合っていますか？？？

質量 m, バネ定教に 8=-a Ca>0) で静止させた。 Q)=bでの遠度 (0<acb) mv- mg +ka mVae -a mしは、 Mgw-±ka)20 tmレーmgy- ±ka--定 Imレ- mgb-±k6= mga-±ka imv--tmgb-kb2-2mga t. kの?:0 レー26+ 番が+290 5の2 v-Az9(bta)+糸修-の)の 発(土mvz 2 k

解説お願いしたいんですけど…誰か助けてくれませんか( ˊᵕˋ ;)💦

半径a[m]の導体球Aと、半径b[m]およびc[m]の厚さの無視できる導体球殻 B、Cが図のように配置 されている(a<b<c)。導体球殻Bには電圧 Vo [V]の電源が、導体球殻Cには電圧 [V]の電源が接続 されている。ただし、これらの電圧の関係は、学籍番号の下一桁が奇数の場合は(Vo> Vi> 0)、偶数の場 合は(0< o<V)の関係である。以下の問いに答えよ。なお、計算過程と単位を明記すること。 (1) a<r<bの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V(r)を求 めよ。 (2) b<r<cの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V(r)を求 めよ。 (3) c<rの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V()を求め、 全領域における電界分布と電位分布を図示せよ。 (4) 導体球Aと導体球殻Bの間の静電容量C[F/m°]を計算せ よ。ただし、導体球Aと導体球殻B、Cのそれぞれの半径 は、a=1[mm]、b=2+x [mm] (x は、学籍番号下一桁の数 字)、c= 20 [mm]とする。解答には、真空の誘電率 20の記号 を用いても良い。 V[V] Vo[V],

親切で賢い方…解説して頂けないでしょうか…!!!

図のように、真空中に半径a [m], b [m] (a < b)の無限に長い同 軸円筒を考える。円筒軸からの半径をr[m]とする。a<r<bの 空間には一様な電流密度」 [A/m3] の電流が流れている。このと き、以下の問いに答えよ。 b (1)空間の磁界分布を計算しなさい。 (2) x=c[m](b <c)において、速度p= zvz [m/s]の速度で運動 している電荷q[C]が受ける力を向きとともに答えよ。 (3)今、asrsbの空間が抵抗率p [2. m]の導体で見たされた とする。その場合、x-y面に電極を付けるとして、z= 0 [m],d [m]の範囲の長さd [m]の抵抗を求めよ。 (4)(3)の抵抗値を次の値を使って計算せよ。 Z *p=π * a: 学籍番号の下1桁目(例:201234 の場合、4なので、a= 4) * b: a+1+学籍番号の下から2桁目(例:201234 の場合、3なので、b=4+1+3= 8) * d: 学籍番号の下から3桁目+1(例: 201234 の場合、2なので、d=2+1= 3)

一直線上を質量3.0kgの台車Aが右向きに4.0m/sで進んできて、左向きに2.0m/sで進む質量2.0kgの台車に衝突した。衝突後、2つの台車が一体となって進んだときの台車の速さと向きを教えてください。

この2つ分からないのですがどうやったら解けるでしょうか？詳しく説明して頂けると幸いです。よろしくお願いします。

問題5 高さ 19.6m のビルの上から小球Aを自由落下させた。 このとき、 Aが地面に落下する運 動について次の問いに答えよ。ただし、 重力加速度の大きさを 9.8 m/s° とする。 1.小球Aの運動について図に示せ。 (図) 2.小球Aが地面に達するまでの時間 [s] を求めよ。 問題6 図は、一直線上を運動している物体のvーtグラフである。次の問いに答えよ。 1. それぞれの時間間隔の加速度は何m/s°か。 の Os~5s: ② 5s~10s: 3 10s~20s: 2. この物体の移動した距離は何mか。 0 5 10 15 20 ts] v [m/s] LG

aとｂどちらの答えが正しいですか？

Lomao mレ+文Kスこ一定 0)2=20のとき/=DVo Q)最大振幅は 2 m A,Xo+ k bavo3 or Nk Vo? 2 26+ 6 a

この問題の求め方をを教えてください

直線上を運動する物体の位置えが 2(t)= Co+ Cit+C2t? t Cat + Ctt4 と表されている。但し、Co.Cz、Ce Co.Ca は定数とする。 (りCo、 Ci.C2.Cs Ca の次元を長さの次元し、 質量の次元M 時間の次元Tを用いて表しなさい。 (2)物体の速度レを時間もの関数として表しなさい。 3物体の加凍度のを時間をの関数として表しなさい

