一応全部は解いたのですが…あっているか見てほしいです💦

11 電磁力 ポイント 1 10 cm?の断面積をもつ磁路に, 0.25 × 10-4 Wb の磁束が通って ○磁東密度 いる場合,磁束密度B[T]はどれだけか。 B=T 0.25x 10 TO =0.25×10-2 ○導体に働く力 lo-20 F= BIlsin0 2 磁東密度が0.5Tである磁路の磁束の[Wb] がどれだけか。 た 0は磁界の向 導体の傾き だし, 磁路の断面は円形であり, その半径は2cmである。 0.5 - l00 : * 2-100 A. 100wb 3 下図において, 電磁力の方向を矢印で示せ。 メ

⑴のQの値は0ですかね？ もしよろしければ理由まで教えて頂けると助かります🙇‍♂️

. 図2のように,半径がそれぞれ a, bの2つの球殻導体を中心が一致する ように置き,その間に誘電率gの誘電体を挿入した。内球と外球を一一度接地 した後,電圧Vの電池の正極を内球に,負極を外球に接続した。以下の問い に答えよ。 (1)内球に存在する電荷Qを求めよ。 (2) 球の中心からの距離がr(asrsb)の点における電界Eを求めよ。 (3) 内外導体間の静電容量Cを求めよ。 b a

電磁気学の問題です。 1.（1）と　2. （2）の問題がわからないです。 賢い方々解説お願いいたします🙏 1.（1）平衡状態における導体球内には静電界が生じないことを重ね合せの原理を用いて計算によって示せ（ガウスの法則を用いずに） 2.（1）2本の直線状平行導線... 続きを読む

解説お願いしたいんですけど…誰か助けてくれませんか( ˊᵕˋ ;)💦

半径a[m]の導体球Aと、半径b[m]およびc[m]の厚さの無視できる導体球殻 B、Cが図のように配置 されている(a<b<c)。導体球殻Bには電圧 Vo [V]の電源が、導体球殻Cには電圧 [V]の電源が接続 されている。ただし、これらの電圧の関係は、学籍番号の下一桁が奇数の場合は(Vo> Vi> 0)、偶数の場 合は(0< o<V)の関係である。以下の問いに答えよ。なお、計算過程と単位を明記すること。 (1) a<r<bの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V(r)を求 めよ。 (2) b<r<cの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V(r)を求 めよ。 (3) c<rの領域における電界分布 E(r)と電位分布 V()を求め、 全領域における電界分布と電位分布を図示せよ。 (4) 導体球Aと導体球殻Bの間の静電容量C[F/m°]を計算せ よ。ただし、導体球Aと導体球殻B、Cのそれぞれの半径 は、a=1[mm]、b=2+x [mm] (x は、学籍番号下一桁の数 字)、c= 20 [mm]とする。解答には、真空の誘電率 20の記号 を用いても良い。 V[V] Vo[V],

親切で賢い方…解説して頂けないでしょうか…!!!

図のように、真空中に半径a [m], b [m] (a < b)の無限に長い同 軸円筒を考える。円筒軸からの半径をr[m]とする。a<r<bの 空間には一様な電流密度」 [A/m3] の電流が流れている。このと き、以下の問いに答えよ。 b (1)空間の磁界分布を計算しなさい。 (2) x=c[m](b <c)において、速度p= zvz [m/s]の速度で運動 している電荷q[C]が受ける力を向きとともに答えよ。 (3)今、asrsbの空間が抵抗率p [2. m]の導体で見たされた とする。その場合、x-y面に電極を付けるとして、z= 0 [m],d [m]の範囲の長さd [m]の抵抗を求めよ。 (4)(3)の抵抗値を次の値を使って計算せよ。 Z *p=π * a: 学籍番号の下1桁目(例:201234 の場合、4なので、a= 4) * b: a+1+学籍番号の下から2桁目(例:201234 の場合、3なので、b=4+1+3= 8) * d: 学籍番号の下から3桁目+1(例: 201234 の場合、2なので、d=2+1= 3)

