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問題4 圧縮比が 16のサバテサイクルにおいて, 断熱圧縮前の圧力および温度が 0.1 MPa. 300K であり, 等容過程での燃焼ガスの単位質量あたりの受熱量が 250kJ/kg, 等圧過 程での受熱量が150kJ/kg である。, 燃焼ガスの定圧比熱を1.005kJ/(kg・K), 定容比熱 を 0.7171 kJ/(kg･K)として, (a) サイクル中の最高温度, (b) サイクル中の最高圧力 , (c) サイクルの理論熱効率, を求めよ。

至急です！物理得意な人教えてください！

問題4 圧縮比が 16のサバテサイクルにおいて, 断熱圧縮前の圧力および温度が 0.1 MPa. 300K であり, 等容過程での燃焼ガスの単位質量あたりの受熱量が 250kJ/kg, 等圧過 程での受熱量が150kJ/kg である。, 燃焼ガスの定圧比熱を1.005kJ/(kg・K), 定容比熱 を 0.7171 kJ/(kg･K)として, (a) サイクル中の最高温度, (b) サイクル中の最高圧力 , (c) サイクルの理論熱効率, を求めよ。

物理基礎の運動エネルギーなどの範囲です。 高校で物理を履修しておらず、何が何か全然わかりません。どなたか教えていただきたいです。

2. 重力下(重力加速度をg とする)で、質量mの物体を地面から高さんの場所から静 かに落とした、この時、地面から高さ1(0≤l≤ん) の時の物体の速度を、以下 のように考えて求めた。 空欄に当てはまるものを答えなさい (10点) (選択肢から選 (必要に応じて、自分で問題のイメージ図を書いてみることをおすすめ) (a)鉛直下向きを正とする。 今、物体には保存力である重力しか働いていないため、 力学的エネルギー保存則が成り立つ。つまり、地面から高さがx (0≤x≤h) であ ● 運動エネノ ダーを K (z)、ポテンシャルエネルギーをU (2) とす ると、以下の式が成り立つ。 K(x)+U(z)=(一定) (1) 今、地面から高さの時の速度をv(z)とする。 ポテンシャルエネルギーの基 準を地面とすると、上の式は K(x) + U(x)= = と求まる。 1 5m イ+mg ウ=(一定) ア と書ける。 (b) 今、高さと、その地点での速度v(x) が判明している地点は、高さんの点で ある。初期条件より、この点ではv(h)=アである。これを式 (2) に代入す ることにより、式中の(一定) の値、 つまり物体の持つ力学的エネルギーは以 下のように K(x) + U(x) = K (h) + U(h) = 1 と求まる。 (c) (2) および (3) を合わせることにより、高さでの速度v(x) が v(x) = 7 (2) 2 (3) (4)

この問題の解き方を教えて下さい。

ボルトで鋼板2枚をボルト一本当たり1000kgで締め付 ける. ボルト材料の降伏応力が240MPaであり、安全 率を8とすれば, ボルト外径はいくら必要か .

この問題の解き方を教えて下さい。

【設問1】換気や空調をしていない容積が10[m3]の部屋で、1人の作業員が作業 している状況を想定する. この部屋で,体重60 [kg]の作業員がメッツ値3.0の作業 を2 [h(時間)]行った場合, 作業員のエネルギー消費がすべて熱になり部屋の温度 を上昇させたとすると, 部屋の温度は何度上昇するか回答しなさい. ただし,部 屋の内外の熱の移動はないものとする.なお, 空気の密度は1.166 [kg/m3],比熱 は1006 [J/kg] とし, 温度によって変化しないと考える. 容積:10 [m²] 密度: 1.166 [kg/m3] 比熱:1006 [J/kg] 60 [kg] メッツ値 3.0 (T + AT)[°C] 1: 作業開始時: T[°C] 2 [h(時間)]

大学物理の問題で質問があります。 単元は電磁気学です。 解説のpm=μ0ISという箇所がわかりません。 ご解説よろしくお願い致します。

原点Oに大きさが pm の磁気双極子モーメントが2軸の 負の向きに置かれている(図9) Oを中心とする半径Rの球 面上の, OPが2軸となす角が0の点Pに生じる磁束密度を, 球 面に接する成分と垂直な成分に分けて求めよ。 [ヒント: 式 (10.40) を用いる.] 13. 地球磁場の水平方向の成分を水平成分, 磁場の向きが 水平方角となす下向きの角度を伏角という。 松本 (北緯36度) における地球磁場の水平成分は30×10 - T伏角は 49.5°であ る。 (1)地球磁場が地球の中心にある磁気双極子によるものと すれば,北緯36度の地点における伏角はいくらになるか. (前問の結果を用いよ。) (2) 地球磁場をつくっている磁気双極子は、地球の中心に ある半径 3.5×10mの核に流れる電流によるものと考え られている。これを半径2×10°mの円形ひと巻きコイル に置きかえたとすれば, コイルに流れる電流はどれほど か。

電磁気学です、 ほとんどわからなくて 答えだけでもいいので、お願いします。

問1.2個のα粒子が 10-12 [m] の距離にある。 クーロン力と万有引力を求め比較せよ。 問2. 半径aの球内に一様な密度ρ [C/m²] で電荷が分布している。 球の内および外の 電場を求めよ。 なお, 球は真空中にあるものとする. 問3. 真空中で半径Rの導体球に電荷Q [C] を与えた. (1) 表面の電場を求めよ。 (2) 分布する電荷の表面密度を求めよ。 (3) 静電応力を求めよ。 (4) 静電エネルギーを求めよ. 問4. 極板間距離 1 [mm] で容量1 [F] の平行平板コンデンサの極板面積を求めよ。 なお, 極板間は真空とする.

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

解き方も教えていただきたいです。

下記の問1~問4 に答えよ. さらに, 問 5~ 問8のうち1問を選び解答せよ 問1.2個の粒子が 10-12 [m] の距離にある。 クーロン力と万有引力を求め比較せよ。 問2. 半径aの球内に一様な密度ρ [C/m²] で電荷が分布している。 球の内および外の 電場を求めよ。 なお, 球は真空中にあるものとする. 問3. 真空中で半径Rの導体球に電荷Q [C] を与えた. (1) 表面の電場を求めよ。 (2) 分布する電荷の表面密度を求めよ。 (3) 静電応力を求めよ。 (4) 静電エネルギーを求めよ。 問4. 極板間距離 1 [mm] で容量 1 [F] の平行平板コンデンサの極板面積を求めよ. なお, 極板間は真空とする. 【以上必須】 【以下1問選択】 問5. 「何故学ぶのか｣, 思うところを記せ。 (自由記述) 問6. 電気双極子が十分遠方に生成する電場の表式および, 静電場内での振舞を述べよ。 問7. 静電場の体系を述べよ。 問8. 繊維材料に関する帯電列を調査して図示せよ。 調査方法も示せ . 以上