至急🚨 生物の質問です。 このモデルの仕組みを教えてください。 なぜ、低レベルのuqプール還元で代替経路とシトクロム経路が活性化されるのでしょうか？

(B) Electron distribution model (reflects current thinking) Alt Alternative oxidase inactive UQ pool Cyt Alt Alternative oxidase active UQ pool Cyt

至急お願いいたします🚨 生物の質問です。 ミトコンドリアの経路についての説明だと思うのですが、電子オーバーフローモデルと電子分布モデルの違いを教えていただきたいです。 また、どういう仕組みなのか、何故このように電子が流れるのかも教えていただきたいです。 UQ poolはユ... 続きを読む

(A) Electron overflow model (considered out-of-date) Alt UQ pool Alternative oxidase inactive. Alt No alternative pathway activity Cytochrome pathway unsaturated Cyt (B) Electron distribution model (reflects current thinking) UQ pool Cyt Alternative pathway active Cytochrome pathway saturated Alt Alternative oxidase active Alt UQ pool Cyt Cyt Figure 14.33 Two models for regulation of electron flow through the alternative oxidase. (A) In the electron overflow model, no appreciable electron transfer through the alternative pathway takes place until electron flow through the cytochrome pathway is at or near satu- ration. This could result from the effects of respirato- ry control, if the rate of mitochondrial ATP produc- tion exceeds its rate of utilization in the cytosol, or from some externally imposed stress, such as low temperature. Under such circumstances, the UQ pool becomes sufficiently reduced to allow electrons to flow through the alternative oxidase, the latter re- quiring that the UQ pool be 40% to 60% reduced to attain significant activity. (B) In the electron distribu- tion model, the alternative and cytochrome path- ways both show significant activity at low levels of UQ pool reduction, and electrons are distributed be- tween the two pathways on the basis of the relative activities of each pathway. The activity of the alter- native oxidase under these circumstances is thought to be regulated by the action of a-keto acids and by reduction/oxidation of the intermolecular disulfide bond, as well as by additional regulatory mecha- nisms not yet characterized.

積分です。⑴のこたえは2であっていますか？ 解説お願いします。

ⅡI. (1)~(2) の積分を計算せよ。 (1) Se (y dx + x dy) (2) SJ, x y dx dy ただし, Cy=x2上 (0, 0) から (11) までの経路とする。 ただし, Dx≤1,y≧0、ysxを満たす領域とする｡

すみません。全く分かりません。解答を作って欲しいです。お願い致します。

問題3 図3の回路において、以下の各問いに答えよ。 2) 電流I、I、I を求めよ。 IN 352 R₂ 5) AB間の電位差を求めよ。 I Ri A → W B 12V 図3 252 152 R₂ D 1) 経路 C→A→Dと経路C→B→Dの抵抗値をそれぞれ求めよ。 TITUR 3)この回路全体の抵抗値を求めよ。 4) 抵抗 R1 および R3 における電圧降下量を求めよ。

アナログ耐性変異株によるトレオニン発酵の経路についてどう説明していいか分かりません。分かる方いたら教えてほしいです

(フィードバック阻害) B.flavumは協奏阻害が かからない。 * L-ホモセリン L-トレオニン D-グルコース 1/1300 アスパラギン酸-β-セミアルデヒド 300 A L-イソロイシン L-アスパラギン酸 31- 1 β-アスパルチルリン酸 [アスパルトキナーゼ〕 [ホモセリンデヒドロゲナーゼ〕 アナログ耐性酵素! 2,3-ジヒドロピコリン酸 (265 AR f L-メチオニン L-リシン

ethyl acetate から4-phenyl-butan-2-one の合成方法を反応機構込みで教えて欲しいです。 アセト酢酸エステル合成経路？を使うのはわかるのですが…

ion T ino

この問題がわからないので解いていただきたいです。 よろしくお願い致します

問1. かっこに数字を入れ、 化学式を完成させなさい。 (通常1は省略するが､ここでは記入すること。) (1) () H₂+ ( ) 0₂ → ( )H2O (2) () K+ (______) H₂O → (_____) KOH + ( ) H₂ (3) ( ) C3H8O + ( ) O2 → ( ) CO2 + ( ) H2O 問2. 酸塩基反応である。 かっこに語句を入れて文章を完成させなさい。 (1) 酸と塩基が反応すると、( 化学式を完成させなさい。 (2) HCl + NaOH (3) CO2 + Ca(OH)2 → (4) 2HCl + Ca(OH)2 )() ができる。 1) lom 0.5 (S)

