（2）が分かりません 解説よろしくお願いします🙇🏻‍♀️

で表す。 単位で表す。 を、オー 例する。 準問題 電流・電圧・電気抵抗 次の実験について、あとの問いに答えなさい。 別冊p.57 物理 回路に加える電圧と流れる電流の関係を調べるために、2種類の抵抗器を用いて、 炭火のⅠ、Ⅱの実験を行った。 <実験) (注意株) I 図2 図1 電源装置 A 電流計 図1、図2の回路をつくり、 抵抗器に加える電圧を OV から80Vまで20Vずつ上げて、抵抗 器に流れる電流の大きさを測定した。 図3は、その結果をグラフに表したものである。 抵抗器X 図3 0.5g 0.4 抵抗器Y 50.3 抵抗器X 0.2 抵抗器Y 19 a 20 表す。 いう II 同じ 電圧計 抵抗器X、Yを用いて、 右の図4、 図5のように 直列回路と並列回路をつくり、電源装置で電圧を 加え、回路全体に流れる電流の大きさを測定した (1) Iについて、次の問いに答えよ。 流れ 0.11 流 0 '0 2 4 6 8 抵抗器に加える電圧(V) 21 図4 図5 抵抗器X 抵抗器X 抵抗器 H 抵抗器YT 22 ①抵抗器 X に 6.0V の電圧を加えたとき、 抵抗器 X に流れた電流の大きさは何Aか。 ② 次の文は、抵抗器に加えた電圧と流れた電流についてまとめたものである。文中の( に入る最も適当な言葉を答えよ。 2.運動とエネルギ 重要 [ 実験の結果から、 抵抗器に流れる電流は、抵抗器に加える電圧に比例することがわかる。 この関係を ( )の法則という。 ③ 抵抗器 Yの抵抗の大きさは、 抵抗器 Xの抵抗の大きさの何倍か。 ④ 抵抗器 Y に 6.0V の電圧を加えたとき、 抵抗器Yの電力は何W か[ (2) Ⅱについて、 次の問いに答えよ。 ①図4の回路について、 回路全体に加わる電圧の大きさが12Vのとき、抵抗器 Xに流れる電流 の大きさは何Aか。 ② 図 4、 図5の回路について、回路全体に加わる電圧の大きさを同じにしたとき、図4におけ る回路全体に流れる電流の大きさを1、図5における回路全体に流れる電流の大きさを1と すると I と12の比 (11:12) はどうなるか。 最も簡単な整数の比で表せ。 ガイド (2)② 電圧が一定のとき、回路全体に流れる電流は回路全体の電気抵抗に反比例する。

中2、電流と磁界の範囲の質問です。 図2の左右の方位磁石がなぜ下を指すのか分かりません。解説お願いします🙇

図1の磁界の向きを正しく表している矢印をなぞりなさい。 図2の○の位置に方位磁針を置いたとき、 方位磁針の向きはどのようになるか。 右の例にならって図2の中にかき入れなさい。 ただし、 N極側を黒くぬりつぶすこと 1) 図1 導線 図 2 電流の向き 磁界の向き 導線 電流の向き

⑵の答えはイなんだそうですが、磁界の向きは反時計回りなのだからアではないんですか？教えてください。

のようすを調べた。 また、 図2は、 1本の導線を流れる電流のまわりにできる磁界のようす がつくる磁界 図1のように、 1本の導線に電流を流したときの磁界 について説明するための模式図である。 これについて、あとの問いに答えなさい。 図 1 上 図2 磁力線 電流の向き ―導線 ~N極 厚紙 下 電流 内側に曲げた 残りの指の向き 「磁界の向き 親指の向き (1) 右手を図2のようにして、親指の向きを電流の向きとすると、内側に曲げた残りの指の 向きは何の向きを表すか。 (図1で、 磁針のN極はア、イのどちらにふれるか。ヒント

