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(均有引腳)
SA 32 N3 No:
SILLENA Date:
穿孔技術(THT)
表面黏著技術(SMT)
体積
10(比例)
成本
↑
重量
↑
I (比例)
↓(30%~50%)
↓(10%)
可靠性
↓
準確性.
↓
二極体负
1:108.
順向偏压(短)
电流(电洞流)
<逆向偏压(升)
电子流
P
N
k
K
A
K
(陽)
(陰)
摻雜濃度越高,depletion region weight.
✓
(THT)
多:0+
P型 本質(4價)+三價(B、AI、GaIn.TI) →
受体 {3+ → 負離子
NAV
口訣:N價多/施捨給Poor人,Poor人積了很多負能量.
本質(4價)+五價(N、P、AS、Sb、Bi)→施体德+→正離子
匕
本質濃度.
矽
1N4001
鍺
IN60
0.6V~0.7V
0.2V~0.3V.
depletion region.
forward bias re
Llev
0.7zev
reverse
bras
↓ Formulas:
ST
Ge...
AX
△Vk=△T-C-2.5mV/e)
VK: T-(-1 mV/°c)|
→質量款,質子載+中子粉
→原子序= 电子权:質子权.
电中性
IS↑, depletion region ↑
每10℃ IS增加1倍.
Is (T) Is (7) × 2
电子
PIV.
1836
質子
Vk
( forward bras).
VD
↓
玩
(reverse blas).
暑
R
A
ch
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偏轉量接近滿刻度,準確的电阻測量時! 0 15 DCV 不能量 AC LI 不可量带电的持奌! 15 Date: 三用电表 ACV可測DC.2Vdc. AC Vims=2. 2Vav. 2.非均匀刻度 測量值 指針式(analog) 黑: 高压紅:低压 我位式(digital) 紅: 高压黑:低压. ☆DCV、ACV測量不耗損三用電表电量. RX10K→2个1.5V+1个903. ☆由高倍率→低倍率進行測量, forward bias → 導通. reverse bias. →截止. 良好.. 實際值,測量值x倍率 (电阻量測). ☆ 交流(AC)和电阻(2)測量无極性之分。 AC:有效值 DC:直流值. Rx1~RxIK → 2個1.5V Battery. 指針式 Rxlks VD Formulas: ID = IF = Is (env4-1). 8.格 k- r = 12×5 (內阻) (靈敏度). 指針式 Rx1k2. 电流,子佳 7 ST = 2 ·Ge = 1 VT I (V) = 25mV ~ 26mV. 11600 多无少权載子儲存 效應 +N型半導体. Schottky diode (蕭特基二極体)→金屬+ Advantages 3 ①.低正向压降. ② 高切換速度26速切換 ③較低反向恢復時間. 用於高速电子装置10 示波器! 10格. Disadvantages: ①較大的IS. ②低Ve W A 金屬区 VERT MODE DALT (高頻) (顯示方式) ②CHOP(低頻) CALZVP-P端 : 輸出VP-P、IKHz方波 ☆最適合觀察的波形:2~3週期(水平)→10格 4~6格:(垂直) 2
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導电电流 No: 高电位 低电位 Date: 如何判斷 sat Region, Act Region, Io Region?1 E sat Region. B Sat Region. B Act Region. Act Region. yo Region. C Eyo Region. \NPN/ JPNP ✡ ICBO ICEO, IC XZ DAP ? 1 Vcc 飽:負半週失真 :正半週失真 Re IC.A IC80 負載線中奌: VCE Vc. > 不会失真 Re 需要的公式: ICEO H+B= IcBo ILED IC=BIB+ICEO 回 IB = RB ( 補): SIC =αIE + ICBO ·IE - (H+B) IB + ICED. 无关:分压式偏压 最易受影響:固定偏压 耐溫:Ge:100~1100. Ico是溫度影響c的原因 Si = 150° ~ 200° 耐压、濃度成反比 耐压 = C>B>E 濃度 : E > B > C. ICBO (ICO) Si < Ge 寬度:CEB (nA) (MA). 2 ICED S<Ge. (MA) (百MM) C不能作Vi,B不能作。 ☆不通过原奌VCx0.2 at ☆ 如何判斷誰的特性曲線? (sat) 看 x CE: IB-VCE CC::IB-VBC ④-LE-VEL ⇒ ICEO 來源电 压 MIC-VE ⇒ ICED Vi : B. Vo: C Vi: B : Vo E CB: IE - VEB Vi 出: 11 = Le-VeB ⇒ ICBO E Voc. :
