答えだけでいいのでお願いします🙇‍♀️

3 トドルマプーンプ1有L デー ーー 問題1 Pon 気体はすべて標準状態として, 次の各間いに答えよ。 (⑪) Imol のメタン分子 CH4 の質量[記および体積を1]をそれぞれ求めよ。 チルだら 、② 2ブンのCIの需 (g〕 および体積 [L)] を, それぞれ求めよ。 オイ Ri が/ 見eGなのび 3 だ (3 08mel の補素 N。 体積]と空素が 11.2しあるときの物質量mo]と質量[g]を求めよ。 つ 22.條※ ④⑳ 8.96L の窒素 N> と 3.60L の酸素 Oz を混合すると, 質量は何 gs になるか<。 (⑮) 標準状態において, 密度が 1.34gL である気体が 22.4L あると きの質量[glを求めよ。 (の 標準状態において, 密度が1.34gL である気体が1.5mol ある ときの質量[g]を求めよ。 0% 上酸素 20%が混合した混合気体を 22.4L 集めたときの平均分子量を求めよ。 ずつとったとき, 同温・同圧で最も体積が大きいものはどれか。 思N。 (ウ) メタンCH4 (エエ) プロパンCH

二酸化炭素CO2の分子量・0.02molの質量[g]・8.8gの物質量[mol]の求め方を教えてください。

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

この問題の解き方教えてください🙏🏻🙏🏻

(4)リン酸( ⑯ ) (5)硫琶バリウム(⑥ ) 質量パーセント濃度が 1 0 %の塩化ナトリウム水溶液 (食塩水) 300g 中に深けている 塩化ナトリウム (食塩) の質量を求めまさい。また、 この水溶液中の水の質量も求めなさい。 AS

(2)なぜ5/2かける必要があるのですか？

元 "143.144 2時:軒 酸化還元滴定 い 8あう7 3.144 | | 濃度が未知の週酸化水素水 20.0mL に硫酸を加えて酸性にしたの 8 POn計 | の週マンガン酸カリウム水溶液で滴定したところ 10.0mL を加えたところで, 反 | | が藤了した。このとき, 周隊化水素および通マンガン酸カリウムは次のようにはた5 | 過マンガン酸 いている。 カリウム水深湊 HO0z。 一> 0z二2HT 十 2e- …① 電 Mn0-十8H十5e- 一つ Mnサ十4HO …② ビュリ2 (1) ⑦式, ②式より, この反応のイオン反応式をつくれ。 (2) 過マンガン酸カリウム 1.0mol と過不足なく反応する 過隊化水素は何 mol か。 (3 通化水素水の渡度は何 mol/L か。 ーー (④ この実験では, 褐色のピュレットを用いる。その理由 の財 を答えよ。 水水 NN ⑤ (5) 反応の終点はどのようにして知るのか。 デベ (1) ①式,②式中の e~ の係数を等しくして, 各辺を加え, e- を消去する。 (2②) (1)で求めたイオン反応式の係数の比から求める。 (⑬) KMn04 と 比Oz の物質量をもとに等式を立てる。 悦司 () ①式x5+⑨式x2 より, 5Hz0。 一っ 50。10H"+10e- ①x5 +) 2Mn0に16H" 10e- 一っ 2Mm*+8HO @X2 2Mn0。 5HOz+6H* 一 2M* 50。+8HO_ 園 (⑫) 酸化剤と居元剤が過不足なく反応すると き, (KMn0, の物質量) : (Hz0。 の物質量)=2 : 5 10molx信=25mol 略 II

２の(3)ってどうやって化学反応式つくるんですか？なぜH2Oの係数が6なんですか？？

人 が し全導のゲー 0 和 り し / い ぞ淫 2 がく 1 とう 小 々 のバ ぉの名徐 0 り物質 あま ャうに 際* )物質量や濃度を豆 た 其の ド ! | SS悦の 濃度を 求める操作の のしを進めてし に もEす1 191 は 際と場昼ヵ るルレ と プ た。 て SM で ミ.財 2/儲。 。 変化3 て と何というか、。 本 ャ4 ニー : ゝ っ かっ -画 ほ を 。w夫My S 人サー そル渡芝 ョュンこことの介をジ の 結 のよ ァ の ンー お 本 に MVいさ【、 会、 ズ の次に MS: に 2 3 C) N 『( | 7 が* aH | 。 NaH57* | G) C 0 0 oO0N2 ンー aCl(Oh) 1 を ルル古 ) rh性 .居其性 広 の水溶洪の性 性・壇基性) を記せ。 隊 と どの >酸と塩基の中和反応で をれの塩(は・ レン このL きび) | 和! 反応 で生ド) ん4 / も を記せ ーー き 10_- ヽ を f / し XX 一 1Xc [mol/ル. 1000 「 1 + NaOH 一Ces oe ーノ K素塩(酸性塩)・塩基性塩分 xNaCl十HzO トドPONE (2) CHsCOOH + KOH一… CO。 + 9 (3)中和』 c三0.03 NH。) 2SO4 (PO。) 。 6H2O ヶト (2)中和滴定 6.0 1000“ (e,華性 a 還 し ぎ D し=テ1x0.050 molM/ しX 基性

【至急】解法を教えてください。