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最後の部分の「ぽろっと涙がこぼれた」の理由が全然わからないです。教えてください😢😢

中等部三年生 現代文読解テスト① た。」 次の文章を読んで、あとの問いに答えなさい。設問に取り組む 際は、各問いの下の解説を参考にしましょう。 「きのう、真治が見舞いにきた。」 低いつぶやきに、どくんと、心臓が暴れた。 「三か月も行方をくらませておきながら、あいつ、けろっとした顔で 白桃なんか持ってきやがった。」 5 「真ちゃん、元気だった?」 「ああ。また少しやせてはいたけど、顔色は悪くなかったかな。ちょっ とはあいつもずぶとくなったのかもしれん。 白桃も自分で食ってっ 「よかった……」 10 「よくないよ。例の就職話、どうするんだって突きつめたら、あの野 郎、なんて言ったと思うか?」 「なんて?」 「へ。」 「本当!?」 え? 「え?」 「ころっと忘れてた、だと。」 「まったく卑怯なやつだ。おれが点滴で動けないときを見はからって 来やがった。」 忘れてたってのはうそだろうが、就職する気がないのは本当だろ う。今はまだ音楽のフィールドでやりたいことが多すぎるんだとさ。 一五八四年、 イスパニア船、平戸に来航。 一六〇〇年、関ヶ原の戦い。 「おそらく世間には真治みたいな若者がごまんといるだろう。そし てそのうちの大多数は夢やぶれて去っていく。 いったい彼らはどん な思いで残りの人生を送るんだろうね。 残酷な話だと思わないか、 さゆきちゃん。」 ひでただ 一六一二年、徳川秀忠、キリスト教を禁止。 一六三七年、島原の乱。 一六三九年、鎖国令。 「だが、真治はそれをむしろすがすがしい話だと言う。」 一六四一年...... そうかい 「やるだけやって敗れるんなら爽快だ、と。 成功するしないの問題 じゃなく、あいつにとっては音楽をやってる今の時間そのものが得 難く、大事なもんなんだとさ。」 あたしは床へ向けていた視線をもちあげた。 おじちゃんの声は厳しかったけど、あたしを見つめる嘘は昔みた いにあたたかかった。 「そこまで言うならおれはもう知らんよ。あいつの未来への期待は 捨てた。だからさゆきちゃんも、もうあいつに過剰な期待をかける のはやめたほうがいい。そんなに夢がほしいなら、さゆきちゃんが 自分で作りなさい。」 5「さゆきちゃんはさゆきちゃんの夢を、自力で作っていくんだ。」 13 70 [......] る。 さゆきちゃん、うれしいだろう。」 「うん、うれしい。」 真ちゃんは夢を捨ててない。 やった!と大声をあげかけたあたしを、 「だが、 おじちゃんはくやしいよ。」 2 おじちゃんの重たい一言が止めた。 「おじちゃんはな、さゆきちゃんがうれしい何倍もくやしい。」 「真治がこれからのことをどう考えてるのか知らん。 どんな未来を 描いてるのか知らん。 けどおじちゃんはな、現実的に考えて、バン 3 ドが成功する可能性なんか〇・一パーセントにも満たないと思って るよ。 必ずどこかでつまずく。 そのときに苦労するのは真治自身な んだ。」 あたしは頭をたらして白いスリッパを見下ろした。 目に、耳に、心にふたをする。 一四六七年、応仁の乱。 一五七三年、室町幕府、滅びる。 「今ならまだ間に合う。若さを武器に就職先を探すこともできる。 けどな、あいつが三十四十になったとき、学歴もキャリアもない 自称元バンドマンをだれが相手にしてくれる? おじちゃんが社長 なら採らないよ。 社会ってのはそんなもんだ。」 一五八二年、本能寺の変。 パパたちと入れ違いに病室を出てから、あたしは広い病院をさま よい歩いた。 長い時間。 ひとりで、 さまよった。 歩きつかれて廊下のソファーに座り、ぼうっと白い天井を見あげ ぽろっと涙がこぼれた。

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物理 高校生

オが分かりません。普通にqwじゃないんでしょうか? 答え イ qvb オvb

II 空所を埋め、 問いに答えよ。 ウ (配点 45 ) 図1のような直方体のp型半導体があり, x,y,z 方向の辺の長さをそれぞれl, whとする。 図1に示すようにp型半導体の右側面をR 面, 左側面をL面とする。 このp型半導体のx軸に 垂直な面に電源を接続し, x軸の正の向きに大きさIの電流を流す。 z 軸の正の向きに磁束密度 の大きさBの一様な磁場(磁界) をかけたときの半導体内での電気伝導について考える。p型半 導体は,構成する原子間で結合する電子が不足してできた正孔 (ホール) と呼ばれる正電荷とみ なせる荷電粒子 (電気量q)が電流の担い手 (キャリア) となり, 電流が流れると考えることが できる。このp型半導体の単位体積あたりの正孔の個数をnとする。 h L面 と エは選択肢{ }の中から適切なものを選べ。 w B 図 1 R面 電源 まず, 磁場がかかっていない状態 (B=0T) では, p型半導体内で正孔は電源による電場 (電界)を受け, 平均の速さで動き, 電流が流れる。 この電流I の大きさは ア である。 この状態で磁場をかけた。 磁場がかかった状態でも正孔は平均の速さで動くとすると,正孔は, 磁場によって大きさ イ のローレンツ力をウ {L, R}面に向かう向きに受ける。 その ため ウ面はエ{正, 負}に帯電した状態になり, L-R面間に電場が生じる。 L-R面間 の電場の大きさは,正孔にはたらくローレンツ力と電場による力がつり合った状態で決まり、こ れら2つの力がつり合うと, その後, 正孔は直進すると考えられる。 このつり合いの関係から L-R面間に生じる電場の大きさは オ と求まり, L-R面間に生じる電位差 VH は カ と表すことができる。 VH は I を用いると キ と表される。この関係を用いると, 半導体中におけるnを調べることができる。

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