この物理の問題を教えてください

問題3 (光の干渉) T 図2のように、 絶対屈折率がn=1の2枚の平面ガラス (媒質1) の間に厚さdの薄い板を挟み、 その間にできるくさび形の層に絶対屈折率n2=1の媒質2を入れる。このとき図の点Oから距離 だけ離れた点Dの上方にある点Aから光 (単色光) を当てて上から覗き見ると、 図のOQ 間に 「光 が強め合った明線」 と 「光が弱めあった暗線」 の縞模様が現れる。 以下では簡単のために点Aから 出る光は直進するものとし、A→C→Aという経路の反射光1とA→D→Aという経路の反射光2に よる干渉だけを考える。 図のQの長さをL=100dとし、 真空中の光の波長を入 として、以下の 空欄を埋めよ。 また選択肢がある場合には選択肢の番号を書け。 (i) 媒質1における光の波長は、媒質2における光の波長の (13)倍である。 (ii) 反射光1と反射光2の光学距離の差 (14) 倍であり、 また点Aから入射した光が反射 の するときに位相がずれるのは {(15) 1.点C, 2.点D} である。 (iii) 図のOQ間に見える隣り合う明線の間隔は入。 の (16) 倍である。また=375入) の位置に できるのは {(17) 1. 明線 2. 暗線, 3. 明線でも暗線でもない線} である。 A 媒質1 X 媒質2 L Bi 光 D P 媒質 1 Figure 2: くさび形の層による光の干渉。

SN2反応、Sn1、E1、E2の見分け方がいまいちよく分からないので教えて欲しいです。

を作用させた場合にのみ、肌離反応が起こる傾向がある. (HOH), LTV(H. HO) 練習問題 7-18 -ブロモプロパンに, (a) アセトン中でNaCN, (b) メタノール中でNaOCH 3, (c) (CH) COH中で (CH3)3 COK をそれぞれ反応させたときの主要な反応機構をS 2,

6は5よりq＝0になりました。 合っているか教えて欲しいです。 5.6が不安です！

原点 0 を中心とし、 厚さを無視できる、 半径 & の導体球殻 A と A より小さい半径 l2 ( l1 > l2) の導体 球殻 B のふたつの導体球殻上に分布する電荷が作る静電場について考えたい。 初めは、 導体球殻 A に電荷量 Q を与え、導体 球殻 B には 電荷を与えない状態にしておく (下図左側参照)。 その後、ふたつの導体球殻を導線Lでつなぎ、その結 果、初めに導体球殻 A にあった電荷のうち電荷量だけが導線L を通って電流として流れ、 導体球殻 B へ移動して静 止した状態になったとする。 ただし、 電荷の移動後においては、電荷は導線L上には分布せず導体球殻 A から B へ電 荷量αの電荷が移動しただけで、 いずれの導体球殻にも新たな電荷は与えないものとする(下図右側参照)。ふたつの導 体球殻上の電荷分布が作る静電場E'(r) は、 球対称性より、 l₁ B Q と書くことができ、 導線Lによる球対称性からのずれは無視できるとして以下の間に答えよ。 ただし、 r = |r | は、原点 から任意の位置までの距離であり、E'(r) はr=|r| のみに依存する求めるべき未知関数である。 また、 rを半径とし て原点を中心とする仮想的な球の領域をV、Vの境界をなす球面を Sとし､導体球殻と導線以外は真空で、真空の誘電 率を co とする。 なお、 r の値によって分類する必要がある場合には明確に場合分けして解答することとし、 問6は、 問 1から問5 までに対して正確かつ明確な導出が記述されている場合にのみ採点対象とする。 0 O l₂ 基礎物理学B 第2回レポート問題 Tº A E(r) =E(r) T T l₁ B Q-9 q O A l2 L ア 1.位置rにおける球面 S上の外向き単位法線ベクトルnを､rとr≡|r | を用いて表せ。 2. 球面 S を貫く電束を計算し(積分を実行すること)、未知関数 E(r) を含む形で表せ。 3. ふたつの導体球殻を導線Lでつなぐ前の状態における未知関数 E(r) の関数形を求めよ。 4. ふたつの導体球殻を導線Lでつないだ後の状態における未知関数 E(r) の関数形を求めよ｡ 5. ふたつの導体球殻を導線Lでつないだ後の状態において、 導体球殻 A と導体球殻 Bの静電ポテンシャルの差 A-B を線積分によって計算し、gを含む形で表せ。 6. 導体中での静電場の性質を考慮して、 g の値を求めよ。