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*最著名之共價固体為C形成之共價固体,包括C之三種重要之同素異形 ①用鑽石立方形成之鑽石 ② 斜方晶系之石墨固体 ③ foc 1個格子點填入60個C形成Bucky ball (Go) ① 鑽石(或矽半導体),單胞結構為DC. 即C或S;位在8個角隅位9和6個面心<200G以及 413 ¿ T-sīte [444]a, [444]a, [444] a, [4] FRA 444 8個次單胞之体心,就是單胞之T-site 2 - Ja 444 XRD PREPARERE IF THREAD fcc è Bravais lattice 1個格子點擁有2個C原子 √3a=4r+ 4r 或用[女]到 (有2個T-site是空的) []=zr => a = 2 2 2 或用边长是之次單胞 ∴對於DC而言,恆有 va=8r 填入边長a的單胞 此時T-site位於8個角隅 代表角隅和面心上的C不可能接觸
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只有fec"鏹"CN=12才可稱最密堆積,而鑽石為自然界最硬的物質,CN= 4 若CN=12,會因電子雲重疊,而使晶格瓦解。同族的“鉛”已是金屈鍵, 因半徑大,鍵較C之共價鍵弱,故為fec,CN=IZ的晶体結構 鑽石單胞之APF= 8x a³ ~1/3/00/m 32 -3 3 tr³ 户 | | zx55x100%=34% 此為bac金属(CN=8)之APF 由圖中可知,相鄰二個單胞只有一個心有C,且只有4個角隅有C 变成 匈 0%+68% 平均 APF = - 34% C之三種同素異形體 Bravais lattice 個格子點擁有原子數 Diamond Graphite Bucky ball fcc simple hexagonal fcc 乙 zz_3 60
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C和Si用1:1形成之化合物,SiC在固体之晶格,有二種多晶形 d-SiC 相當於纖鋅礦結構:Si作hcp排列,C 填入2個不相鄰之T-site eig[00]][38] 21 ©[00 } ] © [00 } ] [ ] [ ] 41 T-site | 3 338 SiC-bH一次要畫6個單胞才真正週期性重現 CL=6 120° Si STC-4H 一次畫4個單胞就可週期性重現,边之T-site有C 已發現SiC-4H是多晶形Sic中最有用之功率(kW)半導体 提供高溫,高電壓,100GHz 通訊傳播速率之毫米波通訊 乃因六方晶格中稜边方向都有T-site C (4) (2 (4) 電子遷移率 沿(C軸)使e一和聲子不易散射,故有特佳之 聲子導熱率 B-SiC相當於鑽石立方結構:可以取;作fec排列 C填入不相鄰之T-site(反過來亦可)也同之閃鋅礦結構 <Note> IB VIA ILA VA 共可形成24種二元化合物半導体 Hg Zn Cd s Ha Se onů B N Al P Eg = 1~4 eV $19 GaAs Te 立方晶 閃鋅礦 In Sb 之多晶形類似 結構 六方晶 纖鋅礦
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②C之另一種同素異形為六方晶系“石墨”,同一層(六角形)之C都是用 SP混成軌域和相鄰3個C形成3個丁鍵 每個C上都有1個2Pz軌域之一,利用側面重疊形成不鍵(束縛鬆) 只要有微小電壓施加,就容易沿平行石墨層漂移 0=2x1052m²⇒為導体 Oic = 2005'm+ ⇒為半導体 石墨之單胞為簡單六方單胞 但有二個120°角隅無C佔據 ∴個簡單立方單胞只擁有一個C原子 即1個格子點只擁有一個C原子 Orc = 2x105 墨之APF = 共價鍵長1.42A 上下層間距3.35A 2 4. ×号元10773 1.42Ax1.42Axsin60°×3.35月 底面積 Jot x100%=21.8%<鑽石(34%)
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③ 1985年Buckminister 利用雷射汽化石墨固体,快速冷凝出現 新的C之同素異形体,被稱為Buckminister fullerene,俗稱Bucky ball 化學式C60,XRD 顯示Bucky ball為fec,1個格子點擁有60個C ⇒ 1個fcc單胞擁有240個原子 20 正六边形 Bucky ball Coo原子排列為含有個 12 正五边形 但任二正五边形不會共用一边 C60 排列成外觀如同 C 足球一樣,故稱Bucky ball 半徑5月 10角隅C60和•面心C60 只有次鍵 vander waals force 和金属鍵一樣為較弱鍵 ∴必須互相接觸,滿足za=4r=4(5A)→a=14.14A
