回路図の書き方教えてください！

の 3 oeのge ーー るて"7 で7 "Oo6907 補攻あ娘 モ6 oe 計g *マ2

２枚目の写真の(2)の問題なんですが、なんで、10の3乗をかけなきゃいけないのか分からないので教えてください🙇‍♀️

受け取った日 の物質量が等しいやので, 水酸化チトリゥム き液の体積を ymL]とすると, 次式が成り立つ。 10 56 / ーーーーーーーー ーーーーーーーーーーーーー PC ルル※ 1000 上ー]※ 22 4X108 mol圭1X0.10molL※ 1600 L」 09 NH。が受け取る H+ NaOH が受け取る H+

なぜアボカドロ数をかけなきゃいけないんでしょうか？ 体積には4molあって、１mol分を知りたいから体積割る4ではダメな理由ってなんでしょうか？教えてください😭😭

"HH IO 次人 トリ クハの精豆の単位格子を図示 ,) 単位格子に含まれる ウ 2 ゾンCT の数はそれぞれ何個か。 1個の 0 ンー 1 中心間申陰が何 nm のところ に何個か。 】個のNa* のすぐそばにある NaT は, 中心間距離が人nm のところに何個か。y 2 1.4, /き=1.7 とます aeと) mol の塩化ナトリウムの結晶の体積は何 cms か。 ァボガドロ定数6.0X10?/mol, 5.6?=176 とする。 5 炊化ナトリウムの結卓の密度は何 g/cm* か。Na=23 Cl=35.5 とする8、

教えてくださいよろしくお願いします。

回 溶解度積 司イオンを含む水池に確化水素を通すと。 確化物がすscあい coの> >の いられる。 硫化水素は水に傘解すると, XOう80WoWDepys。 が 5 < + HS- …の。 ksroxio2meyo の Ko=1.0x10-5(mo/UD /がし。 生化水素の水への溶解度は, pH にかかわ5ず常に0.10mol/Lとする。 また 革浴性の金属太化物 MSも水にわす かに浴け, 次の浴解平衛が成り立つ。 ksp=[MES] このとき, Ksp の値を浴解度積といい。 名人金属硫化物に固有の定数なる。 ただし, PbS, MnS の角度積はそれぞれ 1.0x 10" "(mol/J 1.0x10-!Cmol/LJとし。 pH を変化させたときの水溶次体積化は無視できるものとする。 (3) Pb2*と Mn2+をそれぞれ 0.010mol/L ずつ含んでいる混合水溶液の PHを2.0 に保ちながら, HzS を十分に通じたと き, 生じる沈暴の化学式を答えよ。 また。 沈殿しないで潤液中に残っている Pb*T。Mn2*の濃度はそれでれ何 mol/Lか。 (2⑦ (①の反応後を坊過して沈暴を分離する。 ろ液の pH を 6.0 に保ちなが5, HzS を分に通じたとき。 生じる決和の化学式 を答えよ。また, 沈殿しないで溶液中に残っている Pb** Mn<*の濃度はそれぞれ何 mol/L か。 (3) Pb2+と Mn21をそれぞれ 0.010mol/L ずつ含んでいる混合水溶液がある。 これから, PbS と MnS のいずれか一方だけを 沈典させるための pH の最大値を求めよ。 (称波大回)

なんで等しくなるんですか？

人ems ーー S 00mL の浸遊圧を, 図のよ ネ 1 | アルコ CHO を名の宙度をそれぞれ 」 』 DO 前0 信人 Hg として, 次の各問いに ! ン 二 13 7659 のキム .0g/cm' 13. 重いK 凍0お5ただし。 水溶液の濃度変化はな ョ (1) 水溶液の浸遊圧は何 Pa か。 (⑨ 溢柱の高きんは何cm か。 mw ト-ホポッフの法 ! (1) 7リーzX7 に各値を代入する。 CeHiz0e王180 から 則7P=zR7 を利用する。 (0 Op xs.3x10Par/(Kmya ⑫ : 77=5.02X10?Pa=5.0X10*Pa このとき) 単科画策 : (2 1.0X10'Pa は水銀柱で 76.0cm なので, 単位面和 あたりの質量は次の較係式 | ”りの質量は,13.5g/cm3X76.0cmニ1026g/cm: となる.1 から求められる。 | たがって, 5.02x10*Pa は, 1026g/cm2X5.02X107(10 質量(g/cm2)= ! 10)=5.15g/cm2 に相当し, これが液柱の単位面積あた! 殺話[g/cm x高き(cm〕) の質量に等しい。 1.0g/cm3x ん【cm]=5.15g/cmz ん5.2cm

1日考えてますが教科書見ても解けません😭😭🙇‍♀️ どなたか理由などと一緒に回答も教えていただくことは出来ませんか？🙇‍♀️🙇‍♀️😭😭

ee rmss 、 」。っっ we WW)はEo ES と2 1 RA し の吉表の家志には。 で元素 に Wa 9 でて mi ] ume bsかでいる< 府うに コ Na 局う ッ 夫稚 )がつりられている。 たどと 本 た )はいフ )である R 5 雪 ムといった 林寺 がある。 また IT の散の和によってはは3 c )ののを のCI)は(がくっ2ついだせチ 陸くっ たのロシア人の茸学者 これらは電子 静を(" 。 )という・財入が 横に並ぶ元素 )元来と )か.そ 粘合は のイォンの結る 国とう しによる結 IAられる電子の至は )とv 村 *

44 の答えは③の0.3g です。 なぜそうなるのか解説お願いします

2Ms キ 9 た。 マグネンウムの質明を変えて行い マグネシウムが全て反応したとき。 (2) の問いに符えなさい。 9 したとき。 最も適当なものを次の 62 3e3て7 1 きい。解和香号は| 4.3 ] 表 了昌14お0 2Maeo 加計前の質基 (g) | 0.3 cslos 12| 5 2MeOs @ Mer oz Mgos 加和の質尼(e) | 65 | +0| 15|20| って 〇@ 2Met oz っ 2Meo 02 中ジクムを加熱した後。 質量を是ると 2.3gであった。このとき, 反応しないで残っているマグネシウムの質基は 間 も)もいーーaいさい 名和番号は [44 | っ 3 ・ 2 Clg 本ce ⑨0.3g @0.4g @05g @ceg 22 -1ら5

学校の宿題で答えはありません。どなたか間違えがあったら教えて下さい。お願いします🤲🥺

やって 以下の物質名を化学式に, 化学式は物質名にせよ。 (①) 電 Ca 。 (のh ⑫) 水素 =財 (⑪) NH (3) 二琶化過 (c) ck (4) アンモニテ IMF ーッ (d) CO。 ⑮ 場kりゥム dd _ (onag (@) 酸素 > (f) NaoH ⑰ 雅人鉄(h) RS議計較は い, ⑲ 巧人トリゥム OH

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

（2）をわかりやすく説明して欲しいです。 お願いします！

[葉き] pe 、 217. 理想気体と実在の気体邊次の文中の( )に適語を入れ、下の各問いに答えょ 気体の状態方各式に完全にあてはまる仮想の気体を( 靖 )という直王方, 実在の 体は, 気体の状態方程式に完全にはあてではまらなMs これは, 実在の気体では、( 1 に引カが働き、また, 分子自身が( ウ )をもつためである5 (1) 実在の気体が, 気体状胡方各式にあではまるのは 次の0-=0のどの条件か ) 低温低圧 @ 低温・高圧 8高温。低詳二9高温高圧 (2) 水素と窒素では, どち らが気体の状態方租式にあではまり やすいか。 理由とい\ に答えよ。 』