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No: 常用 Date -> 線性式电源 負載 音訊放大 ABX B. A類放大器:前級放大器、电压放大器、小信號放大器. Viem, cc VT 效率:25% R3 Formular 線性放大,不失真. Rivo VH VIE Pi = Ve ZRC Po(max) = Vcc 2. 8Rc 7:25%. →无电容 ↑. B類推挽放大器(OCL)(双重源) Bug: 會產生交越失真. OF "Ve AV≤1 → ITP↑ Formular 2 Vu Vm +Vcc 1 NPN Vi 效率高:78.5% LVA 十 RL Vo PNP -Vec 改 Po • RL Vm² = ZRL Vm 7: 4VCL Vm(max) ⇒ Veenmax=78.5%. AB類推挽放大器(OCL)(双电源) improve: 消除交越失真 → method: 提供直流、順向偏压. 號放大 後級放大器、功率放大器外 交越失真. Vec R₁₂ NPN Different 加了2個二極體、 2個电阻 D立 way a Aval IT PT Formular Po= Vm² ZRL →有电容 7Vm ✓ AVEL Vmimax) # Vec Amax < 78.5%. OTL推挽放大器(單电源). 效率:50%~78.5% Vi A DZ + RL Vo R2 PNP -VCL Vcc NPN Formular Vm² Vec Po Vm(max) = ZRL Polmax (Vcc)2 = 8K RLI PNP. · DEPP功率放大器有变压器,2個相同的NPN. 體積大,成本高,頻率響应差,失真大,易阻抗匹配
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No: Date: Zim↑)抗雜訊佳 輸入靈敏度= Viems)有效值电压 Vi(max) Vi(max)↑ 放大倍↓ 雜訊↓. SNR(雜訊比)↑雜訊↓性能佳 → SNR>1000130dB). BW↑,音訊品質 Vo=√POZL →有效值电压. DTV 品質佳 (諧波失真比率) PSRR(电源拒斥比)↑,雜訊↓ MA741(OPA放大器) D S 555 GND. + 8 Vie 歸零-1 8 N.C. 觸發 2 555 7.放电. 反相輸入 2 7 +Vec Output. Reset 3 6-臨界觸發 MA741. 同相輸入 3 b ·Output 4 5-Control. -Vel 4 5 歸零 || AVT. LM386 增益調整! 8 1 增益調整. -INPUT-2 + INPUT-3 7 旁路 6 GNDr 4 5 Vont = CAI CACCs AB類(差动放大器、电流鏡). AV↑ Pol BW↓雜訊下. 士、濾除電源雜訊.(最佳),PSRR↑. 濾高頻雜訊。 ☆GBP(定值)=1AvW.BW. 二二1.24鎳隔电池:有毒,高記憶效应 1.21鎳氫電池:自放电率最高,低記憶体效应. →汜3.3~4.2v鋰離子:自放电率低,自爆率高 線性式电源 干擾小 功率轉換效率低 輸出电流小 音訊放大器 交换式电源 大 “高 大 一般3C电子設備
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☆金屬溫度↑↑傳導性↓. ☆一般金屬,正溫度係权,溫度,稽納电压↑. 半導体 擴散电流、飘移电 導體→ 飘移电流.Morg No: Date: ✡ F G R H J 1 + 1 Vrip-p> Q=1+ - C Vrip-p> 注意全波:40.2f1. 半波: fo=fi C:MF Ruoka.. ⇒有加电容的整流器 Vav Vm (+) (-) ☆BJT NPN-> 黑PNP>紅 指針式 式 PNP > 紅> (共同腳)→N端 測量B→六次有2次大偏轉 NPN+黑→(共同腳)→P端 >接要找的腳. 070 判斷C.E <大功率> TO-3. 找簡易型: NPN PNP E大偏轉 紅(B) 黑(B). ) to R XIOK 黑(E) 紅(5) M 加入大姆哥凸(約202)2 找 →碰有黑棒那端 C①基極与任一腳以手指作电阻conect: A RxIK. (68) NPN PNP (假設C、E) 黑(C) 紅(C) →假設正確 黑(E) 紅(E) ③ 假設錯誤 紅黑互换 大偏轉 日規 PM A:高頻PNP 2 PWP MON S B:低fPNP 半導体 3 C:高FNPN D:低fNPN H:UIT PFET " C59013 #NPN 14 +C590123 PNP. 电晶体序號 改良序號. KWFET
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No:
Date:
RE上无意義.
