どなたか12と13わかる方いますか！教えてください！

12 2本の導体が, 間隔 50cm で, 平行に置か れている。一方の導体に 10A, 他方の導体に 5Aの電流を反対方向に流したとき, 導体間 にはどのような力が働くか。 また, 導体1m あたりに働く力の大きさを求めよ。 13 2本の導体が、間隔5mm で, 平行に置か れている。 それぞれに電流 0.5 A を同じ向き に流したとき, 導体50cmあたりに働く力の 大きさを求めよ。

これらの問題がわかる方 教えて欲しいです お願いします

学籍番号_ 電気磁気学 I 演習問題 6 氏名 [6.1] 接地された導体球殻の内部に点Pの位置に点電荷 Q を置いた時、 球 殻の内面に誘導される電荷は-Qである事を誘導係数を用いて示せ。 [6.2] 半径 αの2本のきわめて長い直線状導線が中心間距離d (>>α)を隔て て平行に置かれている。 単位長あたり±入の電荷を与えたとき、 i) x軸上の任意の点での電界Eを求めよ。 ii) 単位長さあたりの静電容量を求めよ。 iii) 電位差が V であった時、 単位長さあたりの静電エネルギ Uと2本の線間に働く静電力F を求めよ。 [6.3] 図のような3重同心導体球 A,B,CのAとCを接地した場合の静電 容量を求めよ。 d

磁束密度 1.2T の磁界中で磁界の方向に直角に置かれた導体(長さ50cm)が、磁界と 30 の方向に5m/sの速度で運動すれば起電力。教えてほしいです。

なぜ磁場と平行な成分は無視できるのですか？

432 電流が磁場から受ける力 図のように,磁束密度 が右向きに 1.5T の一様な磁場内に, 磁場と 30°の角をなす 向きに長さ0.20mの導体棒PQを置く。 P→Qの向きに 2.0Aの電流を流すとき, 導体棒 PQ が受ける力の向きと大 例題 85 きさ F[N] を求めよ。 30° 1.5T

2枚の無限に広い導体平板が間隔lだけ離れて平行に置かれている。1つの導体は接地されもう一方の導体は電荷表面密度がσであるとき、胴体で挟まれた空間の電位を求めよ。 この問題の解答例を作成してほしいです。

問11 2枚の無限に広い導体平板が間隔だけ離れて平行におかれている。 1つの導体は接地され、 他は電荷の 表面密度がのであるとき、 導体で挟まれた空間での電位を求めよ。 導体 接地 導体 x

全ての異性体を書くときに最後の写真の式にならないのはどうしてですか？？ あと、このような異性体の書き出し方やコツなどがあれば教えてください🙇‍♀️

24. 芳香族化合物 281 489.芳香族化合物の推定量化合物 A〜Gは,分子式が CaHioOであり,エーテル結合お とびベンゼン環以外に環状構造をもたない一置換 ベンゼン誘導体(図1) である。 次のI~VIの文章 を読み, A~Gの構造式を記せ。 ただし,立体異 性体は区別しなくてよい。 また, エノール構造 (図 2)は不安定であるので含まれない。 -X >c=c OH 図1 一置換ベン ゼン誘導体 図2 エノール構造 I Aは不斉炭素原子を1つもち,臭素と付加反応をする。また,ナトリウムと反応し て気体を発生する。 Ⅱ 白金を触媒として, 1分子のAに水素1分子を付加させたのちに酸化すると,Bが 得られる。 HOHOHO HOT HO HOHOH (HO) IICにヨウ素と水酸化ナトリウムを反応させると, 黄色沈殿を生じる。 ⅣDでは側鎖-Xにおける炭素原子の結合に枝分かれがない。Dは臭素と付加反応を する。 また. ナトリウムと反応して気体を発生する。 Dに白金を触媒として水素を付 加させて得られる化合物を酸化すると, Eが得られる。 Eはフェーリング液と反応し て赤色沈殿を生じる。 HO-HO HO HO HO VFは臭素と付加反応をする。 また, ナトリウムと反応して気体を発生する。Fに白 金を触媒として水素を付加させたのちに酸化すると, Gが得られる。 VGは不斉炭素原子を1つもち, アンモニア性硝酸銀水溶液を還元する。(肩) (16 昭和薬科大改)

4,1の(1)の問題の解き方がわからないです。 教えて欲しいです。 お願いします

9:05 × 電気磁気学 演習問題4 ■ill 4G 学籍番号_ 氏名 AZ 電気磁気学Ⅰ 演習問題 4 [4.1] 真空中に原点を中心とした半径a [m] の球内に電荷 Q[C] が一様に分布している (Fig. 1)。 この時、 球の内外 (ra, a<r) における点P(r, 0, 0)に関して、 1). 点Pを点P'(0,0,z)としても一般性は失われない。 点P' での電界 E (rsa, a<r) を求め、 z軸方向を向くことを示せ。 2). ガウスの定理を用いて点Pでの電界Eを求め、図 示せよ。 [4,2] 真空中に半径 a [m]の無限に長い円柱表面に面密度。 [C/m-]で電 荷が一様に分布している (Fig. 2)。 円柱の中心軸から[m]離れ た点Pでの電界Eは放射方向を向く。 点Pでの電界Eをガウ スの定理により求めよ。 a Fig.1 Fig.2 [4.3] 真空中に半径a [m]の導体球を内半径b [m]、 外半径c [m]の同心 円導体球殻で包んだ (Fig. 3: a<b<c)。 内球に電荷 Q [C]を、外球 に電荷 Q[C] を与える。 1). 電荷がどのように分布するか述べよ。 2). 電界Eをガウスの定理を用いて求めよ。 3). 電位V を求め、EとVを図示せよ。 ← Fig.3