この2問、教えてください！！ 7/25まで！！！

R R。 1.右図に示す4つの抵抗 Ri, R2, R3, R4 からなる回路で、 AからBに電流1 を流した。S のオンオフにかかわら ず電流1が一定になるための条件を 求めよ。 A S 「B R2 R。 (注、S がオンの時の合成抵抗とオフの時の合成抵抗が等しくなることを利用して解く。または、 S の両端 で電位差が所持ないことを利用して解く) 1. 半径 a.b (a<b) の同心の導体球殻 A,B があり、両球 殻に挟まれた空間が、電気伝導率のの電解質溶液で満 たされている。A.Bをそれぞれ正負の電極にして電流 を流した時の電気抵抗を求めよ。 B (注、授業の例題で説明した筒状の導体容器に満たした電解質溶液の電気抵抗を求める問題と、 解決の方針 は同じである。筒状の導体容器の場合は筒に垂直に放射状に電流が流れたが、 同体球殻の場合は、 点電荷 の作る電気力線のように、 中止がから均等にすべての方向に放射状に電流が流れる。 2つの導体球殻の間に 中心の等しい球面 (閉曲面) を考えると、 全電流は球面を貫くので4m()となる (i(r)は電流密度)、 よっ て電場は E(r)-())aから求めることができ、 電極間の電位差を計算すれば電気抵抗を算出できる

この10個をマズローの欲求階層説に分類すると、どうなりますか？

標準 行間詰め 見出し1 テーション ター AO - 田。ベ エディタ 音声 スタイル 段落 三例:大学講義演習受講,資格対策, 課果外活動, アルバイト, 友人知人関連, 趣味活動など。 めやすとして,のべ5時間以上の時間をかけたことを中心に。 ○以下に示す 10個の例は、全て5時間以上取り組んできたことである。 1 パソコン教室で MOS 検定の資格取得に向けて一生懸命学習した。 2 高校時代の頃、担任の先生に AO 入試の小論文指導をしてもらい、何度もやり直しされた。 3基礎演習の時間に、 みんなの前で初めてプレゼンをした。 4 情報モラルとセキュリティ、 マーケティング概論の講義を受講し、 論理的に筋道を立てて説得力のあるレポートが書 けるようになった。 5 高校時代、大学入学時に一生涯の友達 (多くの困難や、 悩みがある時に助けてくれる人)ができた。 6 中学生の修学旅行で、2泊3日で京都·奈良に行き、 様々な人たちと時間を共有する大切さやー 自分たちのために多くの人が協力してくれることを学んだ。 7 小学校の頃、 習い事で地元の空手道場に通い、 空手の稽古 (例: ミット打ち、 基礎トレーニングなど)をしたことに よって、痛みや苦しさを経験し、 それらを乗り越えることで強くなっていくことを学んだ。この経験から単に強い身体や精神 を鍛えただけでなく、 周りの人に対する感謝の気持ちや礼儀義が身に付いた。 ※現在は持病を抱えているので、 空手はやっていない。 8 情報大の AO入試当日、 面接官が個人面接を行い、その質問に対して正確に回答できた。 9 通信制高校に通っていた頃、 清掃ボランティア活動が実施された。 グループに分かれて、 協力しながらごみ拾いを行 った。 10 上記と同じと真に、 校外学習が東京の博物館で行われ、 シリコンバレーにおける半導体、 コンピュータ産業の発展な どを鑑賞し、チームで課題に取り組組んだ。 ロフォーカス F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 F10 F11 F12 PrtSc 回/ロ 図 SysRq あ う え お "3あ や ゆ よ 4う '5え 7や 8ゆ 9よ 00 Home 7 8 PGUp 9 | い Eい Rす Tか Y. 2く D 0 n in

