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生物 高校生

問3の(1)の②なのですが、一方のみが生存できるが、両種が安定的に生存できないところって、選択肢のオやカでも種間競争が起きるから安定的に生存できないんじゃないですか?

発展例題4 陽樹と陰樹の交代 植生の遷移に関する次の文章を読み, 下の各問いに答えよ。 発展問題 新しくできた溶岩台地など,土壌や植物体がない場所からはじまる植生の遷移を と呼び, 山火事跡地などのすでに土壌が形成されている場所からはじまる遷 ア 移を イ ]と呼ぶ。遷移が進むにつれて,出現する植物種は変化するが,やがて種 組成がほとんど変化しない極相と呼ばれる安定した状態になる。日本では,降水量が 豊富なため森林が極相になることが多いが, どのような極相林が成立するかは,主 にその地域の年平均気温に支配される。遷移において植物種の交代が起こるのは,生 育に必要な資源をめぐる 植物種間の奪い合いの結果と考えることもできる。 a 問1. 上の文章のア,イに入る最も適切な語を答えよ。 問2.下線部aに関して,本州の中国地方における標高200mの地点で植生の遷移が 進み, 極相まで達したとする。 次の(1),(2) に答えよ。 (1)この地点で極相まで達したバイオームの名称として最も適当なものを答えよ。 (2) このバイオームの高木層をつくる代表的な植物について,次の(ア)~(ケ)のなかか ら適当なものを2つ選び, 記号で答えよ。 (ア) ブナ (イ)コルクガシ (ウ) タブノキ (カ) ハイマツ (キ)コメツガ (ク) スダジイ 問3. 下線部に関連して, 異なる2つの 資源 (資源と資源2) をめぐる2種の植 物(陽樹と陰樹) の間で,右図に示す関係 が成り立つと仮定する。 この図で資源1 と資源2の量は, 「とても少ない」, 「少な 「い」, 「多い」, 「とても多い」の4つに区 分されている。これらの資源について, 一方の種は図中の境界線abcで区切ら れた量に満たない場合に, また他方の種 は def で区切られた量に満たない場合 に,それぞれ安定に生存できない。資源 (エ)オオシラビソ (オ)ミズナラ (ケ) アコウ とても 多い 源多い 少ない とても 少ない * I as 多い II 少と少 なてな いもい 多 いいも 資源 f 1と資源2の量が実線で囲まれた領域Iや領域IIにある場合は,資源の奪い合いを 経てどちらか一方の種が生き残るが,領域Ⅲにある場合は両種が安定に共存できる。 これらのことをふまえ,次の(1)~(3)に答えよ。 ただし,両種の資源の奪い合いにお いて,資源1と資源2以外の影響は無視できるものとする。 (1)次の①~③に記述した現象が成立する資源量について,下の(ア)~(キ)のなかから 適当なものをすべて選び、記号で答えよ。 ①一方の種のみが生存することは無く,両種は安定に共存できる。 一方の種のみ生存できるが,両種は安定的に共存できない。 ③両種とも安定に生存できない。

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物理 高校生

問5の解説の?が書いてあるところがわかりません教えてください

起 B 半導体ダイオード D, 抵抗値R」の電気抵抗R., 抵抗値 R2 の電気抵抗Rま 電力Eで内部抵抗の無視できる電池Eを図2のように接続する。 ダイオードDに 加わる電圧と流れる電流の関係は、図3のように与えられる。 ただし, a側の電 位がb側の電位に対して高い場合に電圧を正とする。 問4 ダイオードDに加わる電圧を V, aからの向きに流れる電流をとしたと 24 き, R2 を流れる電流を表す式として正しいものを、次の①~⑥のうちから選 大切! E E ① ② V V R R₁ V R₁ R₁₂ ⑤I+- R ⑥I+R₁ V D b E 図2 電流 [mA] -60- 40 Q 問5 E=3.0V, Ri = 1000, R2=50Ωとしたとき、ダイオードDに加わる電 圧として最も適当なものを、次の①~⑥のうちから選べ。 25 ① 0.6 ② 1.0 ③1.6 ④2.0 ⑤2.6 ⑥ 3.0 問6 半導体ダイオードに関係した記述として適切でないものを、次の①~⑤のう ちから一つ選べ。 26 ① 半導体ダイオードは, p型半導体とn型半導体を接合してつくられていて、 型からn型の向きに電流が流れる性質がある。 ② p型半導体には,ホール (正孔)とよばれる電子の不足している部分があ る。 ③ 半導体ダイオードの中には、電流が流れる際に可視光を出す性質のあるも のがある。 20 電圧(V〕 -3.0 -2.0 -1.0 0 1.0 2.0 3.0 ④ 半導体ダイオードを二つ逆向きにして並列に接続すると、ある電圧までは A60 20 どちら向きにも電流が流れないが、 ある電圧を超えるとどちら向きにも電流 が流れ出す素子をつくることができる。 物 40 40 -60- ⑤ 半導体ダイオードは,直流を交流 (流れの向きが変化する電流)にする整 流回路に利用されている。 理 図 3 物理- 16

