学年

教科

質問の種類

化学 高校生

化学基礎の問題です。 解説をお願いします🙇‍♀️ 一部の問題でもいいので教えてくれると嬉しいです😃

6 ある金属Mの硫酸塩 MSOの式量を の分子量をmとする。 この硫 水H20 酸塩水和物 MSO4 H20 (nは整数)の結晶 [g] を蒸留水 [g] に完全に溶 " かしたところ, 密度d [g/cm²] の水溶液ができた。 (1) この硫酸塩の水溶液の質量パーセント濃度を式に表せ。 (2) この硫酸塩の水溶液のモル濃度を式に表せ。 【解答】 (1) (2) 100mswi (m+nmw) (wi+Wz) 1000dw (ms+nmw) (w1+Wz) [%] [mol/L] 7 図は、塩化ナトリウムの結晶構造を示したものである。 ただし、アボガドロ定数を 6.0×1022/mo1, NaCl=58.5、 5.63=175.6 とする。 また、 Na+ と CVは互いに接し、 No+ どうし、 CI- どうしは離れているものとする。 (1) この単位格子に含まれる Na+, CI の数はそれぞれ何 個か。 (2) 1 個の No+は何個の C-と接しているか。 (3) CIの半径は 1.7×10-8cm である。 Noの半径は何cmか。 (4) 単位格子の質量は何gか。 (5) 結晶の密度は何g/cm²か。 有効数字2桁で答えよ。 【解答】 (1) Na+...4個 C1~・・・4個 (2) 6個 (3) 1.1×10-8cm (4) 3.9×10-22g (5) 2.2g/cm² (1) Na (2) 6個 【解答】 14 [mol/L] 4 (9) CL 4 10 -5.6×10^- ONa+ CI™ cm 8 標準状態で470.4 [L]のアンモニアをすべて、 1.0[L]の水(密度1.0[g/cm²]) に溶解させたら、溶液の密度は0.90 [g/cm²] であった。 アンモニア水のモル濃 度を求めよ。 H=1.0、 N=14 9 密度がA[g/cm²] で質量パーセント濃度がB[%] の濃塩酸がある。この濃塩 酸を薄めて、 C [%] の希塩酸(密度D [g/cm²]) [cm²] つくりたい。 必要な濃 塩酸は ( ① ) [cm²] であり、薄めるために必要な水の質量は ( ② ) [g] である。 【解答】 ① CDE/AB ② DE (I-C/B) 10 次の文の に適する数値を入れよ。 H=1.0, 0=16.0, アボガドロ定数 を 6.02×1023/mol 6.35=256 とする。 水が凝固して氷になると, 水素結合により水分子は図1のように配列する。 酸 素原子は正四面体構造の4つの頂点と中心にある。 図2はその単位格子で, 一辺 が 6.35×10-°cmの立方体になる。 立方体の頂点に位置する酸素原子は8個, 面 上にある酸素原子は(a) 個, 内部にある酸素原子は(b)個である。 したが って, 単位格子の中には(c)個分の水分子が含まれる。 氷の密度を求めると (d)g/cm² になり, 液体の水の密度 1.00g/cm² より小さい。 これが氷が水に浮 く理由である。 【解答】 (a) 6 (b) 4 図1 酸素 水素 (c) 8 (d) 0.934 0.99×10 'em \176×10cm 図 2 6.35 x 10 em.. B

回答募集中 回答数: 0
物理 高校生

77の問1、R1にも電流流れてて、Cにかかる電圧はVよりも減ると思って、その分溜まる電気料も減ると思うんですけど答えはCVでした。なぜですか?

