhE)案の竹加@壮っ)彫館 T の辱イ言Y (る) いヽノ避@⑳玉区導の避の導つ ?尾(LT) を詩 の考和交如 半守久間還っとvw 6SC告V "まい受田コマニ8 ?尾9 天宇 ユニい本コッこと 06笠記詳 "とま6科0平う-ミ役のギーヤルみザいっ1回訪E寿9 、1国衝回憶在 凌ネ6国の可の 006xe還|g

(1.82)から(1.83)の1行目への変形を教えてください

1.5 電磁力と運動方程式 と定義する・ これを応カテンソル (stress tensor) と呼ぶ31 発散の定義を拡張 う5 ゆで (V 7)* = > の77k 2 と書く. 以上を (1.80) に使うと ァー/ vs ト】 を得る. 領域 に働く力 はの密度 (単位体積あたりの力) の体積積分だ ょ考えアーリナdz と置くと (< は任意の領域であるから) SEM という表現を得る. さて電磁場の応力テンツルは 2 (@g -3 wlgf) 5 (ぁg 半2 1.82) タ /o 2 3 によって与えられる. これを成分とする応力テンソルを 7,。 と書きマックス ウェルの応カテンツルと呼ぶ 7. の発散を計算すると (マックスウェルの方 程式をた用いて) V.人6。 = eo [(V お玉ーー玉x(Vx妃] エー [(V.Bお)お-Bx(Vxぢ)] /0 三p/ぢ十eoぢ x (の万) 一戸 x (eoのみ刀二) ニーp/二7xアeoの(ぢxどぢ) (1.83) を得る. この第1 項と第 2 項は荷電粒子に作用するローレンツカ (1.71) を有限 な体積をもつ物体に一般化したもるのであることがわかる. 第3項は電磁場自体がもつ「運動量] が時間変化することを表している. つ まり (万 x ) は「電磁場の運動量密度」 を表すベクトルなのである. (1.36) で定義したポインティングベクトルを思い出そう. 5 = 娘xメおは電詳場 31 テン >ッ "リ テンソルアア の要素に上つきのインデックスを与えるのは』 これを物体の応カテンツルと 迷合するための都合である. まだテンソルの友変成分と半変成分の区別を十分説明して いないので, 後の議論のための技術的準備とだけ理解しておこう.

(2.88)から(2.89)への変形がわかりません 教えてください🙇‍♂️

の 本請 ソフ ん(ンズペア、 人 eV x Ke 0 沿 こ遠方での磁束 1 現れる株分を レジ42三 0 , 7(?) 6 PAM [3 (2.74) とおいて 7/ について展開する と 定常電流の場合, 電荷の保存則 V- 9 (2.76) +り次の関係式が成り 立つことが示せる. / ヴァ7み(7) 0 (?ニ12,3) (2.77) 9 (7g太(7) キ全大(7)) 0 Neの1.2.3) (2.78) この関係式を用いると 4 の第1項はゼロとなり = / @y ey)76ので7でrl | 7 PCの)] 9) と書き直せる. 磁気双板子モーメントとして (2.80) に 補: を定義する、 これにより〆/r についての展開の高次を無視する 2 aox

最終的な答えを教えてください。

| | 川 還和放とカウスの池間 上 ] 川 川喘 図1 に示したように、半径ヵの同心導体 殻AB があり、A とB との間は誘電率。の誘電体が 、 挿入され、他は真空である。球の中心に点電人荷 を8き、A Bにそれぞれ ののs の電荷を与えた。以 | 下の問いに答えよ。 | | (a) 電東密度 ), 電界 放/)を求めよ。 (b) A,B の電位 ム,放を求めよ。 上【層 rewfeltefrFefewhrrefe衝eefewerwiewmrs 上 間出 PefewifefiWewhterrthwfwiemrehehefrhWfFhlihe [凌電体中のポアソレおよびラプラスの方程式まその応用] 3, 内側の導体円筒の半径 。、外側の導体円筒殻の内半径ヵの間を一様な誘電率eで満たされた同軸円筒 コンデンサ(長さき /)がある。その静電容量をラプラスの方程式より求めよ。 | 1 愉 | | 全ドント柱田価の輸対称放より、 ランァォのがREVアートテ| |-0eabene」 にコブ に 因 7

式のたて方がよくわかりません。 教えてください( . .)"