この2問、教えてください！！ 7/25まで！！！

R R。 1.右図に示す4つの抵抗 Ri, R2, R3, R4 からなる回路で、 AからBに電流1 を流した。S のオンオフにかかわら ず電流1が一定になるための条件を 求めよ。 A S 「B R2 R。 (注、S がオンの時の合成抵抗とオフの時の合成抵抗が等しくなることを利用して解く。または、 S の両端 で電位差が所持ないことを利用して解く) 1. 半径 a.b (a<b) の同心の導体球殻 A,B があり、両球 殻に挟まれた空間が、電気伝導率のの電解質溶液で満 たされている。A.Bをそれぞれ正負の電極にして電流 を流した時の電気抵抗を求めよ。 B (注、授業の例題で説明した筒状の導体容器に満たした電解質溶液の電気抵抗を求める問題と、 解決の方針 は同じである。筒状の導体容器の場合は筒に垂直に放射状に電流が流れたが、 同体球殻の場合は、 点電荷 の作る電気力線のように、 中止がから均等にすべての方向に放射状に電流が流れる。 2つの導体球殻の間に 中心の等しい球面 (閉曲面) を考えると、 全電流は球面を貫くので4m()となる (i(r)は電流密度)、 よっ て電場は E(r)-())aから求めることができ、 電極間の電位差を計算すれば電気抵抗を算出できる

量子力学、有限井戸型ポテンシャルの問題です。 (5)がわかりません。V_＊=π^2hbar^2/8ma^2と求めました。

以下の問I、II に答えよ。ただし、プランク定数を 2mで割った定数をんとする。 I.1次元のポテンシャル中の質量mの粒子を量子カ学的に取り扱う。粒子の座標をとし、ポテ ンシャルをV(z)とする。aと %を正の定数として、図1のように| >«の領域でV(z)= % で|<』の領域でV(z) = 0のとき、V%の値を小さくしていったところ、V%<V,のときに東 縛状態が一つだけになった。 (1) 図2のようにV% が無限大のとき、すなわち ||>aの領域でV(z) が無限大で || Saの領 域でV(a) = 0のとき、基底状態のエネルギーおよび第1励起状態のエネルギーを求めよ。 (2) 図1のポテンシャルでV%> V,のとき、基底状態の波動関数および第1励起状態の波動関 数の概形を描け。 (3) 図1のポテンシャルでV%> V。のときを考え、基底状態のエネルギーと第1励起状態のエ ネルギーをそれぞれ Eo, E, とする。このポテンシャルを、図3のように、a<0の領域で はV(z) が無限大となるように変更する。変更後の系の基底状態のエネルギー Eを Eと EEのうちの必要なものを用いて表せ。 (4) V,を求めよ。 (5) 図4のように、|2| < 3a の領域および ||> 5a の領域でV(z) = V./2で3a< ||| < 5aの領 域でV(z) = 0のとき、束縛状態の数を答えよ。厳密に導出する必要はないが、根拠を簡 潔に記すこと。またすべての束縛状態の波動関数の概形をエネルギーが小さい順に描け。 V(2) V(2) V% * E ーa 0 a ーa 0 a 図1 図2 V(2) V(x) Vo Iv./2 0 a ー5a -3a 0 3a 5a 図3 図4

3から7までの解き方を教えてください！

3. 図 4.14 の回路において, 電流Iを重ね合わせの理によって求めよ。>> 2P 102 202 202 52 22 32 202 102 14 V- 18 V I 100 V の ふる (6) 図 4.14 図 4.15 よケ ム役 4. 図 4.14 の回路において,電流Iをテブナンの定理を用いて求めよ.2A 5. 図 4.15 の回路において, 電流Iをテブナンの定理を用いて求めよ. IA 6. 図 4.16 の回路において, 点a, b間に流れる電流をテブナンの定理により求めよ。 7. 図 4.17 の回路において, 端子c-d間を短絡して端子 a-bからみた合成抵抗を R,. c-d間を開放して端子 a-bからみた合成抵抗を Ro とすると, 端子c-d間にR=v を接続して端子 a-bからみた合成抵抗 R。はどうなるか.