【途中計算】ここの途中計算が意味がわかりません。どうしてこんな変形してるのかわかりません．紫線の部分から意味がわかりません。わかる方教えてください

395 磁界を斜めに横切る導体棒 鉛直上向きの磁 束密度B[f] の磁界中に、右図のように導体でで きた2本のレールが間隔 [m] だけ隔てて置かれて いる。 レールは水平面に対して⑥[rad] だけ傾いて いる。レールの端に起電力 [EV] の電池E と抵抗 [値R[Ω] の抵抗Rが右図のようにつながっており P レール上に質量m[kg] の導体棒PQを静かに置くと、導体棒は水平を保ったままレー Imag 2 ルに沿って上昇していった。 重力加速度の大きさをfa/s'] とする。また,R以外の抵 抗および摩擦はないものとし、回路を流れる電流がつくる磁界は無視する。 (1) 導体棒 PQ が上昇するための起電力Eの条件を求めよ。…、 (2) PQ の上昇速度は、ある速度に近づいていき, いずれ等速度運動になる。このとき の速さを求めよ。 A (3) PQの運動が等速度運動になったとき, 単位時間あたりに回路で発生するジュール 熱は,電池が単位時間あたりにする仕事の何倍か センサ 131132 162 すこ コメン の土日 E AUR い ↑ B

これなんですけど、仕事に秒数かけたのが、ジュールじゃないんですか？なぜ、式が同じなのに別々になるのかわかりません

[L][A]が右図] うに正負をとるものとする。 DESCORTLURY 395 磁界を斜めに横切る導体棒 鉛直上向きの磁の 束密度B[T]の磁界中に,右図のように,導体でです (ym) 7 E きた2本のレールが間隔 m〕 だけ隔てて置かれてる いる。 レールは水平面に対してOrad] だけ傾いて ↑B いる。レールの端に起電力 EV] の電池Eと抵抗 値R[Ω]の抵抗Rが右図のようにつながっており、 see -1- Y P&N レール上に質量m[kg]の導体棒PQを静かに置くと、導体棒は水平を保ったままレー 2 ルに沿って上昇していった。重力加速度の大きさを とする。また、R以外の抵 /s'] 抗および摩擦はないものとし、回路を流れる電流がつくる磁界は無視する。 (1) 導体棒 PQ が上昇するための起電力Eの条件を求めよ。 PCの上昇速度は、ある速度に近づいていき, いずれ等速度運動になる。 このとき の速さを求めよ。 (3) PQの運動が等速度運動になったとき,単位時間あたりに回路で発生するジュール 熱は電池が単位時間あたりにする仕事の何倍か 131132

3の問題の答えがウとオになる理由を教えてください イが入らない理由も教えてください

[I - 1] 尚さんは、電流と磁界について実験を行った。 図1のよ うに、コイルに棒磁石のS極を近づけると、検流計の針が､ 少 し右側にふれ、 電流が流れることが分かった。 検流計 1 電流には「A」という単位を用いる。 この単位の読み方をカタカナで答えなさい。 2 磁石にはN極とS極があるが、 図2のように棒磁石を a、bの2つに分けたとき､ aとbではどのような極の 現れ方をするか。 解答用紙に a b それぞれにNとSを 書きなさい。 IN a 電流の流れる向き 棒磁石のN極側をコイルの下から近づける。 コイルを固定し、 b S → 図2 Y a II 棒磁石― 図1 S 3図1で電流の流れる向きを逆向きにするためには、どのようにすればよいか。下のア~オの中から、 適当なものをすべて選び、 記号で答えなさい。 ア コイルを固定し、棒磁石のN極側をコイルの上から遠ざける。 イ ウ コイルを固定し、 棒磁石のS極側をコイルの下から近づける。 I 棒磁石をS極側を下向きにしたまま固定し、 コイルを近づける。 X オ 棒磁石をS極側を下向きにしたまま固定し、 コイルを遠ざける。 b コイル 棒磁石 S アルミウムの棒

数I、データの分析 マーカーを引いているところの式にするのかがわかりません。 よろしくお願いします。

496 次のデータは,ある生徒5人の英語のテストの得点である。 73 83 75 69 76 (単位は点) 69 73757683 ① 中央値と平均値を求めよ。 (2) 上記の5個の得点のうち1個が誤りであることがわかった。 正しい得点に基づく中央値と平均値は, それぞれ73点と74.8 点であるという。 誤っている得点を選び, 正しい得点に直せ。

この問題のウとエの計算式をお願いします🤲

(2) ある金属の結晶構造は, その単位格子が下の図bであり, 一辺の長さは3.5 × 10-8cm 結晶の密度は8.9g/cm3である。 図b アボガドロ定数 = 6.0×1023/mol、 (3.5)3=43 とする｡ (ア) この結晶格子の名称を記せ。 (イ) この結晶格子の単位格子中には原子が何個存在するか。 (ウ) この金属原子の原子半径は何cmか。 答は小数第3位を 四捨五入せよ。 (エ) この金属原子の原子量はいくらか。答は小数第1位を四捨五入せよ。

この問題のウとエの計算式をお願いします🤲

2】 次の各問いに答えよ。√2 = 1.4 √3=1.7とする。 (1) ある金属の結晶構造は, その単位格子が下の図a であり, 一辺の長さは 3.0×10-8cm, 結晶の密度は 6.3g/cm²である。 図a (ア) この結晶格子の名称を記せ。 (イ) この結晶格子の単位格子中には原子が何個存在するか。 (ウ) この金属原子1個の質量は何gか。 (エ) この金属原子の原子半径は何cmか。答は小数第3位を四捨五入せよ。

