予習課題です。穴埋めがよく分かりません😭2枚目以降の画像を参考にとありますがよく分かりません💦よろしくお願いします🙇‍♀️

学籍番号 氏名 Scheme 1. Agt, Fe3+, Al3+, Zn2+, Ba²+の分離のフローチャート Agt, Felt, Al, Zn2+, Ba24, in 50mL beaker H20.5cm 3 M HCI, 1 cm³ 沈殿 ろ AgCl Fe3+, Al3+, Zn2+, Ba²+ 確認操作 沈殿 沈殿 ろ液 沈殿 ろ液 ろ液 「確認操作 確認操作 確認操作なし 沈殿の色により確認) 確認操作 フローチャート中の沈殿の枠やろ液の枠には、含まれている沈殿やイオンの化学式を記入する。 には加える試薬とその量, には操作, このチャートは実験講義の時に提出する。 には確認操作 (細かく書く必要はない)を記入する。

1枚目の写真の問題と2,3枚目の写真の問題の答えかたが違うのですがどちらでも良いのでしょうか？

■[物質量] 水酸化カルシウムCa(OH)2 が3.7gある。 これについて,次の 問いに答えよ。 ただし, アボガドロ定数は 6.0×1023/mol とする。 (1) 水酸化カルシウムの物質量は何mol か。 (2) カルシウムイオン Ca²+ と水酸化物イオン OH- はそれぞれ何個ずつある か。 (1) 5.0×10−2mol (2) Ca²+ : 3.0×1022個 (1) Ca(OH) 40 + (16 +1.0)×2=74 74g/mol 3.7g は 3.7g 74g/mol (2) Ca(OH)2 OHT: 6.0 × 1022個 = 0.050 mol = 5.0×102mol 5.0×102mol 1mol は 6.0×1023個 Ca2+ + 2OH¯__ 5.0×102mol 2×5.0×10mol Ca²+ 6.0×1023個/mol×5.0×10mol =3.0×1022個 OH 6.0×1023個/mol×2×5.0×10mol = 6.0×1022個 DARS ベストフィット イオンの電離式を書いて考える。 SP CLOS lourd CD-10 foin I ROAD

マーカーをつけいておるところがどうしてわかるのか教えて下さい

ーーモタ 色沈豚は生 友し 請暫子量は, ロー1, C=12 OO 和 用いに答えょ。 RA6 と した。 やキ 請旧4 2分子式をボらょ。 還/ B, CD, Eの構造式をそれ ま 9 (有機化合物の構造決定〉 <下叶。 記才央素原了を 8 時 つ化合物んがぁ る。 その分子式は CiiHuNO。 で. 較較の赦凌小に和体を発生しながら溶けた。 化人AA を水酸化ナトリウム】 幸したところ。 パラー思換ベンゼンの化合物Bが供色の回体として沈明した 除物Bは分子量 138 で, 希塩酸によく溶けた。 化合物Bをろ過で分区した後。ろ流に を加えて酸性とし, エーテルで抽出 隊六二 エーテル層から白色の固体の化 匠6が得ちられた。定件分析の結果, 化合物Cには窒素は含まれていなかった。 また. B, とともに不斉炭素原子はもっていなかった。。。 ぞれ記せ。 化合物Aを触媒(パラジウム)

Beauregard Richtenstein, Clerk 3rd, Fundemonia Gas Family とはどういう意味でしょうか？ 調べてもなにも出てきませんでした...

問3でnoがnAとnBになるのにno=nA+nBにならない理由を教えて下さい。 答えは理解できたんですが分かりません

UE 定数と 酸化三塗素 Ox (無色の 体) を生じる反応は, 次のような 胡 して二酸化室素 NOz (Wo ま) が分 の であるs 」 可逆反応 = ZNO …① ッ 2還 tko をが tno) とり, 一容 了(L) のガラス和容器に洒寺し Ao 平衡に達し そのと きの圧力は 7 〔BEaj であっ> ぞれzx imol)。zm (moi) 計 謀 7 UK に保ったところ・ 量はそれ また, このときのNzOx NOz の物質 3 と た。 和人数を(ParL/(K moD) 4 可聞反応①の平衡定数を7w 。。 および レで表せ。またたのWW る書け。 5 間2 この平衡状態でのNe0x NO。 の分圧をそれぞれ がA (PaJ, が (Pa) > じで 間1における平衡定数を かw p を含む式で表せ。 間3 NOzの物質是7m を 7。 および で表せ< : We がー。 >おぉくと. @は①の反応においで何を表しでいるか。 を の しの の内容を簡潔に書け。 癌5 党をで表せ。また, NOx NOz の分圧 の、 と 7s を P とので表せ。 問6 上記の状態(平衡定数人) から温度をさらに上げると請ガラス容品 MM Me の 次の⑦, (に答えょ。 ed , "は下記のどれか。 (3から (⑳) アッ>た (5) 婦= (ec) 災く着 IOから NO:が生成するときの友応衝をのz放 0は下記のと 9ー()から1つ選び 記号で示せ 6 9 の0 (0 0=0証5議 2

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

【大至急】 授業でこのプリントをもらったのですが何をいっているのかわかりません。 解説お願いします。

電子の軌道 栓頃合 電子の武道 (orbea) には次のように s畔道、p 執洛、 9 ある。 。 執道は 1 種類で球形、 p 軌道は3 種で鈴アレイの など、さらに細かく 分類できる。 ーー 下の國はそれぞれの電子執道のエネルギー準位をあらわしている。 図の下側ほど、エネルギーが低い。したがって電子は一番下の1 * (つま りK殻) から順欧入る。下の図にCa までの電子配置を書き込んでみよう。 そして、末移元素とはどのような電子配填上の特徴があるか考えよう。 畔道、( 肉道が ょうな形である ダダダダイダ 電子配土 3つの規時 4Z 4g 49 42 42 第1に みるの 電子はできるだけ 演妥当3239 4 6 2 安定な較道(オービタル) から入る。 き 第2に タタタダ 1つの導にはスピンを送にする 1 対の電子までしか入れない。 (ウリ の排人原理)