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理科 中学生

四角三番の5番が分かりません 自分の答えは50Ω何ですけどどこが間違っているのでしょうか? 解説は乗っていなくて…… 答えは8Ωです 解説お願いします🙏

ERRER との (実験11の E30V 60V おる電圧の大 その結果を表に 実験2) 電熱線 様に、 電熱線 の大きさを測定し 電圧[V] DA □② ) OD Per (2)①~④の OD WIEV (V) 抵抗をそれぞれ求めなさい。 電流 1. で、電圧V この体をし れにくさをす DE IT. 1AO の欄にあてはまることばは何か。 10Vを加えたところ、4. 抵抗(1)-( 4Aの電流が流れた。 ・電圧 (1) 抵抗R(Ω)の電熱線にV 疲れた。このとき、次の①、②を求める式はそれぞれどのように表される。 熱線にV[V] の電圧を加 1=( ① CA た。この触角 を加えると 5Q 3A (2) ) (3) 3V 電流 1. (A) 13 2 1, (mA) ) 20Q 抵抗R(0) 図 1 3 直列・並列回路とオームの法則 (1) 図1 で, 各電 の抵抗の大きさをR,. Rとするとき, 回路全体の 抵抗Rはどのように表されるか。 R = ( □2) 図1で回路全体の抵抗は何Ωか。 3) 図1で、V, V2の比をもっとも簡単な整数の比で表 しなさい。 □4) 図2で、各電熱線の抵抗の大きさをR, R2, 回路全 体の抵抗をRとするとき,下の式の空欄にあてはまる 1: V2=( 記号は何か。 ( □) 図2で、回路全体の抵抗は何Ωか。( 58 R2 ) 図2で、L.1の比をもっとも簡単な整数の比で表 しなさい。 I:I2=( 図2 40Ω R 2 ← V2 6V 100 R₁ 40Ω R 2 4V 電流 電熱線。 [mA] 電熱線り (1)表をもとに、電 加わる電圧と流れる 係を表すグラフを、 りに適当な数値を書 ぞれ図2にかきなさ (2) (1)のグラフから わる電圧と流れる電 どのような関係がある。 (3) 電熱線の抵抗は の種類と抵抗(1) 抵抗が小さく, 電流を通しやすい物質を何というか。 抵抗が非常に大きく、電流を通しにくい物質を何というか。 2 抵抗と電流・電圧 の電熱線adのそれ について、 電熱線に 電圧の大きさを OV Vまで, 2Vずつ」 ったときの 電熱 る電流の大きさを 図は,その結果 表したものであ (1) 電熱線 a ~ もっとも流 (2) 電熱線a (3) 電熱線 a も大きい B Chun red b

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物理 高校生

4番の解説の意味がいまいちよくわからなくて、V=Edを用いるというのはわかるんですけど,Δrについてよくわからないので教えて欲しいです。 (私の考え) Δrをゼロに近くしたとしても,円盤の中心から端までの距離差はaでないか?

134 電磁気 42 電磁誘導 半径 ②の円板と細い回転軸は共に 導体でできていて,これを一定の角 速度で回転させる。回転軸と円板 の縁に導線を接触させ,スイッチS を通して抵抗をつなぐ。 円板には一 様な磁束密度Bの磁場 (磁界) が垂 直上向きにかかっている。 Sは初め 開かれ、回路の抵抗値をRとする。 R B (1) 円板と共に回転する自由電子はローレンツ力を受ける。電子はど ちら向きに移動しようとするか。 (2)円板の中心と縁には正負どちらの電荷が現れるか。 また, それに よって生じる電場 (電界) の向きはどうなるか。 (3) ローレンツ力による電子の移動は,発生した電場から受ける静電 気力とつり合うまで続く。 電場の強さEを, 中心からの距離rの関 数として表せ。 また, 横軸にrを縦軸にEをとってグラフに描け。 (4) 円板の中心と縁の間の電位差V を求めよ。 (5)Sを閉じたとき回路に流れる電流Iはいくらか。 また, 円板を回 転させている外力の仕事率Pはいくらか。 (防衛大+名古屋大) Level (1) ★★ (2) ★ Base ローレンツカ (3)~(5)★ BA 荷電粒子が磁場中で動 Point & Hint くと力を受ける。 磁場中を動く導体棒に生じる 誘導起電力 V= vBl の導出 (エッセンス (下) p102) と同類 の問題。誘導起電力が生じる原 因は自由電子に働くローレンツ 力にある 9 BA V q f f = quB ひとの向きが直角 でない場合は、どちら かの垂直成分を用いる。 子はひと豆がつくる 平面に垂直となる。

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