教えて下さると嬉しいです

Put the words in the correct order to complete the sentences. 庄内の語句を並べかえて. 英文を完成させなさい、。 1. Parents can choose the schools that they (go / their kids / to / to / want). 2.、 The teacher let (after / go /not/ Tim / warning him) to read comics in Class. 3. Please excuse (by / calling / our / you / your first name). 5 4 Instead (after / her health /improving/of/ the BBtaii6)語詳5吉ES >

Customer can obtain coverage for replacement and repair of printers through the purchase of an extended warranty. この分の訳を意訳で教えてください。 手元に答... 続きを読む

(すみません、至急の質問です…！) 本当に基礎だと思うのですが、どうしてltanθになるのかが理解できず、、😭教えて頂けると嬉しいです！

<発展例題 の 笛方投抽と自由落下 RS 図のように 水平面上に距離 7 だけ離れた 2 + 点A。Bがある。また上且の真上に点Cが| ~ に。 あり, BAC=のである(時刻*0た。 点A から点Cに向けて小球P を近き3。 で打ち出す ュー と同時に, 点C から小球 Q を自由落下させた。 の ー 小球P は AB 間を通過するのに十分な速さで ~ Al ーーテー オ の2の80のきだ2どSS8 (!) 距離CBを/とのを用いて表せ。 | 時刻におけるの、氷平面からの高きをそれぞれ求めよ。ただし 時刻 1 において, P は放物運動 Q は自由落下をしているとする。 (3) Pが点Bの真上に達する時刻 。 を求めよ (4) (3の時刻において、P は Q に命中するか命中しないか。 (3) Q が自由落下している間、 Q から見た P の相対速度が一定であることを示せ。 [因太】⑦) P については操直上向きを正とした圭方投抽の式。Q については拉画下向きを正とした 自四落下の式を遂用する。吉C からの Q の変位を y。 とすると,Q の高さはCB一yu (9) Qから見たP の相対速度は。 ベクトルの式で考えると孔洲に説明できる。 7 恒語軒 ) CB=ABtan9=/tanの KSSY (9 水半面からのPの鉛直方向の変位(上同きを正)は, yr=wsinの一すの6" (Pの高き)=w すP QのWs)=CB-ys 上京CからのQの鉛直方向の変位(下向きを正)は。 か6吉 の高き…wsinのにすg、Gの高…7tanの一9

(すみません、至急の質問です…！) 本当に基礎だと思うのですが、どうしてltanθになるのかが理解できず、、😭教えて頂けると嬉しいです！

<発展例題 の 笛方投抽と自由落下 RS 図のように 水平面上に距離 7 だけ離れた 2 + 点A。Bがある。また上且の真上に点Cが| ~ に。 あり, BAC=のである(時刻*0た。 点A から点Cに向けて小球P を近き3。 で打ち出す ュー と同時に, 点C から小球 Q を自由落下させた。 の ー 小球P は AB 間を通過するのに十分な速さで ~ Al ーーテー オ の2の80のきだ2どSS8 (!) 距離CBを/とのを用いて表せ。 | 時刻におけるの、氷平面からの高きをそれぞれ求めよ。ただし 時刻 1 において, P は放物運動 Q は自由落下をしているとする。 (3) Pが点Bの真上に達する時刻 。 を求めよ (4) (3の時刻において、P は Q に命中するか命中しないか。 (3) Q が自由落下している間、 Q から見た P の相対速度が一定であることを示せ。 [因太】⑦) P については操直上向きを正とした圭方投抽の式。Q については拉画下向きを正とした 自四落下の式を遂用する。吉C からの Q の変位を y。 とすると,Q の高さはCB一yu (9) Qから見たP の相対速度は。 ベクトルの式で考えると孔洲に説明できる。 7 恒語軒 ) CB=ABtan9=/tanの KSSY (9 水半面からのPの鉛直方向の変位(上同きを正)は, yr=wsinの一すの6" (Pの高き)=w すP QのWs)=CB-ys 上京CからのQの鉛直方向の変位(下向きを正)は。 か6吉 の高き…wsinのにすg、Gの高…7tanの一9

なぜ2はダメですか？

幼MTN6tli9の2のUTC マン 4 6 For short staYS, Canada does not TedUife that W enter the country, and ( り。 ① neither the U.S. does ②⑧ the U.S. does neither ③ the U.S. doesn't either ④ the U.S. doesn't, too e obtain V1SaS (慶應義時

37　(2)が分からないです💦 ＋abcは、式をまとめるときにどこに入りますか？

(の(ウッー 3) 2) 382 ァデー2ァxy十ッターァオッー2 *4) (5) 2*"二リーy?十7ァー5yー4 37 人 の“(の一c)二2(c一 ルンンー の

教えてください

Es 22のlOつの127 3EE0」 の=中 ーラ< は純虚数 和素数平面上の 3 点 AB().C(⑦) について (1) @=2。 ガニ1 アニ(3 /3):のとき, ABC の大ききを求めよ。 (2 の=1す88二7。ァーg (o は実数) のとき, g=ニ7し ]ならば3点A。 BE, C は一直線上にあり, o=ィ ならばABTAC となる。 (、p.53 EX24 、

数B ベクトルについて なぜPは線分AQを2:1にない分するとわかるのですか？ 2:1はどこから出てきたのですか？ お願い致します🙇‍♂️

4縛語、、 寺式を満たす点の位置 * | _ AABC と点 P に対して, 違式 2PA+ 3PB+PC=0 が成り立つとき, | | 点Pは AABC 1 0 きるの 計式から の位置ペクトルを表式を中き。 その式から P がある線分の内分上であ ることなどを判断する。 解答では A に関する位置ベク トルを考えている。 点 A に関する位置ベクトルを考えて, 等式を変形すると A ー2AP+3(AB-AP)+(AC-AP)=0 整理して 6AP=3ABTAC 還 SAB AO 2 ABtAC oe よって, 辺BCを1:3に内分する点を Q とすると. 人ーーュー P は線分 AQ を2 :1に内分する点である。 悦

波線のところはどうしてこうなるんですか？ 公式の利用のしかたとかも教えて頂けると嬉しいです💦お願いします💦

、 の中点をMとするとき, 等式 <おいて, このことをぉ し が成り立つ。 ーのことを証e、 AB+ACデ BC をとって証明する。 そのとき. 辺 1 9 にAA 店人平面上 ように座林骨を定めるとよい。 5 の ei =((2++ 映ら) ー2(g?二が+g (2すすc? ト BTAC*=2(AM二BM9

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED