【数学】非常に困っております。2度も不合格にされており、今回はどうでしょうか。しっかり破線の意味も実線の意味も多分理解出来てます。実線はグラフの濃ゆい方で、破線はてんてんの線です。 どこに破線を作るかは理解出来ていませんが合ってますかね？こちらの解答どなたかよろしくお願い... 続きを読む

とこ y C. 次の2次関数の最大値と最小値を求めなさ 10B. い。 解法の手順は8Aと同様にすること。 [思・判・表] L y=x2-2x-1 (-1≦x≦4) ① y=x2-2x-1 をy=a(x-p²+gの形に変形し なさい。 = (x²-27)-1 = (x²-2x1x)-1 ={x-12-13-1 (x-1)²-1-1 A =(x-2)² - 21 ②x=-1,x=4 のときのyの値をそれぞれ計算 の過程を丁寧に書いて求めなさい。 -1012 | (+ (1) * (-1) 11 07² x ² = (-1) ² x 733. x=-1のとき y=(-1)-2x (-1)-1 =1+2 -1 x=2 x=4のとき g=422×4-1 =16-8-1 長 た 33枚目の解法のポイントを参考にして実線と 線に注意してグラフをかきなさい。

熱力学の課題がわかりません。答えを教えてくれる方いましたら、お願いいたします。

図のように, 単原子分子の理想気体1molの熱機関のサイクルを考える。 気体は状態1から状 態2では断熱圧縮され, 状態2から状態3では圧力一定で加熱され、 状態3から状態4では断熱 膨張し, 状態4から状態では体積一定で冷却される。 状態 1, 状態 2. 状態3における気体の 体積をそれぞれ, V1 [m²], V2 [m²], V3 [m²], 状態1における気体の圧力をか] [Pa] とする。 気 体定数は R〔J/(mol・K)〕, さらに気体の断熱変化においては,圧力が [Pa] 体積 V[m²],比 熱比yの間にかVY = 一定という関係が成り立つとして, 以下の問いに答えよ。 導出過程も記す こと。 圧力 [Pa] 2012 3 V3 4 V1 体積 V[m²]

このラプラス変換の解き方を教えてください！ できれば計算過程があると助かります。

(2)-1 [26] を求めよう -2e-s S-3

この問題が化学基礎のテストで出てきました。 解き方がわからないので解説をしていただきたいです、 よろしくお願いします。(T_T) 正答は (1) A (2) B (3) D (4) C です。

(3) (4) 大間 9. 以下の文章を読み、 問いに答えなさい。 【各2点 計8点&大 芳香族化合物とは、ベンゼン環(構造式:Ph-) という構造を含む有機化合物である。 これらの化合物は、ベンゼン環の疎水性が強いため,一般にはエーテルなどの有機溶媒 中に存在する。しかし、置換基と呼ばれる部位が酸塩基反応を起こして塩に変化すると 電離が起こり、親水性が強くなる。これを利用して、エーテル層に存在する芳香族化合 物の混合物から、それぞれの芳香族化合物を水に溶かし出すことが可能である。 いま、以下の4種類の芳香族化合物がエーテル層に存在する。 (1) ニトロベンゼン(構造式:Ph-NO2) 中性物質 アニリン (構造式 : Ph-NH2) 電離: Ph−NH2 + H2O 安息香酸(構造式 : Ph-COOH) 電離: Ph-COOH → Im0.01.32 P OIL フェノール(構造式 : Ph-OH) 電離: Ph-OH ->> Ph-O + H+ Name: Ph−NH3* + OH - 操作V 水層Dに塩酸を加える。 Ph-COO + H+JIBAT. C) 1500650NISALO なお、酸性の強さは 強酸 > 安息香酸 > 炭酸 > フェノールである。 このエーテル層に対して以下の操作を順におこなう。学 操作Ⅰ 水酸化ナトリウム水溶液を加え、エーテル層と水層を分離。 操作Ⅱ 操作 Ⅰ のエーテル層に塩酸を加え、エーテル層Aと水層 B を分離。 操作Ⅲ 水層 B に水酸化ナトリウムを加える。 1513 de 3.06 W 操作ⅣV 操作Iの水層にエーテルを加え、二酸化炭素を通過させる。 ・そのあと、エーテル層Cと水層を分離。 すべての操作が終了したとき, (1)~(4) の芳香族化合物は,それぞれA~Dの ち、どの層に存在するか。 記号で答えなさい。

このラプラス変換の解き方を教えてください！ できれば計算過程があると助かります。

3 (1)積分法則を用いて L-1 [5(52+2)] を求めよう

量子力学の短形ポテンシャル障壁におけるトンネル効果の透過率を求めているのですが F/Aから|F|^2 / |A|^2の部分を見てください。 どうして分母のAを二乗すると16γ^2k^2の項が出てくるのかさっぱり分かりません。 御教授お願いいたします。

が得られる。 この式 (7.52) を式 (7.50) に代入すると -ikd F 4ikye A [(y+ik) ²e-rd (7-ik) ²erd] (7.53) が得られる。次に、入射波 (Vinc = Aeikz) の確率流れ密度 Jine を計算する。 確率流れ密 度の定義より ħ deincy ħ dvinc ikr ikr ikr -IN ikri

期末テストの過去問で解き方がわかりません。教えていただきたいです。よろしくお願いします。

期末確認テスト (1回目) 問2 課題13 と同じRL 直列回路です。 回路に交流電流 i(t)=1m sin(wt) (=√25 sin (2m×3×10 t)) が流れているとします。 課題13 で求めた結果を基に次の時間波形の1周期分を描いてください。 (1) 電流 (t)の時間波形 (t) (②2) 抵抗 200に加わる電圧の時間波形 VR (t) (3) コイルに発生する誘導起電力 (電圧のことです)の時間波形 v(t) (4) 抵抗とコイルの電圧の足し合わせた電源電圧の電圧波形 v(t) 学籍番号 i=5 i(t) (-3kHz 200 10.5mH 問1に習い、縦軸と横軸の目盛りを正確に書いてください。 氏名 t (sec.)

期末テストの過去問なのですが解き方がわかりません。教えていただきたいです。よろしくお願いします。

問1 【1】 次式で表わされる電圧 Vi, V2, Va の位相関係に注意して時間波形を描いてください。 【2】 電圧V1、V2、V3の周波数f(Hz) および周期T(sec.) を求めよ。 ただし、 3.14とする｡ (1) Vi(t)=sin(314t-/6) [V] (2) Va(t)=2 sin(314t) [ⅤV] (3) V(t)=3 sin (314t-²/3)[V] 【1】 時間波形: 横軸 縦軸の目盛りも正確に V₁(t) V2 (t) 3 V3 (t) 2 1 0 -1 -2 3 -3 2 1 0.000 0 0.000 -1 -2 3 期末確認テスト (1回目) 2 1 0 0.000 -1 -2 -3 20.005 0.005 0.do5 0.010 0.010 0.010 0.015 0.015 0.015 0.020 0.020 0.020 t (Bec) t (sec.) t (sec.)

この問題の答えは3番なのですが、なぜin his youthとhave madeの完了形が一緒に使われているのでしょうか、明らかな過去を表す表現は完了形とは一緒につかえないのではないのでしょうか❓ また、この問題の1番はin his youthと完了形が一緒に使われているか... 続きを読む

38 〔正しい文を選びなさい〕 会主と問 ① It is believed that he has made a fortune in his youth. ② He is believed that he made a fortune in his youth. 3 He is believed to have made a fortune in his youth. ④ He is believed to make a fortune in his youth.

物理学の電磁気学の問題です。やってて全くわかりません。 誰でもいいので式と答えをよろしくお願いします。

軸が鉛直上向きになるように, ryz座標をとる。 空間内には、 磁場がy軸の正の方向に生じている。 一辺の長さがlの正方形の回路を,下端の辺が軸と重なるようにし て 2-2 平面内に配置し, 静かに手を放したところ, 回路は鉛直下向きに落下していった。 以下の問に答えよ。 磁束密度の大きさがBの 部分にだけ, (1) ある時刻において, この回路の下端がz=-L> lの位置にあり、この瞬間の速度がであった。このと きに回路を貫く磁束の大きさと回路に生じる誘導起電力の大きさVを求めよ。 (2) この回路全体の抵抗値がRであったとすると, (1)の時刻において, 回路にはI=V/Rの誘導電流が流れ, この電流は磁場からローレンツ力を受ける。 回路の下端および上端の導線がうけるローレンツ力の方向と 大きさをそれぞれ求めよ。 (3) さらに時間が経過すると, 回路全体が完全に<0の領域に入り込む。 すなわち, z=-L <-lとなる。 このような状態になった以降の時刻において, 回路が落下する速さをvとするとき, 回路を貫く磁束の 大きさと, 回路に生じる誘導起電力の大きさを求めよ。 (4) 回路全体が <0に入り込んだ状態での回路全体が磁場から受ける力の方向を求めよ。 B