この1〜4の問題お願いします🙏🏼🙏🏼

3. Answer the following questions. 1 What is the difference between UNIX and Linux? 2 3 4 Choose one of the words in italics in the text. What is the definition of the word you have chosen? What are the three levels of a Linux system? What are the two main functions of the kernel? [Reading Text] UNIX was initially developed by researchers at Bell Labs in the 1970s. Today, UNIX and its variants are widely used mainly on servers. By far, the most well- known UNIX-like operating system is Linux. Linux is available in different distributions which include the Linux kernel and different collections of software. These distributions have various user interfaces, many experienced users preferring the command-line interface, or shell. Linux distributions include a range of software including text editors. memory. While the mechanics of Linux and other Unix operating systems are complicated, the components of a Linux system can be grouped into three levels. The lowest level is the hardware, such as Central Processing Unit (CPU) and The next level is the kernel. It enables communication between hardware and software, by providing instructions to the CPU and other hardware. The programs that are running on the system, or processes, make up the top level known as the user space. Processes in user space generally only have access to a restricted amount of memory and operations, this is called user mode. The kernel runs in kernel mode which allows it unrestricted access to hardware resources. The kernel provides functions such as process management and memory management. A computer only has limited Random Access Memory (RAM) and processor cores. Process management allows the system to run multiple programs (processes) at the same time even if the CPU can only execute only a few processes at a time. Memory management allows applications to share the system's memory while avoiding potential issues such as memory leak. Included with the kernel are device drivers that provide an interface for applications to communicate with hardware, such as hard drives. System calls allow user processes to access features that are executed at kernel mode, for example creating new processes.

aはできてます、b.cの途中からの変数分離の仕方がわかりません教えて下さい！

ⅣV 静的粘弾性について、下図に示す3要素モデルについて、(a)〜 (c) の質問に答えること。 (a) 運動方程式をたてること。 (b) 初期値 Sinitial で のリラクセーションについて応力の関数を求めること。 (c) 初期値 Onitial でのクリープについてのひずみの関数を求めること。 3要素モデル 応力 : 0 ひずみと 0と1番目のばね係数 : Go G1 1番目の粘性係数: 71 t G₁ Y 一定のひずみ Jiniticl (b) 0 = G₁ (8-G₂ ) + 1/ ₁ G = G₁(Tinitial-Qo) + 1₁ d (Twenthe) (initial (G₂) O = G₁ Tinitial - 0 G dia d(8-G₂) Gi Go dr initial de Girinitial +1₁ de dt +n, dinital - (11)(10) dt = 0 + 0. (a) GO OUTHE To t Voigt モデル部分のひずみをお 全体のひずみは 8= Go & Voigt Ti Oo x 0 ₁# BUT 0 (1 - 2) と Go = Go To ①と②よりお (0) ( (2) (2) (7) G₁ Go 110 G₁Tinitial = 0+01+ (1) (d) 1 Go 6 = Goto To: T-T₁ = Go (T-0₁) Go 6. G₁, +₁ ² = G₁ (2-0) 17₁ dri de + je d(0-0)

aは解けてます。b,cは書いてるところまでは出来ているのですが、その後ができません。どなたかお願いします

Kirchhoff nesto (sij) Sij = I² F To Ao ↓5× Y G₁ 3要素モデル 応力:0 ひずみと 0と1番目のばね係数 : Go G1 0 = Green E₁₁ = ((+)²-1) = 0.22 Almansi en = (1-(²0)²) = 0.153 ⅣV 静的粘弾性について、下図に示す3要素モデルについて、(a)~(c) の質問に答えること。 (a) 運動方程式をたてること。 (b) 初期値 initial で のリラクセーションについて応力の関数を求めること。 (c) 初期値 Critial でのクリープについてのひずみの関数を求めること。 1番目の粘性係数 : n B: t 一定のひずみ Jinitial (₁ 6= G₁ (8-8) + 1₁ 1(7-2) de G = G₁ (Tinitial-as) + 1₁ d (Trest - The) (Tinitial- Go) dt 2 12 TO 5 = G₁ Tinitial - 0 Gi Ga + ni 2 definitol (1)(d) dt 12 To 5 1000 mm)² = 0.33 MPa m (a) GO OUT HE To Voigt モデル部分のひずみをお 15149252127 8=86 +87 Go x Voigt T Oox O₁# BUT G (= -2) と Go = Goro Q ①と②よりお Girinitial +n, drinitial = 0101 + (2) (1) 4 (P) Gi + 0. t de Go G₁Vinitial = 0 + 0 + (1) (d) 1) Go ( G = Goto = Go (T-0₁) Go G=G₁ 8₁ +1₁ dr. To: r-r₁ d(7 %) Go = G₁lt-&)in, der + Go

