これの答えが知りたいです。すみません。。。

sp3混成軌道を形成している炭素原子が2つ以上、 sp2混成軌道を形成して いる酸素原子が1つ以上含まれる分子 (ただし環状化合物は除く)を1つ 挙げ、それについて (a) 点電子構造を描きなさい。 (b) その分子の三次元 的な形(立体構造)をVSEPRモデルの考え方から予想しなさい｡ ) (a) 工業化学実験1の実験に含まれる酸化還元反応を2つ、(b)人々の生 *TI 40.. 7 I 1. - allt d #B +-+-1

解き方を教えてください。

22:39 1 ◄ Safari 完了 kiso-report-on-diff 2.pdf Q 下村克己 1) 以下のロピタルの定理について下の各問いに答えよ。 定理 f(x),g(x) を点αで微分可能とする。 さらに、 レポート問題 (微分) f'(x) lim f(x) = 0 = lim g(x) and s.t. lim =l x→a x-a rag'(x) と仮定する。 このとき f(x) lim x→a g(x) x→a g'(x) (i) 下の証明の概略の下線部分がなぜ正しいのか根拠を書きなさい。 証明の概略 æ>aの場合だけを証明すればよい。。 Cauchy の平均値 の定理の仮定をみたす ので、 b 問題 極限 lim x-0 (a <c<x) (1) が成り立つ。 f(a)=0= f(b) が成り立つので、(1) 式の両辺に lim を施せばよい。d x-a □ f(x) - f(a)__ f'(c) = g(x) = g(a) g'(c) (ii) 次の問題について、 解答の等号 (=) に理由をつけてください。また、 最後のロピタルの定理が使える理由も述べなさい。 sin (sin) を求めよ。 x 解答 lim sin (sin - z) = 0, かつ lim x=0であり、 x→0 lim x→0 =1(= lim TX T 1 cos (sin cos = x - - - - π = lim x-0 π sin sin (TX) だから、 ロピタルの定理より、 lim 0fm i=0 sin (sin-7) – = TI 1 = (ii) 関数 f(x) が0を含む開区間で何回でも微分可能とする。 さらに、そ の開区間では f(x) = a₁x² (= ao + a₁x + a²x² + ...). 1

総合英語FACTBOOK English Grammar Advanced New Editionの第7章p25の問題の答え持っている方がいましたら教えて頂きたいです！よろしくお願いします。

PP.86. できごとが 37~88 未来の時点 058 > 参照)。 p.88 059 がずっ はあ い Exercise 7 →A 1 Change the verb to the appropriate form and complete the sentences. 1) When I (arrive) at school, the class (already start). My teacher was angry. ¹0 2) I (never see ) Kabuki until I became a college student. A NO TEN 3) The actor (be) an extra for 20 years before he became famous. Helsink Doy bedefimar O 4) Miki noticed that she (lose) the key somewhere. the concede lbovoilen od tamm DOY Sevorse J'nei yu 2 Change the verb to the appropriate form and complete the sentences. leum JAKO-O 1) It (stop) raining by this time tomorrow. 2) Brazil (win) the World Cup six times if it wins it again. Menur of SVBIl (3) She (be) a math teacher for 30 years by March next year.m alterow hat bedone. 4)She will email us when she (read) the report (｢読んだら」の意で lanks isla (0707 754300 penlo sitt bus no 3 Change the verb to the appropriate form and complete the sentences. →C 1) Kate (watch) TV since she came home from school. 2) yem 8 My father (work) for over 15 hours when he left the office. 3) She (travel ) abroad since last month. Sni smoo I ysM O つける 4) We (run) for 10 minutes before the teacher shouted, "Stop!" in nisqe of og ysm sW 25 VEAU CO 20 4 Choose the appropriate form of the verb and complete the sentences. → A B C 1) I (read/ have been reading / had been reading) the book for six hours until I realized it was dark outside. compl c513 VIBEE 2) I want to read your novel first after you (wrote / have written / will have written) it. VE met / will have met ) him before. 3) I suddenly remembered I (have met / had 4) He (tries / has tried / has been trying) to solve the problem since this morning. 5 Put the words in the correct order to complete the sentences. 1) [in/people/ already / long before / arrived / America / had ] Columbus came. 2) Yesterday I found the book [ had / for a long time / for / been / looking /I]. 3) [long/you/ French literature / studying / have / how / been ]?ow an ingin W 4) The news says that they [ for / stayed / space / have / in / a month / will ] tomorrow. Put it into English - Context writing - 1) 父が帰宅したとき 私はテレビを2時間見ていた。 llow idgim \ yam I 078 11m B II WOTTOmol nis: lliw (O naquad Hiw etnobis.A 2) 彼は雨の中を歩いて帰宅したと私に言った。 3) 彼がバス停に着いたときには,最終バスはすでに出発していた。 nato biwow beh yM 4) その夜以前に父が歩いて帰宅したことは一度もなかった。 basd 6 yoy ovig ILO MA 312) Imid ymise I X40).sgo f'ow toob aidT ABC 25