LCR表→IKHZ.CHI、CH2黑色探棒內部短接→接線需接在一起.
S損耗因权 → LCR-D.
电感量→短 →MH.
电阻值→ 短
J K L M V N
±5%±10%±15%±20%±25%±30%
电容量→開→測試前須先放电,→PF.
Vp² (VGS-VP)²
&SID=
IDSS
Sat
Region ID = K(VGS-V₁)²
2
{ ID = IDSs [ 2 (Vas-Vp) Vos-Vos"]}
☆判斷是否在飽和区
Region | ID = K [Z(VGS-VP) VDS-VDs³]
S(AIV²).
→ VGs) Vp且VGDSP.→為飽和区才可用的公式
EMOSFET VGS =D & ID = IDSS.
(零偏压法)
× VGS = -VGG
(固定偏偏法)
☆IG=0A.
LØVGS = - IDRS.
& VGS= VG-IDRS.
- VGS = VDO-ID RD.
DMOSFET
(自給偏压)
(分压偏压).
VG=VD(汲極回授偏压)
CMOS » P= fC VOD²
2) VGs=Vps(就算有汲極阻抗也一樣).
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Date:
類
☆ 導線導線間,都存在雜散电容
电容
(直流阻絕電容)(交連電容)
.耦合电容:隔離直流电源
CiSC。
No:
Vec
RBRc
Co
Ci
Vo
RE
CE
旁路电容:穩定电源电压,減少电压漣波
陶瓷电容:高f
电解电容低f.不选题
2.米勒电容: 只存在於放大电路
米勒效应
Av
凸CB→CC→CE 安
CE組態高頻差。
米勒电容 > CB無勒效应,高頻佳.
Vo
=Cx
厶
輸入
Xem
V₁ = V₁
Vi
2111
Av
✓2
V₁
Vi.
V₂
V2=12
Iz Iz
輸入
V₁-V
V₁
Zm
1-Av.
V2= Av.V+
V₁- Avv
|輸出)
Zm
V2-Vi
Zm
V₂
V₁ = Av
泛
V₂-Av
Zm
V2
Z
低頻衰減
:
(1-AV) Safe
xfc (1-Av)>xfer
7 C (1-Av) C
✓
I-AV
輸出
Zm
Zz
高頻衰減
{極際(寄生)电容
交連電容
L旁路电容
(雜散(分布)电容
X c = X c m
Xen
T-AV
#
xxfc zxfcm (1- AV)
:-) ( = (μ (1-A/v)
AV
#
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Date: 聲接放大器→可減少非勒电容效应;↑zz,高頻 IP CE Op: CB Sve zvez AVI = 1 AVE = Rc. regm =gm Rc. TO-92→ 額定功率最小 TO-220→功率較大. V型場效電晶體.>大功率,大电流. EMOSFET 測量→GS、D開路 PMOSFET→紅棒. 測量G NMOSFET→黑棒 6次2次 G RX10K S.D 黑棒 紅(偏轉). |G对D.S皆不偏轉 ③Prode, Zender Diode. →保護 MOSFETS.D. AMOSFET PMOSTET > 內含diode 判斷SDS.D用紅黑測量(2次一次偏轉) 我 NMOSFET PMOSFET. RX1 S(黑棒) (紅棒) Rx10 D (紅棒) D(黑棒) 加入手指 NMOSFET→黑棒端、 G跨接 - PMOSTET I G 找 NMOSFET PMOSFET 偏 D(黑棒) 2 D(紅棒) Rx 1. 轉 S(紅棒) S(黑棒) D D N基体 P基体 GG Get Discern to the titles NJFET .PJFET. m
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