TOEIC・English Undergraduate about 5 yearsago このオレンジの線を弾いているところを和訳してください。 答えなさい。 ericans are always on the go. You are constantly moving about. You nev 。 stay in one place." 66 to visit them. 1. same family to continue to occupy a house for generations. Occasionally one generation lives 2. more money, the family (2) rents or buvs a more comfortable home than the one mey housekeeping in. They may move in order to live in a climate that will be better for the heaui or one member of the family. 3- Notes You Americans 「あなたがたアメリカ人」同格関係を表す言い方。 on the go 「たえず活動して」 move about |動 I き回る」/4rare 「まれな」/5 for generations 「数世代にわたって; 何代も」 occasionally 「時折」/6 make money 「収入を得る」/7 start housekeeping in 「所帯を持ち始める」 or oy se0olb tor nsderlhon o 問 1. ( 1 )に入る適当な1語を選び、その記号を書きなさい。 (1) that (2) who (3) what 問2. 下線部 (A) と(B) の英文を日本文に訳しなさい。 enu o pm d Waiting for Answers Answers: 0
TOEIC・English Undergraduate about 5 yearsago なぜこの問題は、2番では間違いなのでしょうか? 2 空欄に入る最も適切なものを選びなさい。な 用的同容:あを ア(1)John F. Kennedy was the first Catholic|( o1) elected President of the United States.は qiern 2t bggii orf V 1. having been 2.)who 手13. he was in 6r4) to be 関① OVS 消園のVは qls t bneii on.※ Resolved Answers: 2
Physics Undergraduate about 5 yearsago 電磁気学です。 この❸の(2)(3)の問題が全然理解できません、 解き方を教えて欲しいです。 (1)は何となくできた感じで、前期のテストで解けるようにしたいので(1)も教えて頂けたら幸いです。 3 図 13 の回路において, C」 Ci= 10μF, C2 = C3 = 20μF Q, [C] 9 [C V[V] で,電源電圧 Vが100 Vのとき, C2 Cg 次の各問いに答えよ。 T8IC) (1) 合成静電容量Cを求めよ。 図 13 (2) 各コンデンサの端子電圧Vi, V2, Vsを求めよ。 Resolved Answers: 1
Chemistry Undergraduate over 5 yearsago 3.4の問題わかる方教えて欲しいです。 (+1.699 V vs. SHE) 3.4 Cu*/Cu 系の E'値は Cu°+/Cu系よりも正だから,一電子を引き抜く反応Cu→ Cu*+e- は, 二電子を引き抜く反応 Cu→ Cu"+ +2e-よりも起こりにくい、なぜだ ろうか。 々(仕録の)から Cu+CIO-+2H*=Cu?++CIO,-+H,O の酸化還元反 Waiting for Answers Answers: 0
IT Undergraduate over 5 yearsago vscodeでruby on sinatraを用いて学習しています。 localhost4567を起動して文字を表示することができたのですが、既存のhtmlファイルをerbに変えたものを表示させ用途した場合、エラーがでます。ファイルの位置関係も問題ないと思うのですが、他にど... Read More ファイル(F) 編集(E) 選択(S) 表示(V) 移動(G) 実行(R) ターミナル (T) ヘルプ (H) app.rb - books - Visual Studio Code エクスプローラー @ app.rb く> index.erb > 開いているエディター d app.rb require 'sinatra' require 'sinatra/reloader' 1 V BOOKS v views localhost:4567 X 2 <> index.erb そ C O localhost:4567 app.rb 3 get '/' do hello 4 "hello" 5 end 問題 出力 ターミナル デバッグコンソール C:/Ruby26-x64/11b/ruby/gems/2.6.0/gems/sinatra-2.1.0/1ib/sinatra/base.、rb:1991:in 'call' C:/Ruby26-x64/11b/ruby/gems/2.6.0/gems/sinatra-2.1.0/1ib/sinatra/base.rb:1542:in 'block in call' C:/Ruby26-x64/11b/ruby/gems/2.6.0/gems/sinatra-2.1.0/1ib/sinatra/base.rb:1769:in 'synchronize" C:/Ruby26-x64/1ib/ruby/gems/2.6.0/gems/sinatra-2.1.0/11b/sinatra/base.rb:1542:in *call* C:/Ruby26-x64/11b/ruby/gems/2.6.0/gems/pumia-5.3.1/1ib/puma/configuration.rb:249:in * call' C:/Ruby26-x64/11b/ruby/gems/2.6.0/gems/puma-5.3.1/11b/puma/renuest nh:76iin 'hlauh Waiting for Answers Answers: 0
Certification Undergraduate over 5 yearsago この問題を教えてください 間い 答え 7 図のような単相3線式回路において,消費 電力1000 W, 200 W の2つの負荷はともに 抵抗負荷である。図中の×印点で断線した 場合,a-b間の電圧[V]は。 ただし,断線によって負荷の抵抗値は変化 しないものとする。 イ.17 ロ、33 ハ. 100 ニ. 167 a 抵抗負荷 J1000 W(10 2) 100 V 103W200 VS 電源 b 抵抗負荷 J200 W(50 2) 100 V Resolved Answers: 1
Chemistry Undergraduate over 5 yearsago この2問の解き方教えてください。 3.2 ペンゼンC&H。の △,G°(+124.3kJ mol-') をもとに,仮想的な電解還元反応 6C+6H*+6e- → C&H。の標準電極電位 E'を計算せよ。 (-0.215 V vs. SHE) 3.3 +1.500 V Us. Ag-AgCl(CI- 飽和)をSHE基準の電位で表せ。 (+1.699 V us. SHE) Waiting for Answers Answers: 0
TOEIC・English Undergraduate over 5 yearsago Either と Any がそれぞれ「どちらも」「どれでも」 の意味になるのはどのような時なのでしょうか? VS.3以上 に 商菌を 去文おつ文①穴 3以上 2 to 19nie geas of asaui9 nggst To tainim emjng eriT 両方/全部 viiad」 enepothent yd slsmaleddoa Ther どちらか/どれか どちらも/どれでも (any ehersoaauaさny(s bnucl ed saUSつed atebsi ert Yons 920ora on bib ahisdo月M YoDslads2 どちらも~ない/どれも~ない eすther meri to a o an S 裕 Resolved Answers: 1
Mathematics Undergraduate over 5 yearsago どなたかやり方わかる方いらっしゃいますか? 見当もつかないのですが😅 課題3 以下のスライドに示すように,半径 r, 高さんの円錐の体積を1V としたとき, さん SVsh, () 0+ n n n が成り立つ, 両辺のnを限りなく大きくした極限を計算し, 1 -πr?h となることを確認せよ Yzミ=A ※ヒント: 例(2) と同様の計算になるはずである Unresolved Answers: 1
Chemistry Undergraduate over 5 yearsago VSEPR法でエタン周辺の構造を予測する時1つの炭素に注目すればよいですか??ちなみに、こういう問題です。 2. VSEPR法により, エタン, エチレン, アセチ レンの炭素の周辺の結合の構造を予測せよ。 Resolved Answers: 1