Nearlyから始まる文のfoundの意味を教えてください。

| availabijity of cheap labor. Nearly every fruit and vegetable found in tNe detot www conscious, often yery serious consumers is stil picked by hand: every head otletuee www ーー 抽還EER TRY。 0 At . Aa the demand for tboee io ba

赤で線を引いたところの変形が分からないです。 どっちかだけでもいいので教えてください！

(2) | sm ヶ テ Cos*テの= sinテcosテ のの ( Sin*gx 提 ユ 4 1 | (1一cos2r)r (Ia near 1 1 き* ーで2

わかりません。 明日までに答えを教えてください。 よろしくお願いします。

に合うように。( )に間切な研を入れなさい 1 もっと基ければ。肥は TT( 。。 )yomser1( 。 )wawtpteasnew 2 もし和が分なら。空からきれいな所を 世較 ( ) bcartial vews fm 3 もし胃時が了らなければ。撤女は色たちに加わるだな frt( 。。 )mmtemmewrse( )jam we wewy( 。 DI( )sm 4 その半地の近く 昌行く rir ) near me amasement pwk 1( ) ee er dey 5 もう少し安かったら。和はその還を項う He( )( 。 )weeri( ) sl cheaper 6 そのパスに生れば 科女千家に著くことができる she( ) gwthomeerir( )ae( )mebue とは風りません、 さらに 回回 次の( )内の動を必要があれは適当な形に恋えなさい。 ただし. 奏を日本語に直しなさい。 1 Tryou も mm my pce what wo yom doz| The (Gr) more carefuh the ascdcnt wouidnt hawe happcned。 TFT ave enough monor Two go abroee- T world (ec0 fil maks then ifT had given scorect answer (5 th nestOn Trhe ome. TI tel him ao it 3 mnたep 名を伯定法を用いて書きかえなさい。 回 記 回 - | W 1 Asrdidmt work adTddnt do wel ar et る

この下線部は、 なんでC(補語)ではなくM(修飾語)なのですか？ 理由教えてください！🙇💦

1) Ms. White's house is near my school. ( )

He runs a book store near the restaurant. これは第3文型で合ってますか？

関係代名詞の問題です The hotel （ ）the conference was held is near the city hall. でカッコにはwhereが入るのですが、whereは完全文のとき入りますよね？　was held の後目的語がなかったので（... Read More

2番、3番、4番が分かりません 教えていただけると嬉しいです

(② 今朝は塞かったので, 風邪をひきそうになりました。 〈 as, nearly 〉 27 ア ⑧) その少年は遅刻したので, しかられました。 〈 be scolded 〉 4 彼がまだメールを送ってこないからといって, をんなに心配する必要はありません。 (anxious,just becaus

A→Everybody who にします。 Everybody those という言葉を私は見たことないんですが実際Everybody thoseで主語を作る時もあるんですか？

ad OO 伯昌 hose attended the 攻こ 語ら workshop b iness card to poston the iuwlemniowrinean near the front deSK. D rought 4

最後の一文の訳を教えてください！

ee 革 *UOISU9] DUB JI 9rnSsard PT DIOAP 0 91BO うルを/ 補う 錠素 ランヤァ SurP1 AIAAOTS DUY RON auop 9 PITOHW HB DU UIH1 ST3H10 1BHA no 2ipntd ]! 19ダ o+ TuA DU 138 01 Pu ]BUAA SB SIHe19P HOnS 0 S SaouararJTD BIHIUIS 9q IHS APtr grad nad Aau セ 8uJ38 JO SDI 3H1 no aidiourrd mi Juanearge Sr 3rotH と cPargDISHOつ 9d DDOuS/SuoruidO DuV Suil3aJ SSOHA oio2e oldogd J3dO 2ra1 eo 将 ug) 5 aea+8 uaadl QtuSIouAO 3d JO SDIBA9T aT〕 3AB昌 “SgUI[99J 31O DU agUP "SSUDES “9A0】 3JP13Jut 2のDpe Du DDZHESD) Puo4d 1/J9dUrotr9r HO SA 19d JSo[ 3d} dJIAA 9 ルツ JO S1Oadse UIe unTleっSr Aq HGd IIリ 3rrooad UM 1SOLLITB で3 1 SO本 'Urgd Ua 閣5 4Im on uog d 3 UT Sr 3UO O II 91 3 + MM も"1 nb36 Paurnsuoo IDS SE SHS 1O ad 了 64 汐Su p JO JIg sm‥向 nr

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED