学年

教科

質問の種類

物理 大学生・専門学校生・社会人

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

回答募集中 回答数: 0
物理 大学生・専門学校生・社会人

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP、 r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

回答募集中 回答数: 0
化学 大学生・専門学校生・社会人

大学の化学の問題です!!解説つきで答えを教えていただけるとありがたいです!!😭😭😭

3. 次の配位化合物 (a)~(1)についての間 (1)~(4) に答えよ。 (a) ヘキサアクア鉄()硝酸塩 (b) ジクロロビス (1,2-ジアミノエタン) コバルト (ID) イオン (c) トリクロロトリス (トリエチルホスフィン) イ リジウム ( (d) [Ru(bpy) } (e) [Cr(ox)] (f) テトラブロミド銅(II)酸イオン (g) テトラカルボニルニッケル (0) (h) [Zn(py): Clz] MILON, (i) テトラシアニドニッケル(II)酸イオン ⑥ジアンミン (オキサラト) 白金(II) (k) [IrH(CO)(PPha)2] (1) [Pd(gly):] (1) (a)~(c) (1) (g)の化学式を記せ。 ただし、 ルテニウムおよびイリジウムの元素記号はそれぞれ Ru と Ir であり、 1,2- ジアミノエタン (慣用名: エチレンジアミン)、エチル基は略号を用いてもよい。 (2) (a)~(e) は八面体形、(f)〜(h) は四面体形、(i)~(1)は平面四角形の化合物である。 (a)~(1) の化合物中、 幾何異性体、 光 学異性体 (鏡像異性体) が存在しうるものを選び、 解答欄に(a)~(1)の記号で答えよ。 (3) 八面体形の化合物 [MA-B2C2] (M:中心金属、ABC 配位子) には何種類の幾何異性体が存在するか。 ただし、 対の鏡像異性体は一種類の幾何異性体と考えよ。 (4) 八面体形の化合物 [MA3BC] (M:中心金属 ABC 配位子) の可能な異性体 (幾何および鏡像異性体) をすべて図 示せよ。

回答募集中 回答数: 0
化学 大学生・専門学校生・社会人

大学化学の問題です。フロスト図、ラチマー図、命名に関する問題です。お手数なのですが解説ともに解答教えていただきたいです。お願いします🙇‍♂️

2. 酸性 (pH=0) または塩基性 (pH-14) 水溶液における窒素のラチャー図を次に示す。 間 (1)~(5) に答えよ。 +5 +4 +3 +2 +1 0 -2 -3 +1,07 +1,00 +0.80 ① NO.. → N2O4 +1.59 NO - -1.87 +1.41 +1.28 HNO2 +1.77 NO. N₂ NH,OH' — NgHs — NHẬ +0.79 -0.86 +0.87 -0.46 ②NON2O NO2 NO +0.94 -3.04 +0.10 N₂O +0.73 → N2Ha → NH OH NH₂ N₂NH₂OH 1,097 +1.57 141554299 (1) ①について、次の表の空欄を埋めよ。 (+5 4410.80 酸化数 N -3 -2 -1 0 +1 +2 +3 +4 +5 VE° (V) 10.27 -0.38 +1,45+1. +1.87 0 +1.77 AT f 1.16 141.25 0,82 I 0.46 (2) ①と②のどちらが酸性溶液か。 理由と共に答 えよ。 (3) 酸性溶液と塩基性溶液のどちらでも、不安定な酸化状態は−2 ~+4のうちどれか。 (ヒント: ①② について、ともに一電子 酸化還元を受けやすい酸化状態を探せ。) (4) 水酸化ナトリウム水溶液にN2O (気体) を通 じた。 どのような反応が起きるだろうか。 化 学式を示せ。 (5) アニリンのジアゾ化反応は高校化学の教科書に「アニリンを 冷やしながら、 塩酸と亜硝酸ナトリウムを反応させる」 と記 述されている。 この際、 アニリンに塩酸と亜硝酸ナトリウム を混ぜてから加えるべきか、それぞれ独立に加えるべきか。 それはなぜか。 1.07

回答募集中 回答数: 0
数学 大学生・専門学校生・社会人

統計学の知識ある方、以下にある式の導出方法分かりやすく教えていただきたいです。 分かるところだけでも教えてくれると嬉しいです😭 ちなみにこのサイトは、 統計学入門 http://www.snap-tck.com/room04/c01/stat/stat0001.html こ... 続きを読む

19:56 1 allệ (注3) 相関分析と同様に回帰分析の場合も信頼区間を求めることができま す。まずyの推測値の信頼区間は次のようになります。 この信頼区間は母集 団のy推測値の100(1-α) % が含まれる範囲を表し、信頼限界と呼ぶことが多 いようです。 y=a+b=(my-bmx)+bx = my+b(z-mz)→(j-my)=b(x-mz) VR VR V(j-my) = V(j)+V(my)-2C(j,my) = V(g) + -2 = V(y) - VR =V n n n =V(b(z-mx))=(x-m²) 2V(b)=(x-m²) 2VR S エエ (x - ₂)² 2V (6) - Vx{1+ (².²} =VR n S x=X0の時のy推測値の100(1-α)% 信頼限界: U Dol=a+bro ±t(n-2,a) VR -2,0)√| V₁ { 1/2 + ( 2 = m₂) ² } n S エ mx:xの標本平均 Sxx:xの平方和 VR : 残差分散 VR C(jj,my) = y推定値とmyの共分散 t(n-2, α): 自由度(n-2)のt n 分布における100α%点 この100(1-α)% 信頼限界において、x=mxの時の値を計算すると次のように なります。 VR ŷOL =a+bm±t(n-2,0) VR・ -2,0) √/ VR { 1 1 1 + (m₂ - m₂)² S エエ 2²}. =my±t(n-2,a)V n n これは値と残差分散が少し異なるだけで、 平均値の信頼限界(信頼区間) とほ ぼ同じ式であることがわかると思います。 つまり回帰直線は平均値を2次元 に拡張したものに相当し、 y推測値の信頼限界は平均値の信頼限界を2次元に 拡張したものに相当することになります。 次にyの信頼限界を求めてみましょう。 もしaとbに誤差がない、つまりy推 測値に誤差がないとすると次のようになります。 これが許容限界になりま す。 V(g) = V(g+c)=V(e) =VR x=x0の時のyの100(1-α) % 許容限界: gol =a+bro ±t(n-2,a)VVR you x=mxの時: gol = my±t(n-2,a) VVR しかし実際にはaとbには誤差があるので次のようになります。 これが棄却 限界です。 回帰分析の場合は棄却限界のことを予測限界 (prediction limit)と 呼びます。 (x-²)) S エ n n SII V(g+c)=V(g)+V(c) +2C(j,c)=VR /R { 1 + (*² =− m ₂) ² } + V₁ + 0 = VR { 1 + 1 2 + ( x − m ₂ )² ]} x=X0の時のyの100(1-α) % 予測限界: 1 (x-m₂)² yoz=a+bro ±t(n-2.0)/VR =t(n-2,α) √ -2,0) √/V₁ { 1 + 1 + n S エ U x=mxの時: yol = my ±t(n-2,a) 2, a) √/ VR (1+1) VR (1+ 安全ではありません - snap-tck.com

回答募集中 回答数: 0