次の値から，フッ化リチウムLiFの結晶のおおよその格子 エネルギー (結晶を構成するイオンに分解するエネルギー)を求めな さい. DLiFの生成熱609 kJ/mol, ②Liの昇華熱160.5 kJ/mol, ③Liのイオン化エネルギー 519.6 k... Read More

エルネギー Li* (気) + F(気) イオン化エネルギー 519.6kJ Li(気) + F(気) 解離エネルギー 153kJ Li(気) + 1/2F2(気) 昇華熱 160.5kJ Li(固) + 1/2F2 (気) 生成熱 609kJ LiF(固) |電子親和力 349kJ Li*(気) + F-(気) 求める格子エネルギー

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

ビアンキ恒等式があまりよく理解できていません。わかる方詳しく教えて頂けませんか？それと同時にこの問題の1番を教えて下さい。

人 賠殖 () ビデンキの恒等式 (13) は ・がry (> を用いて, 2 とができる とを確認しなさい。 <の" は完全反対称テンソルと呼ばれ。 (な.の) 三 (0.1.2.3) およびその順置換のと 聞置換の時は 1添え字が同じ値になるときは0 となる基である ザー (4)アールce を用いて、 2).(13) を電場と左場をえ用いて書き下し。それらがマックスウェ の方穫 (講義ート 011 の 08-(2)) になることを認しなさい

現在卒論を書き進めています。 写真のt検定を行いたいのですが求め方が分かりません。 検定変数とグループ化変数に何を入れて結果を求めたらいいのでしょうか？ 私の研究はいじめられた経験といじめた事のある時期を、小学校、中学校、高校に分けて複数回答で集め、いじめられた経験のあ... Read More

回表作成 (因子分析へ1要較分散分析へ2要因分散分析) - Excel Matuko 剛 5和ン妥了にリバ 系件付き書式 ・ BU AD 回 ・ Es・ % 5 哲 テーカルとして書式設定 可生 恩)付け さ y >のめ・ AA・・ で > め・ 1] 間2 セルのスタイル ・ 時 書式・ カルタプボード R フルヤト ゝ 配置 R 数値 ゞ スタイル セル R た をす 周臣 目 A B C DMBE G H ! J 1 2 Table1 部活動に対する動機づけを尋ねる項目の平均値と標準 偏差(1ミ47ミ$) 性(⑰ヵ= 性(n=111 3 NN 頂目 明性(ヵ=105) _ 女性(Q=111) 検定 4 7 3の 47 3の 5 第1因子:自律的動機づけ(Z = ao) 3.8S 0.70 3.85 0.70 21.37あ 0 | G 自分自身の新たな側面を伸ばす最も良い方法だからである 3.96 0.97 3.96 0.97 49.66 妥| ! 好しい技術や戦術を知るのが楽しいからである 3.9$ 0.93 3.9$ 0.93 1371 8 10 : 4.16 0.88 4.16 0.88 うにy/ 034 9 3.88 0.9$ 3.88 0.9$ 324 10 3.97 0.99 3.97 0.99 3200 ll5以 3.61 1.36 3.61 1.36 037 ns. 12 | / 部活動をしないと気分がすぐれないからである 3.40 1.14 3.40 1.14 49.66 13 第2因子: 他律的動機づけ (z = 70) 3.00 0.76 3.00 0.76 1ユ-フ196 | 1 |部活動をすることで, 周囲から注目されるからである 2.96 1.0$ 2.96 1.0 313フ7 15 | 5 人体各 ば大事であると私の周囲の人々は思っているからである 2.82 1.01 2.82 1.01 2.寺め 16 113 自分がどれだけうまいかを他人に見せたいからである 250 In os 2.30 1.08 っヨ7.26 15四】 部活動をすると, たくましい身体@しくはスマート)になれるからである 3.72 108 3.72 1.08 037ロ s。 18 池 **p <oon, *# そこ01,*p<0S 19 20 21 22 23 24 【栓直 因子分析 (プロマックス) +球因分散分析 | 2要因分散分析 上 湯人完了 : 2.760557606 データの個数:G 合計: 8.281672817

交流回路です。 もし解ける方いたら教えて下さい！

V⑦ 図2: マックスウェル・ブリッジ (Maxwell Bridge).

