どの公式をつかえばいいのかわかりません。教えて欲しいです🙇‍♀️

O真空中で,図の ry 平面の点 Aに -60 C の負の点電荷が固定されている.r 軸,y軸の1目 盛りの長さを1mとし,無限遠を電位の基準とする.以下の問いで,数値は有効数字2 桁で求め,向きは 矢印,o,8,「無し」のどれかで表せ、 (a)点Bを通る電気力線と点0を通る等電位面を描け、 (電気力線に向きを付けよ) C A (b)点Bでの電場 EBの強さ EBと向きを求め,ベク 0 トル Es を成分表示で表せ。 (c)点B での電位 oB を求めよ. B (d) 点Aの点電荷から湧き出す電気力線の本数¢。を求めよ。 (吸い込まれるときの、く0とする.p、の単位に[本]は使わない.) (e)点Bに -3.0× 10-6 C の負の点電荷Pを置く.電場 EBを用いて,点Bに置いた点電 荷に働く電気力FB の大きさ FB と向きを求め,ベクトル Fを成分表示で表せ。 (f)点電荷 Pが点B で持つ静電エネルギー UB を求めよ。 (g) Pを点Bから点 C まで真っすぐ移動させる。移動の間に電気力がPにした仕事 WBc を求めよ。

T^(2)の行列式が1になることってどのように計算すれば求まりますか？

を待る テンソルの変換行列と SO(3) の表現 ここで(9.4)の変換の係数 Tik Tiの特徴を調べてみる.まず, i,j=1,2,3 T(2)。 j, kl = Tik Ti, (9.8) k,l=1,2,3 とおく、右辺がTの2つの成分の積なのでT (2) とした. T(2);, kl は, ()の組と(kl)の組をそれぞれ行と列の添字とみなすと i,j=1,2,3に応 じて32=9行をもち, k,l=1,2,3に応じて 3=9列をもつ9×9行列とみ なせる。この記法を使うとテンソルの変換(9.4)は 3 t; = 2 T(?)ij,kttxl (9.9) k,l=1 と書けて,(j), (kl)のそれぞれをひとつの添字とみなせばちょうどベク トルの変換則(9.1)に対応するかたちとみなせる. さて,線形代数では2つの行列A= [aj], B=[b;j] から aijbel = Vik,jl

クエン酸回路について質問があります。 1分子のピルビン酸は3分子の二酸化炭素と5分子の水素に分解されるとの事ですが、この場合の5分子の水素は「5H」を指すのか「5H2」を指すのかどちらでしょうか？ 初歩的な質問で申し訳ありませんが、わかる方が居ましたらご教示下さい。

4 生じたピルビン酸はミトコンドリアに取り込まれ, 第2段階の反応に入 nます。ミトコンドリアのマトリックスの部分で, ピルビン酸はクエン 融回路という反応で消費され,1分子のピルビン酸あたり, 3分子の二酸化 歴素と5分子の水素に分解されます。 このとき1分子の水素はFAD に, 4分 子の水素はNAD"に預けられます。 また,この間に3分子の水が使われ, 1 分子のATPが生成されます。 ※ピルビン酸1分子 あたりの反応 OH 3H20 (ミトコンドリア) クエン酸 回 路 1ADP CH.O。 (ピルビン酸) ミトコンドリア 1ATP のマトリックス で行われる。 CAV 4(NADH+H+) *3CO2 マトリックス 4NAD+ FADH2 FAD ▲ 図 18-4 クエン酸回路での反応(略図)

真理値表、論理式、論理回路図を書け。というものなのですが自分でやってみた結果腑に落ちないので教えて欲しいです。1枚目が問題で、2枚目が自分が解いた結果です。

右図のような水タンクで上下水位センサの間に水を 水投入電磁弁y」 溜めるとする。 水放出スイッチX2 * x2は水放出スイッチ:1の時タンクを空にする。 * X1, Xoは上下水位センサ:0の時水無し, 上水位センサX」 1の時水有り、 下水位センサX。1 水放出電磁弁 Yo * nは水投入弁:0の時閉じる,1の時開き水を投入する。 * yoは水放出弁:0の時閉じる,1の時開き水を放出する。 と yo, その否定の。の真理値表を作成し,論理式を書きなさい。またyを出力する回路図 を書きなさい。 論理式 1= X2| || X。 yo 0|0 0 ア。 0 0 1 yo = 0|1|0 0 0 1 1 論理回路図(y) 1|0|0 0 1 0 1 1 1 同じ出力値