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

例題2と3についてです。線形変換であることを示すには、具体的にどのようなことを示す必要があるのか教えてください。

151 1. n次以下のK-係数多項式の空間 Pm (K) において, fEP (K) に対し, (Tof) (x) = f(x+b), bEK と置けば, To は P (K) の線型変換である.実際, 22 To (f+-g) (x) = (f+g) (x+b) = f(x+b)+g(x+b) = (Tof) (x) + (Tog) (x). To(cf) (x) = (cf) (x+b)=c•ƒ(x+b) = c(Toƒ) (x). 例 2. 漸化式 xn+k+ak-1Xn+k1+ ...+α1xn+1+αoxn = 0 (n=0,1,2,...) を充す実数列{Xn} 全体の空間 (p.97, §2 例 9 参照)で,一項だけ先へずらす写 像 T:{xn}→{Xn+1} は線型変換である. 例 3. 定数係数の斉次線型微分方程式 dk-1y + 'dxk-1 dky dxk + Ak-1 +ar dy dy の解空間において, 微分作用素 D:y→ は線型変換である. dx +aoy = 0 (ao = 0, a, R) dx さて,線型空間に基底を選んで, 線型写像を行列で表現することを考える. 線型空間 V の一つの基底E = <ex, ezi..., en> を選べば,Vから K™ への 同型写像 4 が決まるから、この意味で,基底 (E; 4) と言うことにする. T

BrF4-のルイス構造式がわかりません

34. 次のそれぞれの物質について, Lewis 構造式を書け. さらにそれぞれのグループのなかで (i) 電子の数, (ii) 原子上の電荷の有無, (i) すべての結合の性質, そし て (iv) 幾何学的な形を比較せよ. 塩素原子 C1 と塩化物イオン CI- 素業 (b) ボラン BHとホスフィン PH3 547 (c) CF とBrF と Br は分子の中央にある) (C

この問題が解けません。 詳しい説明と回答をお願い致します…

hi 26. アンモニア生成反応 N2(g) +3H2(g) 2NH3(g)に対する圧平衡定数 Kp は 400°Cで 1.64 x 104 atm ²2,500°Cで1.43 x 10~ atm ² である。この温度範囲に おけるアンモニアの定圧生成熱を求めよ。 in lepa OH

現在分詞と過去分詞の問題です。 1～6まで教えて頂きたいです🙇🏻‍♀️

SVOC の文型で C に原形不定詞がくるか現在分詞､過去分詞がくるかは0が「〜す る」、「~している」か「~される」かで使い分けます。また、同様に SVCの文型では Sが「~している」か「~される」 かで現在分詞と過去分詞を使い分けます。 2 次の()の中から適する語を選び、文中の適当な場所に入れて、それぞれ文を完成 させなさい。 (talk, talking, talked) We sat for a long time. We sat talking for a long time. 2. The window remained for a week. (close, closing, closed) The window remained closed all day long. (repair, repairing, repaired) You must have your watch. must have You our watch repaired. 4. You should not keep people so long. (wait, waiting, waited) You should not keep people waiting so long. 5. I saw the baby into the hospital by its mother. (carry, carrying, carried) 6. We saw him to his feet. (jump, jumping, jumped) 1. 3.

現在分詞と過去分詞の問題です。 あっているかどうか教えて頂きたいです🙇🏻‍♀️

現在分詞も過去分詞も名詞の前後から名詞を修飾する形容詞の働きをしますが、それ ぞれ現在分詞 (~している、~する) 過去分詞 (~された、~してしまった)という意 味で使い分けます。 1 次の文の( )内から適するほうを選びなさい。 Show me the letter (writing, written) in French. 472 24 This is a (surprising, surprised) story... We have to sweep up the (falling, fallen) leaves from the street 601-2⁰ every morning. フィルド 4. She brought the children a box (filling, filled) with candy. 5. The girl (having, had) lunch at that table is a famous singer. 123 る時」 ⑤ 譲歩 1. 2