(5)で電荷の移動する方向を求める問題なのですが、コンデンサーBの方が容量が大きい為BからAに移動すると思ったのですがなぜAからBに移動するのか教えて頂きたいです。お願いします🙇‍♀️

練習問題 157. 問いに答えよ. 図1のように極板面積 S, 間隔 4d の平行板コンデンサーA,Bがある. 真空の誘電率を eo として以下の (コンデンサー・導体の挿入・合成容量) (1) コンデンサーAの容量 CA を eo, S, d を用いて表せ. (2)導体板がない状態で,電圧 V の電池でコンデンサーA,Bを別々に充電し、十分時間が経った後,電 池を取り除いた. コンデンサーA に蓄えられた電荷 QAはいくらか. (3) コンデンサー B に極板と同形で厚さ2dの導体板を図1の位置に挿入した.このとき, コンデンサー Bの容量 CB を表す式を記せ. (4) コンデンサーA内の電位分布は下の極板からの距離をæとすると図2のように表される.コンデン サーB内の電位分布を図2中に示せ. (5) A,Bのコンデンサーの同じ極性どうしを接続すると電荷はどちらからどちらに移動するか. (5)の状態のまま十分時間が経ったとき,コンデンサーの電圧はいくらか. d Vo 4d 導体板 2 d d コンデンサーA コンデンサーB 図1 ( E V = = 805 Q GOS Q:CK 80 S · 4= 4d (2) Q=Co (3) 4d 905 Vo 4a V: @x2d S Q:CV 805 CK CB = 2d" +++5 x 2d 4d 図2 (5) AB ④ 正電荷 日負荷 (6) 同じ極性つまり並列につなぐ V= CA QB CB Qn'+QB'=2QA QA = V CA QB VCB V(CA+CB):2QA v ( 205 +2805): 22k 4d+48d ※QAQである V (145) .263 Vo 49 V = Vo 品 へいれつ こしは同じ!!

(1)のaに出てくるF=eEは公式ですか？ なぜこの式になったのか分からなくて💦 教えて頂きたいです🙇🏻‍♀️

50 断面積 S, 長さLの導体がある。この導体には,電気量 e の自由電子が単位体積当たり個含まれるものとして 次の問いに答えよ。 (1) 図のように、導体の両端に電圧V EVを加えた。 (a) 導体内に生じる電場の大きさはいくらか。 その向きは 図の A, B のいずれか。 (b) 自由電子が電場から受ける力の大きさはいくらか。 そ の向きは図のA,B のいずれか。 (2) 自由電子は電場から力を受けるが、導体中の陽イオンからの抵抗力を受け、この2 つの力がつりあって,自由電子は一定の速さで移動するとみなせる。この抵抗力の大 きさが自由電子の速さに比例すると考え、その比例定数をkとする。 (c) 自由電子の速さはいくらか。 (d) 導体の断面を単位時間に通過する電子の数はいくらか。 (e)導体を流れる電流の大きさはいくらか。 (f) オームの法則と(e) の結果を比較すると、導体の抵抗はいくらになるか。 S B (3)導体の両端に加えた電圧により生じた電場は、抵抗力に逆らって自由電子を移動さ せる仕事をする。この仕事は,導体から発生するジュール熱と等しくなる。 1個の 単位時間にする仕事はいくらか仕事率 ( (3)

オが分かりません。普通にqwじゃないんでしょうか？ 答え イ qvb オvb

II 空所を埋め、 問いに答えよ。 ウ (配点 45 ) 図1のような直方体のp型半導体があり, x,y,z 方向の辺の長さをそれぞれl, whとする。 図1に示すようにp型半導体の右側面をR 面, 左側面をL面とする。 このp型半導体のx軸に 垂直な面に電源を接続し, x軸の正の向きに大きさIの電流を流す。 z 軸の正の向きに磁束密度 の大きさBの一様な磁場(磁界) をかけたときの半導体内での電気伝導について考える。p型半 導体は,構成する原子間で結合する電子が不足してできた正孔 (ホール) と呼ばれる正電荷とみ なせる荷電粒子 (電気量q)が電流の担い手 (キャリア) となり, 電流が流れると考えることが できる。このp型半導体の単位体積あたりの正孔の個数をnとする。 h L面 と エは選択肢{ }の中から適切なものを選べ。 w B 図 1 R面 電源 まず, 磁場がかかっていない状態 (B=0T) では, p型半導体内で正孔は電源による電場 (電界)を受け, 平均の速さで動き, 電流が流れる。 この電流I の大きさは ア である。 この状態で磁場をかけた。 磁場がかかった状態でも正孔は平均の速さで動くとすると,正孔は, 磁場によって大きさ イ のローレンツ力をウ {L, R}面に向かう向きに受ける。 その ため ウ面はエ{正, 負}に帯電した状態になり, L-R面間に電場が生じる。 L-R面間 の電場の大きさは,正孔にはたらくローレンツ力と電場による力がつり合った状態で決まり、こ れら2つの力がつり合うと, その後, 正孔は直進すると考えられる。 このつり合いの関係から L-R面間に生じる電場の大きさは オ と求まり, L-R面間に生じる電位差 VH は カ と表すことができる。 VH は I を用いると キ と表される。この関係を用いると, 半導体中におけるnを調べることができる。