78 E U 電気量の関係 ① Q1=Q2+Q3 ② Q=Q2+Q3 3 Q=Q2+Q ④ Q2=Q+Q ⑤ Q2=Q3+Q 問2 図2(a)に示す極板間隔dの平行板コンデンサ に電圧 V をかけたときの静電エネルギーを ひとする。 このコンデンサーに図2 (b)のように 比誘電率&Tの誘電体を極板間にすきまなく挿入 し、電圧 V をかけた。 このとき, 極板間の電場 の大きさと蓄えられた静電エネルギーUを表す式の組合せとして正しいものを 下の①~⑥のうちから一つ選べ。 ① ② Vo d Er Uo Vo d U₁ Q (C) 2×10-6 5×10-6 8x10-8 2x10-5 5x10-5 6 [③] Vo d Er²Uo [⑥] ⑦ V² 2R₂ ⑨ 電気量の関係 Q2=Q3+Q Q2=Qi+Qz Q2=Qi+Qz Q2=Qi+Q2 ⑧ 4 Vo Erd U₁ Vo (a) ⑤ Vo Erd Er Uo Q₁ (C) 8x108 2×10~ E 5 × 10~ 8×10-s 77 コンデンサーを含む回路 ③ 内部抵抗の無視できる起電力 V〔V〕 の電池E に, 抵抗 値がそれぞれ R [Ω], R2 [Ω] の抵抗 R1, R2, 電気容量 C [F] のコンデンサー C, スイッチ Si, S2 を図のように接続 した。 <1992年 本試〉 問1 はじめ,スイッチは両方とも開いており, コンデン サーに蓄えられている電気量は0であった。 この状態で, S のみを閉じた。 十分に長い時間が経って電流が流れなくなるまでに, 抵抗 R」を通 過した電気量として正しいものを、次の①~⑧のうちから一つ選べ。 次に, S」を買い て S2 を閉じた。 コンデンサーの電気量が0になるまでに, 抵抗 R2 で発生したジュー ル熱として正しいものを、次の①~ ⑧ のうちから一つ選べ。 抵抗 R を通過した電気量=1 [C] 抵抗 R2 で発生したジュール熱= 2 [J] LIGUYO _2の解答群 O ①/2/2② v ③/2/2 CV2④ CV2 V V V² 2R1 ⑦ R₁ R2 問2 次に, S2を閉じたままにして, 再びS を閉じた。 十分に長い時間が経ったの コンデンサーに蓄えられている電気量として正しいものを、次の①~⑥のうちから 142 SL 6 Vo Erd Er²Uo 誘電化 R₁ R₂ S₂

回答募集中 回答数: 0
物理 高校生

ローレンツ力の範囲です。(4)について質問なのですがeは何故マイナスを付けないのでしょうか。

半導体を用いて磁束 密度を測定する。 図のように x,y,z軸をとり、電流の 担い手が電子である半導体を置く。この半導体は x,y, 方向の長さが α, b, c の直方体である。 x軸に垂直な 面をP, Qで,y軸に垂直な面をR, Sで表す。 (1) 半導体の面Rから面Sに向かってy軸の正の向きに 第19章・電流と磁場 161 A BI J [電流Ⅰ〔A〕 を流した状態で, 磁束密度B[T]の一様な磁場がx軸の正の向きに加わる ようにする。 このとき, 半導体の内部を平均の速さv[m/s] y 軸方向に移動する 電子(電気量 -e 〔C〕) は,磁場から力F [N] を受ける。 Fの向きと大きさを答えよ。 (2) x軸方向に電流を取り出さないものとすると、この方向に電場 Ex〔V/m〕 が現れる。 ① 電場 Ex が生じる理由を述べよ。 ② 電場 Exの大きさを求めよ。 ③ 定常状態で,面Pと面Qの間に生じる電位差 Vx 〔V〕 を求めよ。 ④ 電位が高いのは面P, 面Qのどちらか。 X ●(3) 半導体内の1m²当たりの自由電子の数をn 〔1/m² 〕 とする。 電子が移動する平均の 速さを,電流Iの関数として表せ。 OL ●●(4) α =5.0×10-3m, b=1.0×10m,c=5.0×10m, n=2.5×10 /m²の半導体を用い て磁束密度を測定した。 半導体に流す電流を I=2.0×10-A としたとき, 面Pと面 Qの間の電位差は Vx=5.0×10-V であった。 磁束密度Bの大きさを求めよ。 ただ し,e=1.6×10 - 19 C とせよ。

回答募集中 回答数: 0