可能な限りで構いませんので、穴埋め部合っているのか確かめて頂きたいです

【カルビンとベンソン(米) の実験】 ①クロレラにCO2を取り込ませる <参考> 二次元クロマトグラフィー (理論) ②オートラジオグラフィーによってCを 含む化合物を調べる。 90°回転 000 温度計 HCO2 (放射性) (MCは放射 ④展開の方向 ろ紙 ろ紙の原点に ①で 採取した試料をつけ, 展開液に浸して次 展開する。 ○原点 原点 抽出液を原点に つけて最初の 展開液で展開 (一次展開) 次の展開液で展開 (二次展開) 14602 クロレラの 培養液 ⑧ 熱エタノールー (反応停止) 反応を停止させた クロレラから成分 を抽出し, クロマ トグラフィーで分 離する。 分離した化 合物 上昇率の違いによ って試料中の化合物 をろ紙上に分離させ る。 ・原点 クロレラの培養液に H'CO」 " の形でCO2を注 入し,一定時間ごとに試料を採取する。 結果 5秒後 PGA (C3化合物) 0 60秒後 様々な 物質 展開の方向 ろ紙を90°回転し たのち, 展開液の種 類を変えて二次展開 する。 MCを含む化合物の追跡(模式図) D **Cを含む化合物 のスポット 二次展開したろ紙 にX線フィルムを 密着させる。これを 現像してオートラジ オグラムをつくると PCを含む化合物の 位置に黒いスポット が現れる。 X線フィルム 4C (炭素の放射性同位体)からなる二酸化炭素 (14CO2) を緑藻類に 与えて光合成を行わせ, '4C がどのような物質に取りこまれていくかを Cの含まれる割合(相対値) PGA (グリセリン酸リン酸) ・糖リン酸 スクロース (有機酸 アミノ酸」 時間 CO2が取り込まれて最初にできる物質は, PGA である。 観察することで,カルビン・ベッソン 回路を発見した。 生物基礎 復習 * 光合成速度 と 環境要因(光、CO2濃度温度) 単位時間当たりの光合成量 (吸収 CO2量、 放出 O2量) ● 植物は光の強さとは無関係に常に光合成をする。 二酸化炭素吸収速度 (吸収) +10→一(放出) 光補償点 見かけの 光合成 度 合金 [光飽和点] [呼吸速度 光の強さ 「光合成速度 測定したCO2吸収速度は「見かけの光合成速度」 光合成速度 = 見かけの光合成速度 + 〔呼吸速度] ● 光合成速度は光が強まるにつれて増加するが、 ある強さの光 (= 飽和点)以降は一定となる。 *植物の生息する環境と光合成 植物が生きるためには[光補償点 ]より強い光が必要。

可能な範囲で構いませんので、あっているか確かめていただきたいです。

P145 参考 C3 植物・C4 植物・CAM 植物 ・ 植物は, CO2 の固定によってできる化合物の違いなどによって, C3 植物, C4 植物, CAM 植物に分けられる。 をカルビン回路で固定、最初に(化 植物・CO2 合物 (PGA) をつくる植物。 日中に気孔を開き, 気温が高く乾 燥した条件下では気孔を閉じる。 高温乾燥条件下では,気孔 を閉じるため,CO2濃度が低下してしまう。 → 呼吸が起こり、光合成の効率が低下する。 + PLUS α ルビスコと光呼吸 ハグロース ルビスコは,カルビン回路において1分子のRuBPにCO2を付加 し、2分子のPGAを生成する反応で働く酵素である。 一方, RuBP O2を付加してPGAとホスホグリコール酸を1分子ずつ生成する 反応も促進する。 ホスホグリコール酸は, カルビン回路の進行を阻 害する作用をもつ。このため, 植物は、ペルオキシソームとミトコ ンドリアを経由し, ATPを消費してホスホグリコール酸をPGAに 変えている。 この反応は, O2 を消費し, CO2 を発生させることか ら光呼吸と呼ばれる。 葉緑体 RuBP CO2を取り込んで 違う物質 に変えること。 ホスホ グリコール酸 グリコール酸 (CO2) 触媒 カルビン回路 Oz ミトコンドリア |ルビスコ {PGA] グリセリン酸 [ADP ATP] ペルオキシ ソーム ● 4 植物 CO2 を C4 回路で固定,最初に C4 化合物(リンゴ酸など)をつくる植物。 CO2は葉肉細胞で固定, C4 化合物として維管束鞘細胞へ。維管束鞘細胞で C4 化合物からCO2を取り出 し、カルビン回路に用いる。 高温・乾燥条件下でも、 CO2濃度を高く保つことができる。 例: トウモロコシ, サトウキビ, ススキなど (熱帯原産) 葉肉細胞 維管束鞘細胞 葉の構造 さく状 組織 (CO2 葉肉 [オキサロ カルビン 回路 C4回路 CO2 海綿状」 組織 酢酸 表皮 有機物 [リンゴ酸 CO2濃度: 高 クチクラ 気孔 孔辺細胞 -表皮 木部 師部 維管束 維管束鞘細胞 (p.56) ・CAM植物…日中は気孔を閉じて蒸散を抑え,湿度の上がる夜間に気孔を開いて CO2 を取りこみ,固 定してリンゴ酸などの C4 化合物をつくる植物。C4 化合物は液胞にためられ,昼間に再び CO2にもどさ れてカルビン回路に送られる。 砂漠などの乾燥条件に適している。 例: ベンケイソウ, サボテンなど (乾燥地帯 多肉植物) 夜 CO2 気孔を開く 昼 気孔を閉じる オキサロ 酢酸 液胞 リンゴ酸 C カルビン 回路 CO2 有機物