電磁気学の問題になります。 問3以降全く分かりません。教えていただけると助かります。

真空中で円周にそって流れる電流 (円電流) がつくる磁場, および, 円電流と等価な磁気モーメントについて 考える. 一般に,真空中で電流素片Ⅰds が距離 R だけ離れた点につくる磁束密度 dB は dB = Ho Ids x 4π R² で与えられる (ビオサバールの法則) ここで, Mo は真空の透磁率,Iは電流の大きさ, ds は電流の方向に とった微小変位ベクトル, hは電流素片からその点に向かう方向の単位ベクトルである. (1) 下図 (a) に示されるように、座標原点を中心とする π-y平面上の半径aの円周にそって図に示された方 向に電流Iが流れているとき, 点A(0, 0, h) における磁束密度の向きと大きさを求めよ. ただし, ん > 0 とする. (2) 下図(b)に示されるように、座標原点におかれた大きさがpでz軸方向の磁気モーメントが,点A(0, 0, h) に作る磁束密度の向きと大きさを求めよ。 ただし, 磁気モーメントとは正負の磁荷の対が微小な距離だ け離れているものであるが, んはその距離に比べて十分大きいとする. 問 (1) と問 (2) の結果より, 半径aの円電流Iは,十分遠方からみると, 大きさがHoTa²Iの磁気モーメント と等価であると考えられる.このことを利用して,次に, 真空中で円運動する荷電粒子について考える。 ただ し, 古典力学の範囲で考えることとし, この円運動による電磁波の輻射は無視できるとする. (3) 座標の原点に電荷g (> 0) が固定されている。 下図 (c) に示すように、質量がmで-gの電荷を持つ質 点が, g-y平面上で原点の周りを図に示す方向に一定の角速度で円運動している. この円の半径をと する. この質点の円運動を円電流とみなすことにより, 十分遠方からみた等価な磁気モーメントの向き と大きさ on を求めよ。 ただし, 真空の誘電率を e とする. (4) 下図 (d) に示すように、 磁束密度が B (> 0) で軸方向の一様な弱い磁場中で、 問 (3) と同じ問題を考 える ただし, 質点の円運動の半径は問 (3) と同じと仮定する. このときの十分遠方からみた等価磁 気モーメントの大きさを Pen とし, Apo PeB-Poo をBの1次までの近似式として求めよ. 2 •A(0,0,h) Z •A(0,0,h) y Pr (b) C 2 dan dal g 'T

この問題に対してこの回答だと何点貰えますか？

問3 下線部について, あなたは Ms. Ellen に, あなたが自由時間にすることについて英語で紹介 する文を書きます。 [条件] に従い, Ms. Ellen に伝わるように. TA に3文以上の英文を 書いて、紹介する文を完成させなさい。(6点) 紹介する文 Today, I'm going to tell you about my favorite things to do in my free time. Thank you. [条件] A ① 1文目は,あなたが自由時間に行うことを. I like に続けて、 解答欄の① に書き なさい。 ② 2文目以降は, ① について具体的に.2文以上で解答欄の② に書きなさい。 (以上で問題は終わりです。)

英語得意な方！大至急お願いします！！！ 好きなスポーツで英語のスピーチを考えているのですが、もっと文章を増やしたいのと、変な部分を直して頂きたいです。よろしくお願い致します。 水曜の朝7時までに教えて頂ければ幸いです。宜しくお願い致します！！ 私のお気に入りのスポー... 続きを読む

(a)なのですが、LiではなくてMgはダメですか？

15.6 10. OH 11928 (b) CH3CH₂CH₂CHCH₂CH₂CH3 (c) 練習問題 8-16 炭素数 4. (a) CH3(CH₂)4OH OH C(CH3)3 -OH 8-8 F

