Question

ゆう

ベース接地構成のpnpシリコントランジスタのエミッタ-ベース接合は、次のようになる。 10Ωの抵抗と理想的なダイオードを直列に接続した約0.5Vのバッテリーとして表される（下図2.1-1、2.1-3）。 Re=1000Ωと10kΩおよびVEE=6VのVEBQを求めよ。
教えていただきたいです。

E
全属増子
形
コレクタ
O D O
ミッタ
0
C
102
Ta
TO5T
Re
ペース
全属増子
る。
R。
コレクタ
エミッタ
ペース
Mw
R。
ww
R。
p静合トランジスタ (a図報表示(回路記号とベース接地接続におけ
電圧の向き
Ire
oC
T。
E
傾き =
コレクタ。
VEEgペース同路
「o
0.7V言
-1
傾き=
『理想ダイ
「オード-
R。
『n
1。
B
0
V
ERQ
07V
図2.1-3 折線モデル,トランジスタ入力回路(alp-i特性(6断線モデル等価回路
D
ww

電子回路 電磁気学