可能な範囲で構いませんので、あっているか確かめていただきたいです。また、空白の部分を教えて頂きたいです。

(気孔から放出) O2 12 H2O チラコイド膜 光エネルギー 葉緑体 光化学系 ⅡI 光化学系 I 24 240 24e 24(H) H -24 円 •12 NADP + -ATP合成酵素 ◆12 NADPH +12H ・師管 ・スクロ グルコース ↑↓ 同化デンペン ADP ATP ストロマ CO2 12 C3 -12 ATP 流 12 ADP 6 H2O (回路全体で) 6 ADP カルビン 12 C312H 回路 -12 NADPH 6 ATP -12 NADP+ 10 12C3 6 (CO2) (気孔から取り入れ) 有機物 D 有機物の輸送と貯蔵 貯蔵デッペン ● 光合成で生じた有機物はサイトゾルでスクロース などに変えられ,師管を通って各部へ運ばれる (=転流)。根や種子などでは,有機物はデッペン となり貯蔵される(=貯蔵デンプン)。 ● 光合成の速度 ・転流の速度 ... 葉緑体でデンプンが合成・ 一時的に葉緑体に貯蔵される(=同化デンプン)。 光合成の速度 <転流の速度(夜間) 同化デンプンが分解され、スクロースに変えられて、他の組織に運ばれる。 P144 参考 呼吸と光合成の共通性~ ATP 合成･･･ ATP合成酵素による ・電子伝達系により ATP が合成される反応… 光合成: リン酸化,呼吸: 酸化的リン酸化 ・電子は膜に埋まったタンパク質複合体を通って流れる。 →光化学系Ⅱと光化学系Iの間ではたらくタンパク質複合体と呼吸の電子伝達系の 中間ではたらくタンパク質複合体は, 構造もはたらきもよく似ている。 呼吸 ミトコンドリア NADH- NAD e HH H₂O H H:O H H H ° H 膜問 H A チラコイドの内側 H -ADP マトリックス | ストロマ | ATP H 葉緑体 光合成 ･･･ミトコンドリアの祖先と考えられている 好気性細菌 -NADP- NADPH は,もともとは光合成を行 っていた細菌が,光合成の能力を失ったものであ ると考えられている。 -ADP ATPI ・呼吸と光合成は, 同じ祖先生物の代謝系から進 化したもので, あるものは呼吸の電子伝達系へ, あるものは光合成の電子伝達系へと進化したと 考えられている。