この10個をマズローの欲求階層説に分類すると、どうなりますか？

標準 行間詰め 見出し1 テーション ター AO - 田。ベ エディタ 音声 スタイル 段落 三例:大学講義演習受講,資格対策, 課果外活動, アルバイト, 友人知人関連, 趣味活動など。 めやすとして,のべ5時間以上の時間をかけたことを中心に。 ○以下に示す 10個の例は、全て5時間以上取り組んできたことである。 1 パソコン教室で MOS 検定の資格取得に向けて一生懸命学習した。 2 高校時代の頃、担任の先生に AO 入試の小論文指導をしてもらい、何度もやり直しされた。 3基礎演習の時間に、 みんなの前で初めてプレゼンをした。 4 情報モラルとセキュリティ、 マーケティング概論の講義を受講し、 論理的に筋道を立てて説得力のあるレポートが書 けるようになった。 5 高校時代、大学入学時に一生涯の友達 (多くの困難や、 悩みがある時に助けてくれる人)ができた。 6 中学生の修学旅行で、2泊3日で京都·奈良に行き、 様々な人たちと時間を共有する大切さやー 自分たちのために多くの人が協力してくれることを学んだ。 7 小学校の頃、 習い事で地元の空手道場に通い、 空手の稽古 (例: ミット打ち、 基礎トレーニングなど)をしたことに よって、痛みや苦しさを経験し、 それらを乗り越えることで強くなっていくことを学んだ。この経験から単に強い身体や精神 を鍛えただけでなく、 周りの人に対する感謝の気持ちや礼儀義が身に付いた。 ※現在は持病を抱えているので、 空手はやっていない。 8 情報大の AO入試当日、 面接官が個人面接を行い、その質問に対して正確に回答できた。 9 通信制高校に通っていた頃、 清掃ボランティア活動が実施された。 グループに分かれて、 協力しながらごみ拾いを行 った。 10 上記と同じと真に、 校外学習が東京の博物館で行われ、 シリコンバレーにおける半導体、 コンピュータ産業の発展な どを鑑賞し、チームで課題に取り組組んだ。 ロフォーカス F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 F10 F11 F12 PrtSc 回/ロ 図 SysRq あ う え お "3あ や ゆ よ 4う '5え 7や 8ゆ 9よ 00 Home 7 8 PGUp 9 | い Eい Rす Tか Y. 2く D 0 n in

電磁気学の問題です 外半径a、内半径bの円筒導体に、半径cの円柱導体が、z軸を共軸にして置かれている。 内導体には電流Iをz軸方向に、外導体にはIをz軸負方向に流すとき、点(0.r.0)における磁束密度を求めよ という問題なのですが、ビオサバールの法則を使うことは分か... 続きを読む

この問題12について質問です。 より反応性が低い ⬇ 共鳴寄与体になりにくい ⬇ カルボニル基が二重結合のままになりやすい ⬇ 二重結合は単結合に比べれば結合が強い ⬇ (写真の式を見ると)結合が強いほど波長が長いので、 v＝fλの式を考えれば、波長が長いほど、振動数は少... 続きを読む

16.6 カルボン酸とカルボン酸誘導体の反応性の比較 求核付加-脱離反応には,四面体中間体の生成とその四面体中間体の分解の二 段階があることを学んだ、アシル基に結合している塩基が弱ければ弱いほど(表 16.1), 両段階とも進行しやすくなる。 脱離基の相対的塩基性 最も弱い! 塩基 CI < OR=OH < NH, 最も強い 塩基 それゆえ,カルボン酸誘導体は次の相対的反応性をもつ。 カルボン酸誘導体の相対的反応性 cf O 0 0 最も反応性 |が高い R CI R OR' *OH > R R -NH2 最も反応性 が低い 塩化アシル エステル カルボン酸 アミド アシル基に弱塩基を結合させると,どうして求核付加-脱離反応の一段階目が容 易になるのだろうか.鍵となる要因は,Y上の孤立電子対がどのくらいカルボニ ル酸素上に非局在化しているかである。 弱塩基は自分の電子をほかに与えにくい性質をもつ、したがって、 Yの塩基性 が弱いほどY上に正電荷をもつ共鳴寄与体の寄与が小さくなる。さらに, Y = CIのときには,塩素上の大きな3p 軌道と炭素上のより小さな 2p軌道との重な りが小さいため,塩素の孤立電子対の非局在化が最小となる.Y上に正電荷をも つ共鳴寄与体の寄与が小さくなればなるほど,カルボニル炭素はより求電子的に なる。このようにして弱塩基はカルボニル炭素をより求電子的にし,求核剤に対 する反応性を高めているのである. 相対的反応性 R R y+ ステル~カル カルボン酸あるいはカルボン酸誘導体の共鳴寄与体 問題12◆ a. 次の化合物のうち,カルボニル基の伸縮振動の最も高振動数(高波数)なものは どれか:塩化アセチル, 酢酸メチル, アセトアミド b. カルボニル基の伸縮振動の最も低振動数(低波数)のものはどれか。