（1）教えてください

設問数 10 経過時間 00:02:35 問題 注意:(1)はレポート課題の用紙にのみ回答せよ。(2)から(7)については、このオンラインでの回答とあわせ て、用紙でも回答すること。オンラインか用紙のどちらか一方のみ提出の場合は減点になる。 応用課題1【注意:(1)はレポート課題の用紙にのみ回答せよ。(2)から(7)につい ては、このオンラインでの回答とあわせて、用紙でも回答すること。オンラインか 用紙のどちらかー方のみ提出の場合は減点になる) 以下の図(A)のように、電池Eと抵抗R」.R2.Rgを接続した。R」とRgの抵抗値はそれぞれ R= 1500 とRs = 2202 である。図(B)は閉じた経路abcdefaに沿った電位の変化を示す。 電池の内部抵抗を無視するとき以下の問いに答えよ。 電位[V] 6,0 4.7 0 a b C d e fa (1)この実体配線図に対応する回路図を書け(レポート課題の用紙にのみ書け)。 (2)Eの起電力は何Vか。有効数字2桁で求めよ(求め方はレポート課題の用紙に書け)。 V (3)R1.R2.R3の電圧降下はそれぞれ何Vか。有効数字2桁で求めよ(求め方はレポート課題の用紙に 書け)。 R」の電圧降下: y R2の電圧降下: |v Rgの電圧降下: V (4)R」.R2.Rgに流れる電流はそれぞれ何mAか。有効数字2桁で求めよ(求め方はレポート課題の用 紙に書け)。 R」に流れる電流: mA R2に流れる電流 Raに流れる電流: mA mA (5)R2の抵抗値はz× 10° Qである。数値 zの値を有効数字2桁で求め、以下の空欄に入力せよ (求め方はレポート課題の用紙に書け)。 ×10° 。 (6)R」とRgの合成抵抗は何Qか。有効数字2桁で求めよ(求め方はレポート課題の用紙に書け)。 Q (7)回路全体の合成抵抗は y× 10°0である。数値yの値を有効数字2桁で求め、以下の空欄に入 力せよ(求め方はレポート課題の用紙に書け)。 ×10° o 中断(一時保存) 次へ

電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません！教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

電子回路についてです。課題1のところがわかりません。教えてください。

15:49 完了 電子回路|_11_トランジスタ増幅回… 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(2/5) 【例題6.1】 コレクタ接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式 【解】(エミッタ接地) E接地の入出力電流·電圧(,, Ve。)は, E接地 のh定数(hhhh)を用いて次式を満足する。 V= h, +h。v。…O …2 oC B Ve 一方、C接地の入出力電圧(VV。)と出力電流()は E接地の入出力電圧(VV)と出力電流()との間に 次式が成立する。 E OE (コレクタ接地) V= V -V。…3 V。=-V。 …の 3のをのに代入. V-V。= h, +h。(-v.) のSをのに代入. v i。 BO V。= hi, + (1-h。)V.… Vae Ve。 C Ve。 =-(1+h。);+hov… V= h.i, + h。V。 =hei, + hV。 h。= (1-h。) h。=-(1+h。),h = ho。 h,=h。 6のと、 を比較して、 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(3/5) ベース接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式. (エミッタ接地) V = h, + h。v。…O ;= h,+h。。…の 【課題1】 前頁の【例題6.1】を参考に、 下記の変換式(6.7)を導け。 oC h。 BO V。 Ve h= EO E (ベース接地) …3 …の h,ha t ho(1-h,) Ve = V』 -V。 h。= V。 V =ーV。 『ce Eo oC ら=--。 h h。= V|| Vhe Veb BO oB V。= h+hV。 = h+hV。

電磁気学の問題です。 これの( 3 )のやり方が分かりません。 どなたか解説してほしいです。 大至急お願いします。

【問 1】以下の各問に答えよ.この際,答えだけでなく,根拠となった法則·式を書くこと、 (1) 2軸正の向きに一様な磁場2.0Tが存在する空間内を,電子が e軸正方向に速さ3.0× 10° m/s で運動しているとき,電 子が磁場から受ける力の向きと大きさ Fを答えよ。 (2) B= (1.5i + 2.0j) T で与えられる磁場中に,速度v= (2.5 × 10*i) m/s の電子が受ける力Fを求めよ。 (3) 磁場および電場が B= (1.0i - 1.0j - 2.0k) T, E= (1.0i + 1.0k) V/m である空間に,速度v= (3.0j + 2.0k) m/s で 運動する電荷q= -2.0 C が受ける力を求めよ。

答え教えてください🙇‍♀️

単位の変換をせよ。 V 1mV %3

問2-(2)の質問です。 Vpが微小、つまり0に近似できると判断できる根拠を教えてください！

問2 図2のように,ピストンを一 2図2のように,ピストンを一 定速度opでx軸の正方向へ ゆっくりと移動させる場合 を考える。以下の問いに答 えなさい。ここで,分子同 士の衝突はないと仮定する。 なさい。 シリンダー ビストン Vズ →p >X e ■図2 1) ピストンと衝突した後の分子速度のx方向成分がょをひx,Upを用い て表しなさい。

2枚目は解説なんですけど、その1行目の式がどうやって出るのか教えて欲しいです！よろしくお願いします

129* 3点A(-1, 1+2、3), B(1, 1), C (2, 1+ 3) がある。 (1) 内積AB·AC, BC.AB, CA .CB を求めよ。

振動の量子数ｖ＝０，ｖ＝1，ｖ＝2，ｖ＝3の振動エネルギーをそれぞれ0hν，1hν，2hν，3hνとする。1000個の分子からなる系で，全エネルギーが4 hνとすると，3hνが1個，1hνが1個のときの微視的状態の数W1は9.99×10^5， 2hνが2個のときの微視的状態... 続きを読む

振動の量子数ｖ＝０，ｖ＝1，ｖ＝2，ｖ＝3の振動エネルギーをそれぞれ0hν，1hν，2hν，3hνとする。1000個の分子からなる系で，全エネルギーが4 hνとすると，3hνが1個，1hνが1個のときの微視的状態の数W1は9.99×10^5， 2hνが2個のときの微視的状態... 続きを読む

7.1、7.2の解き方を教えて頂きたいです。

基本問題> 7.1 次の複素数表示のインピーダンス Z を極表示 ZZ0zの形に変換せよ. (2) Z = 10-j17.32 [2] (1) 2=3+j4 [2] (2) 2= 10-j17.32 [] 7.2 次の複素数表示の電圧 Vをフェーザ表示VZOv の形に変換せよ。 (2) V= V3+j[V] (5) V= 10 + j5 [V] (8) V= -20 -j20 [V] (1) V=1+jv3 [V] (4) V=-1+j[V] (7) V=-6+j8 [V] (3) V=1+j[V (6) V=5-j10[V]