【電磁誘導】電池の向気がこっちになる理由がまじで意味がわかりません

界を斜めに横切る導体標 「お肉のように、直上向きの磁束密度の磁 導体でできた2本のレールが間隔だ て置かれている。 レールは水平面に対して 人だけ願いている。レールの端に起電力 電池と可変抵抗器を接続し、レール上に質 の導体棒PQを置いたところ、導体棒は 水平を保ったままレールに沿って上昇し、速さv[m/s) の等速度運動になった。 重 加速度の大きさをg[m/s*] とする。 摩擦はないものとし､回路を流れる電流がつ くる磁界は無視する。 (1) 導体棒に発生する誘導起電力の大きさは何Vか。 B. 1, 0, 0 を用いて表せ。 このときの可変抵抗器の抵抗値、また、可変抵抗器で発生する単位時間あたり ジュール熱、それぞれB、Em, v, g, を用いて表せ。 これ これ、ネルギー保存 (電池の仕事) (ジュール ギーの増士) が成り立つ。 El-Q+mgr sin 位置エネル 平行レール 磁界を垂直に横切る速度 (1) 成分は seese [ms だから 誘導 起電力の大きさ 〔V〕は、 V=nos0) Bl=vBl cos 0 [V] (2誘導起電力の向きはレンツの法 より、上向きの磁束を増やす (2) きとなるので､上から見て反時計 回りになる。 誘導起電力を電池と 考えると、右図のような回路とみ なせる。ここで､回路を流れる電 流の強さをI[A] 可変抵抗器の抵 抗値をR[Ω]とすると､ オームの 法則より、 I= E-vBl cos 0 R -(A)······· 斜面に平行な方向の力のつり合いより、 mg sin - IBI cos 8=0 これに①を代入すると､ mg tan R= BI (E-UBI cos 6 ) mg tan 求めるジュール熱 Q[J] は, Q = RItより、 E-Bl cos Q=Rx x1 = -(0) 395 396 PR (E-Bl cost) BL 可変抵抗器 B 0 水平面 Ke vcos O mg ・R (E-vBl cos 0)| I IBI P 28 の入 配布し h

(6)の解説中の赤線部がなぜその様になるのか教えて下さい！

第5問 (選択問題) (配点20) 0 を原点とする座標空間で,点 K(1, 0, -1)を通り (1,1,1) に平行な直線 lとし,点L(-1, 8, -1) を通り=(1, - 5, 4) に平行な直線をmとする。 こ のとき、二つの直線l とは共有点をもたない = 1.255/6=142 l上の点Pとm上の点Qについて, 線分PQの長さが最小になるときを考えよ √125+16. 3 (1) ア 5 +-5+4 OP=OK + su, OQ=OL+tv (Pは直線上にあり,点Qは直線上にあるから,実数 s, tを用いて O² + tv-ok-Su 凡 と表される。したがって PQ=OQ-OP となる。 オ の解答群 OK ③ KO = さらに, 42 =イウ オ オ su + tv 0 u・v= I である。 ①OL ④ LO を成分で表すとカキ ② KL ⑤ LK S3 +7% 13:2 26 392 26 +16 42 ク ケ である。 (数学ⅡⅠ・数学B 第5問は次ページに続く。) (-2,8,0) 24+64

範囲が写真のように指定されていた場合、－π≦θ＜π　は単位円周上のどの範囲になるのでしょうか？

(-AMOKA) 0 (-π≤0 < π)

見ずらくてすみません 全部答え教えて欲しいです

No-09_第3章 るコンピュータ A,Bがある。 以下の問いに答えなさい。 15 WRITE (adr),r コンピュ 仮装プログラミング言語命令一覧 adr 番地のメモリから READ r,(adr) レジスタに読み出し ADD r,(adr) SUB r,(adr) キャッシュメモリ 主記憶 (1) ①~②に当てはまる語句または数値を答えなさい。 メモリが入用に購入さいとするセスにする時間時間である。 キャッシュメモ めるデータがある確率 (ヒット率)をHとすると,この平均時間は, (キャッシュメモリのアクセス時間 × ( ① )) + 主記憶のアクセス時間 × (②) JNZ (adr) コンピュータ A 15 で表される。 (2) あるプログラムをコンピュータで実行したときのキッシュメモリのセット事と実 間は、コンピュータ B で実行したときと同じになった。この時のキャッシュメモリのヒット さい。 STOP Ⅰレジスタから adr 番 地のメモリに書き込み Ⅰレジスタと adr 番地 の和を計算 50 ◆コンピュータの動作 以下は、仮想プログラミング言語にしたがって、乗算(xxy = 加算命付け(1) 4 算をして 13 番地に結果(z)を書き込むためのプログラムである。乗算命令は無いので, 返すことで(xをy 回加算) 実現する。 ①~③ に当てはまる命令を答えなさい。 なお, Aレジスタック 各画素の ジスタを使うものとする。 r=r + adr 番地の値 Ⅰ レジスタと adr 番地 の差を計算 単位:ナノ秒 コンピュータ B r=r - adr 番地の値 直前の計算結果が零の 場合は何もせず, 非零 の時だけ (adr) 番地の 命令へ順番を戻す (ジ ャンプする) プログラムの停止 10 70 4 番地 主記憶装置 1 READ A, (13) 2 READ B, (12) 3 (①) (② JNZ (3) (③) STOP 5 6 7 10 11 12 13 7 3 0 X y No.U 2 ③階調 次の文 光の明るさが (1 256) 15 すると, R,G, (明るさデータ 画像ファイ 横 1,600 画素 る。 このカメラ (23) 算できる。 ここ 使用メモリを使 10°バイトとす 5 画像のデ 画素の細 3) 画像を一 <語群>.... ア. 標本ｲ 画像の のどちら 取り扱う 取り扱う 輪郭が 人の手 描画後 描画後 ps 0 例