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整個bucky ball 為電的絕緣體 作foc 最密堆積的 Buckyball (Cao),1個Coo擁有個 常溫下Bucky ball為絶緣体∵個正五边形之C鍵角為108", 接近SP3之鍵角故難以導電。雖正六边形之C為和石墨相同SP之C, 但兀e只能在正六边形內傳導,到了正五边形就無法傳導 T-site,G=0.225(5A) D-site, √6 = 0,414 (5Å) THE WHEEL THE Coo è T-site D-site 填入可卡住之金属原子(M) 次鍵很弱 會選擇週期表左下側之金属原子(半徑才夠大) 填入M造成之品格扭曲 只是塑性变形 最常見為IA的KRb Cs T-site ** 10571 1972 1-site FIXM, HERBAL AD MBC e.g. K3 Coo, Rbz Coo, Cs, Coo 常溫下变成半導体(TL⇒來自金属導電度未定域ke一之5个) 而且發現降至某一臨界溫度以下,M3Go全变成超導体 M3 C60 出現超導之臨界溫度 K3C60 18K Rb₂ Coo 29K CsCoo 33K
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*(高分子)聚合物晶体,有二種結晶模式 Vander waals force 1. fringed - micelle model .C Ć-ç .C 'C' 微晶 micelle 排列差之末端边缘 只利用次鍵形成之高分子晶体,晶体凝聚能(或H)不可能太低 定溫定壓下G=H-TS即使在T=300K,不是很高溫時 因結晶造成的焓下降太少,寧可在末端排列較差使熵Sump上升 2. folded - chain model 同一條鏈內為C-C 類似 共價鍵,但鏈間為vander waals force 最常見之 HDPE 打断C-C之下鍵須3eV之能量 但聚合後生成√鍵會放出4ev 能量↓ 可以自然發生 Hi 几個 CC' 照光或加熱 H H 自由基(不穩,會和周圍形成「鍵) 断兀鍵 幾乎是直鏈狀排列,結晶度可達95%以上, 但不可能是100% H
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HDPE 最常見用 folded - chain model 形成“簡單斜方”晶格 只有1個格子點,卻塞入12個原子 4個C 擁有 8個H HOPE ELLER DE FEVERE > 2.55A 4.94 Å 241 Å 19 4x1zamu+8x1amnx 6.02x1023 Ltheoritical -8 2.55x10cmx741x10cm×494x100℃m -8 -8 = 0.9966號(仍比水輕)
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* Vander waals crystals D14 (inert gas crystal): He, Ne. Ar. Kr. Xe ②分子晶体(molecule crystal): ,非極性分子晶体:H2.D2.N2,CO2,CHy⇒分子偶極矩(EM)=0 極性分子晶体:HCl, HBr,CD、NH3、H2D⇒分子偶極矩(EM)20 利用 London force 凝聚成之晶体 利用Debye force 凝聚成之晶体 利用Keesom force (次鍵中最強氫鍵)凝聚成之晶体 單原子分子氣体在低溫高壓下利用分散力形成之晶体 來自瞬時偶極矩-感應偶極矩之引力 分散力(dispersion force)偶極間引力 平均平衡鍵長 次鍵之位能井很淺, r(相鄰之鈍氣原子間距) 且曲線二边很不對稱 OK Y r(陰陽離子氣體間距
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鈍氣晶体 分| He 散 Ne 力 to Ar 越Kr * Xe u=qxd He X He He晶体X-ray 繞射顯示為簡單大方晶格 但實際上体內必須有一個He原子作hcp排列 在TIK,P=24.7atm,已發現He可形成hcp晶体,CN=12 e.g.0.95K e.g. 25 atm <cf>主鍵之半徑一般視為"共價半徑" ro=2R,R為凡得瓦半徑 電子雲間斥力,若是鈍氣晶体,几約為12 No個鈍氣原子形成之鈍氣晶体引力能U=- NoA .6 + No B | 之 yn 100 離子晶体凝聚能 OK時之平衡鍵長
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<ex> Calculate the Madelung's constant for an infinite chain of alternative positive and negative Tons +-+-+-+-+-+- <Ans> 題意相當於計算1度空間+=1之陽離子 and so on Z==| E-=12 陰離子 形成之無限長鏈 週期性重現之晶体,凝聚能u=-A8+8+Be 2 2 Ae Be² + 几 ez ez 2 e ez ľ +-+-+-( 十-十一 :(-ř+ + r zr 3r 4r ...)x2 對指定之陽離子而言,左右都有庫侖能=-24(1-2+3+4+5)= r RP Madelung's constant A= 2 (1-1/2 + 1/1 - | | + |— —-—-11) == Ae r Taylor 必須利用 all+x) X²++,當x=1代入 展開式 2+34 +5 In (1+1) = (1-1±±±²¯ 4+ ———...) = $2A=2&2
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