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公務員試験 大学生・専門学校生・社会人

解答に書いてある黄色で囲った得点の答えの出し方がよく分かりません。 教えてください。

A B C D 勝 敗 分 得点 A BA C D X 条件アより、Bは少なくとも1勝したが, それが対Dなら, Dは3敗となり,条件ウ A BA CD △ × よって、BはCに勝ち、CはBに敗れる。 A B C D 勝敗分 得点 △ O LX × O A BA COX D × < O X 10 条件エより,AとCの差が2点だが,上 表では, Aが4点Cが3点で1点差であ る。 もし, A-C戦が引き分けなら, 差は1 点のままなので条件に反す。 AがCに勝て ば, 差は1+3=4 (点) となり, これも条件 に反す。 よって, AはCに敗れ,CはAに 勝った。 EA O A 4+0=4、 C3+3=6 A B C D 勝 敗 分 得点 × ○ 1-1-1 4 × 差 2 ○ 2-1-0 6 条件ウより, Dは対Bに敗れることはな い。 DがBに勝てば, BがDに敗れ, 得点 が4点のままで, Aと同点になり、条件エ に反す。 よって, DとBは引き分け, 戦績 CALENT と得点は次表のとおりとなる。 A B C D 勝 敗 分 得点 4 1-1-1 OA 1-0-2 5 ○ 2-1-0 6 0-2-1 1 A xO1- A BA COX DXA X 以上より,確実に言えるのは 「CとDの 最終的な勝ち点の差は5点であった。」で ある。 【No.153】 正答 2 ●Pが 「Qは正しい」 と言うときの条 件について Pが正しいとき→Qは正しい Pが正しくない Qは正しく とき ない いずれの場合も, PとQは正しいか正しくないかが 一致する (同じ立場)。 ●Pが 「Qは正しくない」 と言うとき の条件について ← Pが正しくない とき (54) Pが正しいとき← Qは正しく ない →Qは正しい いずれの場合も PとQは正しいか正しくないかが 反対になる (反対の立場)。 条件より, A「Bは正しい」AとBは同じ立場 BとCは反対 B 「Cは正しくない」→ の立場 C「Dは正しくない」 CとDは反対 の立場 D「Aは正しい」→DとAは同じ立場 よって、正しいか正しくないかをグルー プに分けると,

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物理 大学生・専門学校生・社会人

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP、 r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

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