F^μγがマーカーで引いたところのようになるというのがよくわかりません どなたか教えてください🙇‍♂️

て<運動方程式 15.4 電場と磁場の統一: フ ー ゲグジージツアル 前項では3次元空間で定義されたマッ クスウェル応 へ拡張することで電磁場のエネルキ\ー . 運動量テン が ここでは電磁場の4元ポテンシャル(4) カテンソルを4炊元時補 レル/縛 を導入したのだ (@/c 4)T から直接的に を定式化する. これによって, 度力は電場と克場統一した4 次元時で しい形式に整理される. まず (4) の微分?2) によって誘導されるぅ 階の反対称 レウォンシクルレ ルーの4リー 4。 (1.91) を定義する. これを電磁場のテンソル (electromagnetic elq tensor) あるいは ファラデーテンツル (Faraday tensor) という. 電磁場の定義式 (1.38)-(1.39), すなわち玉ニ ー(Vの上の4), ーV x 4 を用いて成分を書き下すと 0 1/c >/c 5/c 六際の)半ー証2 ーpg5/c 3 0 。ぢ: ー85/@ 王の二流 0 (gp)ー (1.92) 逆に言うと, 3 次元ベクトル戸と万はファラデーテンソル 瓦, の六つの成分 を取り出して書いたものだと「定義] することができる. ファラデーテンツソルを反変成分で表現すると, ツーのパージイ =謙交Eg7 0 一品/c 一玉/c fs/c 章GE | no 太5/c 3 0 ームBュ 5/c -9> 0 】 (1.25)-(1.26) を用いて計算すると, に 隔の (1.94) 逆たに言う と。 (1.94) がマックスウェルの方程式の後半2 式 (1.25)-(1.26) に相当 する式だと考えることができる 0) 2.3 館で定義する外微分である

(1.82)から(1.83)の1行目への変形を教えてください

1.5 電磁力と運動方程式 と定義する・ これを応カテンソル (stress tensor) と呼ぶ31 発散の定義を拡張 う5 ゆで (V 7)* = > の77k 2 と書く. 以上を (1.80) に使うと ァー/ vs ト】 を得る. 領域 に働く力 はの密度 (単位体積あたりの力) の体積積分だ ょ考えアーリナdz と置くと (< は任意の領域であるから) SEM という表現を得る. さて電磁場の応力テンツルは 2 (@g -3 wlgf) 5 (ぁg 半2 1.82) タ /o 2 3 によって与えられる. これを成分とする応力テンソルを 7,。 と書きマックス ウェルの応カテンツルと呼ぶ 7. の発散を計算すると (マックスウェルの方 程式をた用いて) V.人6。 = eo [(V お玉ーー玉x(Vx妃] エー [(V.Bお)お-Bx(Vxぢ)] /0 三p/ぢ十eoぢ x (の万) 一戸 x (eoのみ刀二) ニーp/二7xアeoの(ぢxどぢ) (1.83) を得る. この第1 項と第 2 項は荷電粒子に作用するローレンツカ (1.71) を有限 な体積をもつ物体に一般化したもるのであることがわかる. 第3項は電磁場自体がもつ「運動量] が時間変化することを表している. つ まり (万 x ) は「電磁場の運動量密度」 を表すベクトルなのである. (1.36) で定義したポインティングベクトルを思い出そう. 5 = 娘xメおは電詳場 31 テン >ッ "リ テンソルアア の要素に上つきのインデックスを与えるのは』 これを物体の応カテンツルと 迷合するための都合である. まだテンソルの友変成分と半変成分の区別を十分説明して いないので, 後の議論のための技術的準備とだけ理解しておこう.

教えてください。

@ 問題1 (1) 電流や電荷の存在しない場合のマックスウェルの方程式から, 次の波動方程式を導 きなさい。 っ 二の拓 2 ウジ V^ぢ あい V?ぢ aa (22) (②) 平面波解 ぢ = Po7(み・rーcのの, 万 = 09(p 7ー@) が(22) を満たすことを代入して確認し, その結果から電磁場の振動方向 (ベクトル jo, 。 の向き) と波の進行方向 (7。 の向き) が垂直で あることを示しなさい。

鞍点って極値ではあるんですよね？けど極値を求めよっていう問題に鞍点が出てきた場合は極値なしになるんですか？