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P141 問2 光リン酸化と酸化的リン酸化の共通点について述べよ。 B ストロマで起こる反応 = カルビン・ベンソン回路 ... チラコイド膜でつくられた ATP と NADPH を用いて、二酸化炭素を還元して有機物を合成する。 気孔から二酸化炭素(CO2) が取りこまれる。 →CO2はリブロースニリン酸 (RuBP, (化合物)と結合する(図①)。 (ルビスユ (リブロースニリン酸カルボキシラーゼ/オキシゲナーゼ, Rubisco)という酵素 のはたらきによる。) →生成物が2つに分解されて, 2 分子のホスホグリセリン酸(PGA, _化合物)になる(図②)。 →PGA は ATP のエネルギーとNADPH による還元作用によって, グリセルアルデ ストロマ (気孔から取り入れ) CO2 リブロース 【ニリン酸 (RuBP) ① ② ホスホグリセリン酸 (PGA) 6 12 ルビスコ •12 ATP -12 ADP ヒドリン酸(GAP, 化合物)となる (図③)。 6 ADP →6 分子のCO 2 が回路に取りこまれる と, 12 分子の GAP が生成される。 6 ATP →GAP のうち 2 分子は糖などの有機物 の合成に使われる (図4)。 残りの 10 分 子は ATP のエネルギーによって再び RuBPへもどる (図⑤)。 有機物合成へ Co ○ チラコイド での反応 [ストロマ P141 参考 光阻害とカロテノイド での反応 10 •12H •12 NADPH Ca 12 NADP+ グリセルアルデヒド 【リン酸 (GAP) (H2O /回路全体で 16分子の水 が生じる ﾚ 光が強すぎることによって光化学系が損傷を受け, 光合成速度が低下すること。 ● β-カロテン (カロテノイドの一種) は, 光阻害から葉緑体を守るはたらきをもつ。 ●キサントフィル(カロテノイドの一種)の一部は,過剰な光エネルギーを無害な熱エネルギーに変えるはたらきをもつ。 ・光エネルギー C 全体の反応 6002+12H2O C6H12O6 +60z+6H2O *化学反応式:6002

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光合成のしくみ チラコイド膜で起こる反応とストロマで起こる反応の2段階がある A チラコイド膜で起こる反応… 光エネルギーを用いて、ATP __NADPHを合成する ①光エネルギーの吸収 チラコイド膜にある光化学系Ⅰ・Ⅱが光エネルギーを吸収する。 →光エネルギーが光化学系 I, 光化学系Ⅱの反応中心のクロロフィルに集められる(図1)。 ② 電子の伝達 光化学系の反応中心のクロロフィルがエネルギーを受け取ると, クロロフィルは活性化し、 反応中心から電子 の受容体に電子が渡される(図2)。(=光化学反応) →光化学系____で,電子を失った反応中心のクロロフィルは,H2Oから電子を受け取って,還元された状 態にもどる (図③)。 →光化学系 光化学系 IIから流れてくる電子 の反応中心のクロロフィルは電子の受容体に電子を渡し, を受け取る(図④)。 →電子の受容体に渡された電子は最終的に NADP+に渡り, NADPH が生成する。 ● 水の分解によって生じた電子が光化学系Ⅱ, 光化学系 I を通って NADPHまで伝達される反応系 という。 ・光合成の電子伝達系 →電子が電子伝達系を通ると,H+がストロマ側から4ラコイド膜の内側に輸送される(図⑤)。 ③ ATP の合成 チラコイドの内側のH+の濃度がストロマ側より高くなる。 → H+がチラコイド膜にある ATP合成酵素を通ってストロマ側にもどる(図⑥)。 → このとき ATP が合成される(=光リン酸化 (Fの濃度低) ストロマ チラコイド膜 チラコイドの内側 (濃度高) [化学系] www.x (図⑦)。 タンパク質 光化学系 電子の受容体 複合体 NADP+ 還元酵素 H₂ 24e 24e 色素 タンパク 質複合体 反応中心の クロロフィル 電子の流れ (H+ H H H 24H 12H2O (H H H 低 -24 H 12 NADP + 12 [NADPH - 12 H チラコイド での反応 | ストロマ での反応 ADP ATP 合成酵素 ⑦ ATP H カルビン回路へ