積分の問題です。　 お願いします

次の3重積分を空間における極座標変換を用いて求めよ。 yer+y°+z? dadydz K:°+ y°+<1, y20

位相空間論の問題です。 証明の仕方がわかりません。。 教えてください！お願いします！

問題 2. 距離空間 (R?, de) の単位円周Sに相対位相を考える。集合R上にzRy →r-9EZで同 値関係を入れる。 このとき距離空間(R, di) 上の位相Tの自然な写像T: R→R/Rによる商位相空間 (R/R, T/R) とSが位相同型になることを証明せよ。

電子回路についてです。課題1のところがわかりません。教えてください。

15:49 完了 電子回路|_11_トランジスタ増幅回… 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(2/5) 【例題6.1】 コレクタ接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式 【解】(エミッタ接地) E接地の入出力電流·電圧(,, Ve。)は, E接地 のh定数(hhhh)を用いて次式を満足する。 V= h, +h。v。…O …2 oC B Ve 一方、C接地の入出力電圧(VV。)と出力電流()は E接地の入出力電圧(VV)と出力電流()との間に 次式が成立する。 E OE (コレクタ接地) V= V -V。…3 V。=-V。 …の 3のをのに代入. V-V。= h, +h。(-v.) のSをのに代入. v i。 BO V。= hi, + (1-h。)V.… Vae Ve。 C Ve。 =-(1+h。);+hov… V= h.i, + h。V。 =hei, + hV。 h。= (1-h。) h。=-(1+h。),h = ho。 h,=h。 6のと、 を比較して、 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(3/5) ベース接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式. (エミッタ接地) V = h, + h。v。…O ;= h,+h。。…の 【課題1】 前頁の【例題6.1】を参考に、 下記の変換式(6.7)を導け。 oC h。 BO V。 Ve h= EO E (ベース接地) …3 …の h,ha t ho(1-h,) Ve = V』 -V。 h。= V。 V =ーV。 『ce Eo oC ら=--。 h h。= V|| Vhe Veb BO oB V。= h+hV。 = h+hV。

微分方程式の問題です。（1）はやってみましたが、確認してもらいたいです。(2)を教えていただきたいです。よろしくお願いします。

問題13.5 (臨界滅衰) 定数a(> 0) として、微分方程式 da + 2a+a°r= 0 dt dt? を考える。次の間に答えなさい。 (1) 一般解を求めなさい。 (2) To(> 0) とを実数として、初期条件 z(0) = ro, r'(0) = vのもとでの解を求めなさい。

あるコイルに10ms間に一様な割合で500mA変化する電流を流したところ5vの誘導起電力が発生した。 このコイルの自己イングクタンスLは何(H)か。 この問題を教えてください。

電磁気学の問題です。 これの( 3 )のやり方が分かりません。 どなたか解説してほしいです。 大至急お願いします。

【問 1】以下の各問に答えよ.この際,答えだけでなく,根拠となった法則·式を書くこと、 (1) 2軸正の向きに一様な磁場2.0Tが存在する空間内を,電子が e軸正方向に速さ3.0× 10° m/s で運動しているとき,電 子が磁場から受ける力の向きと大きさ Fを答えよ。 (2) B= (1.5i + 2.0j) T で与えられる磁場中に,速度v= (2.5 × 10*i) m/s の電子が受ける力Fを求めよ。 (3) 磁場および電場が B= (1.0i - 1.0j - 2.0k) T, E= (1.0i + 1.0k) V/m である空間に,速度v= (3.0j + 2.0k) m/s で 運動する電荷q= -2.0 C が受ける力を求めよ。