III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

(3)の途中式を知りたいです

問題 2.1Φ = (1) 中 12345 35124 (2) " 4 = (12) 12345 41523 (3) Φ-1 に対して次の置換を求めよ.

教えてください🙇‍♀️

15+2) 問題6 チームナンバー 【14点】 ひろみさんは、市のチョコレートを溶かして手作りチョコレートを作ることにしました。チョコ レートは1個が図1の大きさで、 1箱に12個入っています。 ひろみさんはチョコレートを3箱と箱の 1 の量を溶かして、図2の型に流し込み サイコロ型 のチョコレートを作ることにしました。 サイコロ型は大中小の3種類の大きさがあり、溶かしたチ ョコレートは余すことなくすべて型に流し込み、 使い切ります。 また、型に流し込んで作るチョコレートは大の個数が一番少なく、小の個数が一番多くなるように し、大、中、小の個数をすべてあわせて20個以下になるようにします。 このとき、大、中、小のチョコレートをそれぞれ何個ずつ作れば良いか求めなさい。 【図1】 2 943 |1.5cm 6cm 0.5cm 12cm (1.5+2)×0.5÷2×3 08 Tins 1,75 小 -2 cm. 大 【図2】 13.927 1.2.4.8 2 27cm3 8cm 1辺3cm 1辺2cm ※型の厚さは考えないものとします。 0.875 メ 12 10599 99 lent 1辺1cm 8,75 12 1'7isto Toside 10.5 3 IS 175 +875 10.5φ 大: 0.875 40 354 P A35 個 個 HO 105

統計学の知識ある方、以下にある式の導出方法分かりやすく教えていただきたいです。 分かるところだけでも教えてくれると嬉しいです😭 ちなみにこのサイトは、 統計学入門 http://www.snap-tck.com/room04/c01/stat/stat0001.html こ... Read More

19:56 1 allệ (注3) 相関分析と同様に回帰分析の場合も信頼区間を求めることができま す。まずyの推測値の信頼区間は次のようになります。 この信頼区間は母集 団のy推測値の100(1-α) % が含まれる範囲を表し、信頼限界と呼ぶことが多 いようです。 y=a+b=(my-bmx)+bx = my+b(z-mz)→(j-my)=b(x-mz) VR VR V(j-my) = V(j)+V(my)-2C(j,my) = V(g) + -2 = V(y) - VR =V n n n =V(b(z-mx))=(x-m²) 2V(b)=(x-m²) 2VR S エエ (x - ₂)² 2V (6) - Vx{1+ (².²} =VR n S x=X0の時のy推測値の100(1-α)% 信頼限界: U Dol=a+bro ±t(n-2,a) VR -2,0)√| V₁ { 1/2 + ( 2 = m₂) ² } n S エ mx:xの標本平均 Sxx:xの平方和 VR : 残差分散 VR C(jj,my) = y推定値とmyの共分散 t(n-2, α): 自由度(n-2)のt n 分布における100α%点 この100(1-α)% 信頼限界において、x=mxの時の値を計算すると次のように なります。 VR ŷOL =a+bm±t(n-2,0) VR・ -2,0) √/ VR { 1 1 1 + (m₂ - m₂)² S エエ 2²}. =my±t(n-2,a)V n n これは値と残差分散が少し異なるだけで、 平均値の信頼限界(信頼区間) とほ ぼ同じ式であることがわかると思います。 つまり回帰直線は平均値を2次元 に拡張したものに相当し、 y推測値の信頼限界は平均値の信頼限界を2次元に 拡張したものに相当することになります。 次にyの信頼限界を求めてみましょう。 もしaとbに誤差がない、つまりy推 測値に誤差がないとすると次のようになります。 これが許容限界になりま す。 V(g) = V(g+c)=V(e) =VR x=x0の時のyの100(1-α) % 許容限界: gol =a+bro ±t(n-2,a)VVR you x=mxの時: gol = my±t(n-2,a) VVR しかし実際にはaとbには誤差があるので次のようになります。 これが棄却 限界です。 回帰分析の場合は棄却限界のことを予測限界 (prediction limit)と 呼びます。 (x-²)) S エ n n SII V(g+c)=V(g)+V(c) +2C(j,c)=VR /R { 1 + (*² =− m ₂) ² } + V₁ + 0 = VR { 1 + 1 2 + ( x − m ₂ )² ]} x=X0の時のyの100(1-α) % 予測限界: 1 (x-m₂)² yoz=a+bro ±t(n-2.0)/VR =t(n-2,α) √ -2,0) √/V₁ { 1 + 1 + n S エ U x=mxの時: yol = my ±t(n-2,a) 2, a) √/ VR (1+1) VR (1+ 安全ではありません - snap-tck.com

解き方と答えを教えてください！

65個の文字の集合U={a,b,c,d,e}の部分集合の総数を求めよ。

官営模範工場が作られた理由を教えてください！ 生糸の増産や品質の向上を図るためなのか、民間に手本を見せるためなのか。

(4)で、②と③から←の式を導出したいのですが、どうやればいいのか分かりません💦 教えてください🙇‍♀️ ※hダッシュではなくすべてhです、すみません！

波長の XX** (1) Ⓡ P- E=0. K O = dade O the rd O = T 波長がの 7 he m² cose + ma cost Sine m/ my sing (1) Q), @F), t²33c sin³p + cos² $ = を用いて、 (mm - A sing) • (--(4- $ 2008)}"-1 + :. mon² = ( ² sine )² + ( ^ - * cose) ³ h² h ² 2h² sin² 0 + .cose 22 + 26² 45+ 22-24 cose = h² ( 1+√7-C050) これを①に代入してひを消去 hc = hc + = mx ——/² x 6² ( = ² + ² - cos8) ^a' 両辺に をかけると、 x² = x + zmc (^² + = - 2 cose) 2mC h (2²+ = -2 (050) 2mc A (2-2 cose) 散乱X線 Ro E = N p= P = mu 中の妻子は調 べようがない→消したい. + 2 2mc h mc 00 (1 - Cos8) 2 Cost

クアンダで調べたりしたのですが、(2)がどうしても理解できないので教えて下さい。 お願いします🙇‍♀️⤵️

37 応用 集合 S = {1,2,3,4,5,6} について,次の問いに答えよ。 V (1) S の空集合でない部分集合の個数を求めよ。 (2) A,B はそれぞれSの2個の要素からなる部分集合で, A∩B=Φであり, A の要素の最小数は B の要素の最小数よりも小さい。 このような集合 A, B の組は何個あるか。

画像のQ3　(B)と(C)に関しての質問です。 (b)√2がℚ√3　[a+b√3❘a,b∈ℚ]　の要素でないことを示せ (C)φ : (Q(√2) − {0}, ×) → (Q(√3) − {0}, ×)とφ : (Q(√2), +) → (Q(√3), +)が同型写像... Read More

3. (16 marks) Given a prime number k, we define Q(√k) = {a+b√k : a,b ≤ Q} ≤ R. This set becomes a field when equipped with the usual addition and multiplication operations inherited from R. (a) For each non-zero x = Q(√2) of the form x = a - a a+b√2, prove that x-1 b = ²-26² a²26² √2. -262 (b) Show that √2 Q(√3). You can use, without proof, the fact that √√2,√√3, are all irrational numbers. (c) Show that there cannot be a function : Q(√2)→ > Q(√3) so that : (Q(√2) - {0}, ×) → (Q(√3) − {0}, ×) and 6 : (Q(√2), +) → (Q(√3), +) are both group isomorphisms. Hint: What can you say about (√2 × √2)?