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第3節 光合成 一同化- 光合成とは…光エネルギーを用いてを合成し,これを用いてデンプンなどの有機物を合成する反応。 * 炭酸同化 ･･･生物が CO2 を取り入れ、 有機物を合成するはたらきのこと。 (例. 半合成、化学合成 光エネルギー A 光合成の反応の流れ |葉緑体 チラコイド 水 12H2O チラコイドでの反応 光エネルギーの変換) 酸化される 電子の運搬体 18 ATP 12NADPH 酸素 602 二酸化炭素 6CO2 ストロマでの反応 有機物 (CO2の還元) 水 ( C6H12O6 ) B. 葉緑体の構造 ●外 (包)膜と内 (包) 膜の二重膜構造, 内部に袋状のチラコイドがある。 ●チラコイド膜には化学系Ⅰ・Ⅱが存在する。 ● チラコイドと内(包)膜の間の電子伝達系には,二酸化炭素を 有機物に合成する反応にかかわる多数の酵素が含まれている。 ●独自のDNAをもち、半自律的に分裂により増殖。 C. 光の波長と光合成色素 ● 光エネルギーを吸収し, 光合成に用いる。 あおみどり クロロフィル 主なもの (Mgを含む) { 4007 ** クロロフィル 黄緑 カロテノイド { カロテン 橙 黄 図 17 クロロフィルの吸収スペクトルと光合成の作用スペクトルの例 光の吸収(相対値) 6H2O 還元される ストロマ を吸収 Aクロロフィルαめが♡↑ B クロロフィル強めが♡ C 光合成速度の例(緑藻) 600 700 光の波長 (nm) 吸収スペクトル:光の波長と吸収の関係を示したグラフ。 半合作用:光の波長と光合成速度の関係を示した スペクトル グラフ。 400 500 光合成速度(相対値)

・物理 交流 (2)2)の問題です 2枚目に下線したところが分からないです、どうして2Rの方には電流が流れなくなるのですか？ よろしくお願いします

試問題研究■ 次の文の 必要なら同一番号を繰り返し用いてよい。 ] の中に入れるべき正しい答を,それぞれの解答群の中から選べ。 (ア E 2 1 S R 2R L (1)空気中に,単位長さあたりの巻き数nで円筒状(断面積S,長さり)に導線を巻いた ソレノイドコイルがある。1は十分長くて内部の磁場は一様とみなしてよい。μを突 気の透磁率、流れる電流をIとすると,内部の磁束密度は(ア)で与えられる。 このとき、1巻きのコイルを貫く磁束は(イ)で,ソレノイド全長でのコイルの 巻き数は(ウ) だから,ソレノイド両端に生じる誘導起電力から、このソレノ ドの自己インダクタンスLは(エ)で与えられる。 (2) 図のような抵抗値Rの抵抗1と抵抗値2Rの抵抗2, 自己インダクタンスLのコ イル、起電力Eの直流電源よりなる回路がある。 電源の内部抵抗, 回路のコイル以 外のインダクタンス, コイルと導線の抵抗は無視してよい。 最初スイッチSは開い ていて、次の1)から3) の操作を順番に行った。 電流は図の矢印の向きに流れる場合 を正として符号も正しく答えよ。このとき,以下に注意せよ。 コイルに電流が流れ ると電流に比例した磁束がコイルを貫き、磁束の変化を妨げる向きに誘導起電力が 生じる。これにより, コイルにはスイッチの開閉直後に直前の磁束の値を保つはた らきがある。 1) 時刻t=0にスイッチSを閉じた。 その直後に抵抗1を流れる電流は (オ) で,コイルを流れる電流は(カ)であった。 2) スイッチを閉じてから十分に時間が経過すると系は定常状態となり、抵抗1 を 流れる電流は(キ)で,コイルを流れる電流は(ク)となった。 3)ここで,時刻t=Tにスイッチを開いた。 その直後に抵抗2を流れる電流 は(ケ)であった。 以上の実験で,抵抗2での電圧降下の時間変化を正しく表しているのは(コ) である。図の抵抗2の矢印の向きに電流が流れているときの電圧降下を正とする。