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化学 高校生

4でシクロヘキサンが蒸発した後も加熱を続けるのはなぜですか? またこの実験の誤差を小さくする為の実験の条件や方法などはありますか?

1. 乾いた丸底フラスコ, アルミニウム箔, 輪ゴムの質量 (Wig) を測定する。 2.シクロヘキサン約4mLをフラスコに入れ, アルミニウム箔でふたをし, 輪ゴムで押さ える。アルミニウム箔にシャープペンシルで小さい穴を1ヶ所開ける。 3.1Lビーカーに沸騰石とお湯を入れ, 丸底フラスコを浸し、穏やかに加熱する。 ※丸底フラスコ全体がなるべく浸るように湯量を調節する。 4.シクロヘキサンが完全に蒸発した後, 火力を調節 して温度を一定に保ちつつ、さらに2分間加熱を 温度計 小さな穴をあ -けたアルミニ 続ける。このときの水温(℃) を測定する。 ※箔の穴から蒸気が出ていないこと確認 5. フラスコをビーカーから取り出し, 水で十分に冷 やす。 フラスコの外側の水を完全に拭き取り 室 温に戻す。 6. 室温に戻した後のフラスコの質量 (W2g) を測定 する。 ウムはく -沸騰水 (約800mL) シクロヘキサン このはいったフラ スコ 7. 使用した丸底フラスコを洗い, フラスコの口いっ ぱいまで水をいれ、その体積 (VmL) をメスシ リンダーで測定する。 1 L ・沸騰石 ビーカー 8. 実験室の気圧 (Ppa) を気圧計で測定する。

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数学 高校生

接線の問題です。下線部の言っていることが全く分かりません。分かりやすく説明して欲しいです!

Check 例題 180 第3章 図形と方程式 次 例 題 99 円外の点から引いた接線2 ヴ+y=5 に点(3, 1) から接線を2本引く. そのときの2つの接点 をP, Qとするとき,直線PQの方程式を求めよ。 考え方」 (i) 離れ 考え方 接点の座標を P(x), w). Q(x2. 12) とおいて求める。 解答 接点をP(x), y), Q(x2, Va) とすると, 点Pにおける接線は これが点(3, 1) を通るから, 点Qにおいても同様にして, D, ②より。点P. Qは直線 3x+y=5 上の点である。 2点P, Qを通る直線は1本に決まるので,直線 PQ の方程式は, 円x+y°=r? 上の 点(x), )における接綱 Xx+y=5 3x+y=5 …① 3x2+ y2=5 …2 の方程式 X1x+ yy=r? YA d> 解答 3x+y=5 (別解)点R(3, 1) とする。 るの V5 P AOPR とA0QR は合同な三角 形だから,対称性より, ORIPQ これより,直線PQの傾きは -3 であるから, kを実数として, 直 線 PQは, y=ー3x+k とおける。 0 x Q (直線 OR の傾き) k ×(直線 PQの傾き)=-1 図より,k>0 原点と直線 PQの距離dは、 1- d= 13+1 V10 ここで,直線 OR と直線 PQの交点をSとすると、 AOPRのAOSP であり, OR=/10, OP=/5, OS=→R だから, 15:=/10 V10 <POR : ./ 低重心シャープペン 白·0.3mm BALANCED MECHANICAL PEN.0.3mm H 1 >21 ニ1 v G

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