学年

質問の種類

情報:IT 高校生

この問題をわかりやすく解説して欲しいです🙇

今の さい。 (1) ①~② に当てはまる語句または数値を答えなさい。 メモリの実効アクセス時間は、 実際の1アクセスに要する平均時 間である。 キャッシュメモリ上に求めるデータがある確率(ヒット率) をHとすると、 この平均時間は、 (1) ① 主記憶のアクセス時間× ( ② ) ② (キャッシュメモリのアクセス時間× ( ① )) + で表される。 (2) あるプログラムをコンピュータA で実行したときのキャッシュメモ リのヒット率と実効アクセス時間は, コンピュータBで実行したと きと同じになった。 この時のキャッシュメモリのヒット率を答えな さい。 14 ◆コンピュータの動作 以下は、仮想プログラミング言語にしたがって, 乗算 (xXy=z)の計算をして13番地に結果 (z) を書き込むための プログラムである。 乗算命令は無いので, 加算命令を繰り返すことで(x をy回加算) 実現する。 ①~③に当てはまる命令を答えなさい。 なお, AレジスタとBレジスタを使うものとする。 (2) 仮想プログラミング言語命令一覧 番地 主記憶装置 READ r. (adr) adr番地のメモリから 1 READ A, (13) r レジスタに読み出し 2 READ B, (12) WRITE (adr),r rレジスタから adr 番 地のメモリに書き込み 3 (①) Ir レジスタとadr 番地 (2) ADDr. (adr)の和を計算 4 r=r + adr 番地の値 or レジスタとadr 番地 5 JNZ (3) SUBr, (adr)の差を計算 ③ r=radr 番地の値 6 (③) 直前の計算結果が零の 場合は何もせず 7 STOP JNZ (adr)零の時だけ (adr) 番地 の命令へ順番を戻す (ジャンプする) 10 10 STOP プログラムの停止 11 7 X 12 3 13 y Z

未解決 回答数: 1
物理 高校生

5番の矢印を書いたところの式変化について教えてほしいです。

158 丸 50 電磁場中の粒子 直方体 (3辺の長さが a, b, c) の半 導体に図のように一様な磁束密度 Bの磁場を +z方向へかけた。次に, Z B N +y方向に電流Iを流し, x方向に 発生する電位差V (MN間) を測定 した。 種々のBの値に対する, Iと Vの関係がグラフに示してある。 (1) グラフからVをIとBの関数 として表せ。 ただし, 比例定数を α とする。 次に, αの値をグラフ から読み取り, 有効数字2桁で単 位を付けて書け y M b. V〔mV〕 Bの単位 (T) この関係式は次のような考察か ら導くことができる。 にな (2) 電流Iの担い手が電子だとする。 その運動はどちら向きか。 また, 88503020000 B=0.64 70 60 B=0.48 40 B=0.32 B=0.16 10 -I [mA] 1 2 3 4 5 6 電子の電荷を-e, 平均の速さを 個数密度をnとして, I をe, v, n などを用いて表せ。 (3)電子は磁場から力を受けて偏在するために電場が発生する。 電位 はMとNとでどちらが高いか。 また, 電位差 V[V] を v, Bなど を用いて表せ。 (4)電流の担い手が正電荷+eをもつホールの場合、電位はMとN とでどちらが高いか。 (5)α me, c で表せ。 また, nの値を有効数字2桁で求めよ。た (工学院大) だし,e=1.6×10-19 [C], c=1.0×10-4 〔m〕 とする。 vel (1)(2)(3)~(5)★

解決済み 回答数: 1