この213の、⑷と⑸を教えて貰いたいです！🙇‍♀️ 答えは、⑷-ウ・⑸-エです！

213 次の各英文について、文法的または語法的な誤りを含む下線部をア~エから1つ選び,記号で答えな さい。 <開智> (1) We're looked forward to seeing you here next year. ア イ ウ I (2) Takaki, my younger brother usually brush his teeth three times a day. イ ウ I ア (3) I would like you to cut this long rope by a knife on the table. ア イ ウ I (4) Visiting a lot of foreign countries are interesting for Japanese students. ア イ I (5) Don't forget to turn off the lights when you will leave the room. ア イウ I LIS

6は5よりq＝0になりました。 合っているか教えて欲しいです。 5.6が不安です！

原点 0 を中心とし、 厚さを無視できる、 半径 & の導体球殻 A と A より小さい半径 l2 ( l1 > l2) の導体 球殻 B のふたつの導体球殻上に分布する電荷が作る静電場について考えたい。 初めは、 導体球殻 A に電荷量 Q を与え、導体 球殻 B には 電荷を与えない状態にしておく (下図左側参照)。 その後、ふたつの導体球殻を導線Lでつなぎ、その結 果、初めに導体球殻 A にあった電荷のうち電荷量だけが導線L を通って電流として流れ、 導体球殻 B へ移動して静 止した状態になったとする。 ただし、 電荷の移動後においては、電荷は導線L上には分布せず導体球殻 A から B へ電 荷量αの電荷が移動しただけで、 いずれの導体球殻にも新たな電荷は与えないものとする(下図右側参照)。ふたつの導 体球殻上の電荷分布が作る静電場E'(r) は、 球対称性より、 l₁ B Q と書くことができ、 導線Lによる球対称性からのずれは無視できるとして以下の間に答えよ。 ただし、 r = |r | は、原点 から任意の位置までの距離であり、E'(r) はr=|r| のみに依存する求めるべき未知関数である。 また、 rを半径とし て原点を中心とする仮想的な球の領域をV、Vの境界をなす球面を Sとし､導体球殻と導線以外は真空で、真空の誘電 率を co とする。 なお、 r の値によって分類する必要がある場合には明確に場合分けして解答することとし、 問6は、 問 1から問5 までに対して正確かつ明確な導出が記述されている場合にのみ採点対象とする。 0 O l₂ 基礎物理学B 第2回レポート問題 Tº A E(r) =E(r) T T l₁ B Q-9 q O A l2 L ア 1.位置rにおける球面 S上の外向き単位法線ベクトルnを､rとr≡|r | を用いて表せ。 2. 球面 S を貫く電束を計算し(積分を実行すること)、未知関数 E(r) を含む形で表せ。 3. ふたつの導体球殻を導線Lでつなぐ前の状態における未知関数 E(r) の関数形を求めよ。 4. ふたつの導体球殻を導線Lでつないだ後の状態における未知関数 E(r) の関数形を求めよ｡ 5. ふたつの導体球殻を導線Lでつないだ後の状態において、 導体球殻 A と導体球殻 Bの静電ポテンシャルの差 A-B を線積分によって計算し、gを含む形で表せ。 6. 導体中での静電場の性質を考慮して、 g の値を求めよ。

最小二乗法を用いることは分かるのですが、そこから全く分からないので教えて頂けると助かります……！ どなたかよろしくお願いします

説明変数を入、被説明変数をyとする単回帰分析を考える。 Y₁ = a + Bx₁ + Ei ( i= 1, 2, `\ n ) このときパラメータα,B3の最小二乗推定量,i3は (3= √22²₁1, (x₁-x) (y₁-32) 11月 (xi A 9= -13 と表される。 そを5倍した変数を気とする。(元に5xi) Yi= d+ ß³¹ã₁+ €¹; (i= 1, 2, ... n ) パラメータα'と'の最小二乗推定量を、とする (1) 13'=1/3となることを証明しなさい(説明変数を5倍すると係数パラメータの推定量は5倍) しても切片パラメータの推量は変化しない) (②2)=となることを証明しなさい (