ベース接地構成のpnpシリコントランジスタのエミッタ-ベース接合は、次のようになる。 10Ωの抵抗と理想的なダイオードを直列に接続した約0.5Vのバッテリーとして表される（下図2.1-1、2.1-3）。 Re=1000Ωと10kΩおよびVEE=6VのVEBQを求めよ。 教え... Read More

E 全属増子 形 コレクタ O D O ミッタ 0 C 102 Ta TO5T Re ペース 全属増子 る。 R。 コレクタ エミッタ ペース Mw R。 ww R。 p静合トランジスタ (a図報表示(回路記号とベース接地接続におけ 電圧の向き Ire oC T。 E 傾き = コレクタ。 VEEgペース同路 「o 0.7V言 -1 傾き= 『理想ダイ 「オード- R。 『n 1。 B 0 V ERQ 07V 図2.1-3 折線モデル,トランジスタ入力回路(alp-i特性(6断線モデル等価回路 D ww

電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。 * EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2) レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負 花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に 抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利 得は約( 7 ) デシベルである。 一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である トW- 10K 1u 10K 1μ = 義 の の Rミ| 02 (8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命 となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や が(10 )デシベル低下する特性となっている。 (2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用 JS0 た反転増幅回路である、 この回路の利得は、 1K 100K る。アースに対する図中のa点 a Ww -Mw 100K WWw

電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

(3)図3はターマン発振回路と呼ばれる回路である。図中の v,と v,の位相差は( 17 )度でな ければならないので, これにより1キロヘルツの発振出力を得たいとき, 抵抗の値をいずれも 1キロオームに選ぶと,二つのコンデンサーの値Cは, いずれも( 18 ) マイクロファラッド としなければならない. この時, uは ひ,の ( 19 )倍の大きさである。従って増幅器の利得は ( 20 )倍以上あれば発振を生じるはずである。 す る 1K C ン 上 かす WWHH 0 の 1K C Vi ww

休んでた授業で教科書が手元になく、やり方がわかりません。助けて下さい！

1.講義資料の永年方程式 E,-e-E E,S-t- ES =0 E,S-t- ES E,-e-E を e=0, t>0, S>0 として解く事により、 水素分子の結合性軌道と反結合性軌道のエ ネルギーを求めよ。

電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません！教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

電子回路についてです。課題1のところがわかりません。教えてください。

15:49 完了 電子回路|_11_トランジスタ増幅回… 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(2/5) 【例題6.1】 コレクタ接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式 【解】(エミッタ接地) E接地の入出力電流·電圧(,, Ve。)は, E接地 のh定数(hhhh)を用いて次式を満足する。 V= h, +h。v。…O …2 oC B Ve 一方、C接地の入出力電圧(VV。)と出力電流()は E接地の入出力電圧(VV)と出力電流()との間に 次式が成立する。 E OE (コレクタ接地) V= V -V。…3 V。=-V。 …の 3のをのに代入. V-V。= h, +h。(-v.) のSをのに代入. v i。 BO V。= hi, + (1-h。)V.… Vae Ve。 C Ve。 =-(1+h。);+hov… V= h.i, + h。V。 =hei, + hV。 h。= (1-h。) h。=-(1+h。),h = ho。 h,=h。 6のと、 を比較して、 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(3/5) ベース接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式. (エミッタ接地) V = h, + h。v。…O ;= h,+h。。…の 【課題1】 前頁の【例題6.1】を参考に、 下記の変換式(6.7)を導け。 oC h。 BO V。 Ve h= EO E (ベース接地) …3 …の h,ha t ho(1-h,) Ve = V』 -V。 h。= V。 V =ーV。 『ce Eo oC ら=--。 h h。= V|| Vhe Veb BO oB V。= h+hV。 = h+hV。

真理値表の書き方を教えてください

も衣さしるJ。 3 D- D 排 図5 データセレクタ実験回路 器 半 図 図1(a) 実験3 半加算器の実験 セーにモ O IC実験ボード上に2個のIC(74HC00)による半加算器の回路(図 6)を組み立て, 入出力 回路を結線する。 大人 (2入力側のスイッチを操作し, 入力 A, Bを表3のように変化させ,そのつど0~③の 各点と出力X,C。の値(H, L) を,真理値表(表 5)に記録する。 表5 半加算器の真理値表 A A B 0 3 X C。 X L L B L H H L D H H 図6 半加算器実験回路 セーロ 150 電子工学編

答え合わせのため計算式も分かる方が いればお願いします(o_ _)o 問題多くてすみません…

問1.図のように直流電源と4個の抵抗からなる回路がある。この回路において 202の抵抗に流れる電 流1の値を求めよ。 59 10Ω 109 202 25V 問2.図のように内部抵抗r=0.15、起電力E=9Vの電池4個を並列に接続した電源に抵抗R=0.52 の負荷を接続した回路がある。この回路において、抵抗R=0.52 で消費される電力の値[W]が幾らに なるか求めよ。 R=0.5Ω r=0.19 E=9V 「I

問2の問題について 意見がほしいです！ ラダー図も行き詰まってしまいもうお手上げです。 誰かご協力いただけないでしょうか？

簡易ビンゴゲームをシーケンサで動かす 下図のような鋼球をはじいて、縦3×横3の円の凹みに入れるゲームを作成しました。 、縦、横、斜めのいずれかに2個入れば、リーチとして左上の黄色いランプが点灯し、続けて ゲームを行い、縦,横,斜めのいずれかが3個になれば黄色のランプが消灯する代わりに右 上の赤色ランプが点灯するように考えます。別紙の図と詳細から入出力を調べ、下記のリー チパターンとビンゴパターンに数値を、また X1のビンゴとリーチのラダー図を書きなさい。 ただし入力後の各Xは自己保持がいらない物とする。 【リーチ パターン】 X3と 【ビンゴ パターン】 X1と 個数 X1と X7と X 11 と X5と X7と 個数 の の 3 個数 個数 の 8 の 0 5 個数 個数 の 3 3 個数 6 の 18 1 1 1 の 2 の 12 19 の 2D の 1 1 1 1 2 2 の 3 6 個数| 無し 2 2 2 2 3 の 6 6 3 0 3 3 3 X11 と 4 4 4 4 5 の X3と 6 個数 X5と 個数 の 8 の 0 1 闘 2 1 X1 X2 X3 2 15 16 X4 X5 X6 X7 X10 X11 問2、次の問題を読み、ラダーを図を作成しなさい。 上記リーチパターン X3とのラダー図及び上記ビンゴパターン X3とのラダー図を作成しなさい。 ただし、リーチ時に内部リレーを( )、ピンゴの時の内部リレーを( )とし ( )がON [リーチ]になったらY1、(')がON[ピンゴ]になったらY1が消灯しY2が点灯 する。 また最初マイクロスイッチが押された状態の、スリットの入った板がビンゴになったら スライドして玉を落とし、リンク機構で元に戻ってきてまたマイクロスイッチを押して 停止する。 a

この2音発生回路の回路図がわかりません。 答えを教えください。

1国) IC2 1M0] Ch- 0.001月 4700 Cx .47 10) IC1, 10 IC1 S臨 IC2P-0 0UT MIX C? 6.0022u月 R アクティベート岡路 ENL [補足) CHange: 交換する ー*を Nable: 番性化する IC2 19 IC3 低審発振器SL activate: 載的にする [圏6] 2管発生回路