ページ3:

电子学(上)
2-6二極体等效电路
.理想的二極体模型(ideal diade model)
二極體有單向導电特性,只允许电流单方向,順
IF
順:VF=0
↓等效
VR.
VF
通
逆:IR=0_
逆:截止(cut-off)-
1.順 (ON)
理想二極體VE=0
Vont=E-VF=E_0=E
2.逆(OFF)
理想二極體JR=0
Vout=IRxR=0x1R=0.
2R
JR=0
順5
T
2 = Vunt
VR:E-Vout=E-O-E
VR-ER Vont=O
R
R
VFO
Vene-E
1
二、二極體的定值电压降模型cconstant voltage -drop madel)
二極體順向導电時,兩端有一Vk (鍺0.3V,矽0.7V)
IF
Vezvk
↓等效
Vp
1.順 (ON)
VE
2.逆(OFF)
IR=O
VK
VFIVk
Vont E-VF
同上
IR
2 = Vent
IF
三、三極體的完整模型(complete diode model)
多了切入VC&动態rd,
rd=
AVF V₂-VC V₂-Vc
VR
Ve Va
VE
DIE 2-0
I
EV
J
OVE
↓等效*16:0F
Verd
↓
斜率
→ 基本上加入一顆R,剩下同上
VIR
Double A.

ページ4:

电子學(上)
2-3PN接面二極体
P.N型半導体單獨使用時=电阻器 肉肉串
外投
把PN型摻雜,PAN之間形成PN接面(PNjunction) PN接面二極体(
(PNjunction.
=1517 (diode)
→ 具單向導电特性
dide)
:裡面正離子排斥电洞,負離子排斥自由电子→平衡狀態擴散作用停止
空乏區(depletion region):靠接面N型失去自由→正離子,反之.
障壁电位(barrier potential): 730.6~0.7V鍺→0.2~0.3V
e @
PN接面
(P)
(N)
① ①①
(P)
(N)
空乏区
障壁电位
IF
空乏区(寬度)
2-4二極体的偏压(bias)
一、順向偏压(forward bias):正極→P,負極→N
P
空乏区縮小,外加E>障壁电位→自由电子越过PN接面往左移动.
順向电流(forward current)→IF
000
T
E.
二.逆向偏压(reverse bias): 負極→P,正極→N
空乏区变寬,由少权栽子產生,不导电,截止
(cut-off)
6-
M
(P)
(N)
三飽和電流(saturation current,Is),漏电流(leakage current)
由熱產生の少权载子,溫度飽和电流M
四崩潰电压(breakdown voltage):造成大量逆向电流,燒燬
五、二连体电路符号(dicle symbol)
P→陽極(ancde,A)
30 30 30
G
空乏区(控大)
結構
电路符号
宽体
A
N→ 陰極(cathode,K)
P
N
k
Double A

ページ5:

电子學
(上)
2-5二極體的电压、电流特性曲線
一、順向偏压下的电压电流特性曲線(V-I Characteristic Curve)
1.順向电压VE<切入电压 Vecutin voltage)
43約0.6V 鍺0.2V
-
1視开路 +L
ET
0
2. VFVC
个
c.
VE
(2)动態阻抗(dynamic resistance) rs=ZIF(斜率)
CD膝点电压(knee voltage. Vk) 矽0.7v鍺C.3V
二、逆向偏压下的电压、电流特性曲線
2.
1. 逆向电压VR=0,没有逆向电流,IR=C
O <逆向V<崩潰电压(BR)
→會產生逆向飽和电流(IS)
DIF
↓
切入点
Ve Vie
← -膝点
AJE
TO
VE
0
AVE
AVE
IF小,ra=
IFK, rd=
AIF
(崩潰电压
VBR
0
7 Is
C C C C C C C C C C O Q OOOOOO
SIF
VE
小
三、完整的电压电流特性曲線
貨車
IF(顺向2)
IR
順向偏压
四、溫度对二極的影響
(逆向崩潰V)
順:
VR
VBR
VF
矽二極体,溫度1℃,Ve↓2.5mV,係权-2.5mV/c 逆向偏压
(逆向)
VK (膝点V)
(順向V)
鍺一框体,溫度↑℃,
Ve↓ ImV,係权-1mV/c
IR(逆向工)
逆
溫度↑10℃,二極体逆向飽和I X2
to 15 (12) = IS(T₁) * 2 1
T-T₁
IS(T2)=IS(T1)×202
Double A