Comment

No comments yet

ノートテキスト

ページ1:

KV
STARTUP
111
ความตานทานและสภาพตานทาน
STARTUP
K) ความต้านทานและสภาพต้านทาน
fs
2, l
สภาพต้านทานไฟฟ้า (Electrical resistivity :p) !
A
• หมายถึง ความต้านทานของสารชนิดนั้น มีความยาว 1 เมตร และพื้นที่ภาคตัดขวาง
1 ตารางเมตร มีหน่วยเป็นโอห์มเมตร (m)
Resistance = R
Area = A
Length = L
จะได้
P = RA
PR
โดย R
คือ ความต้านทานไฟฟ้า -
2
0 คือ สภาพต้านทานไฟฟ้า - - 27 - 2
L คือ ความยาว - m
A คือ พื้นที่หน้าตัด -
2
P&R
m
โลหะเงินหรือทองแดงจะมีสภาพต้านทานไฟฟ้าอยู่บ้าง สังเกตจากการที่สายไฟ
เกิดรอนขณะที่มีการไหลของกระแส
มง
สาร
Tan.
สภาพต้านทานไฟฟ้า
สาร
สภาพต้านทานไฟฟ้า
Pre
(Qm)
(Qm)
Tung
เงิบ
1.6 x 108
ทองแดง
1.7 x 108
ในโครม
เจอร์มาเนียม
9.8 x 107
Pso
อะลูมิเนียม
2.7 x 108
ซิลิคอน
0.46
2.5 x 103
แพลทินัม
10.6 x 108
แก้ว
1010 x 1014
ISO
แมงกานิส
4.4 x 107
ไมกา
คอนสแตน
2.4.8 x 107
พีวีซี
1014 x 1018
10" x 1015
PondR
750
I 1500.

ページ2:

ความนำไฟฟ้า (Electrical Conductance : G
• เ เป็นส่วนกลับของความต้านทานไฟฟ้า
มีหน่วยเป็น (โอห์ม) หรือซีเมนต์ (Siemens) S
R
GαI
;
P = R/A "
P=RA
วัตถุที่มีความนำไฟฟ้าสูงจะมีความต้านทาน - ทำ
• วัตถุที่มีความนําไฟฟ้าต่ำจะมีความต้านทาน -
สภาพนำไฟฟ้า (Electrical Conductivity : 6)
เป็นส่วนกลับของสภาพต้านทานไฟฟ้า
โลมา
G =
มีหน่วยเป็น (โอห์มเมตร) หรือซีเมนต์ต่อเมตร 5/1
8 = 1
มท 0
P - 3
นาย 3 มาก.
ผลของอุณหภูมิที่มีต่อตัวต้านทาน
1. ตัวนำโลหะบริสุทธิ์ เช่น เงิน ทองแดง แพลททินัม
ความต้านทานแปรผันตรงกับ
- นําความรู้นี้ไปสร้างเทอร์โมมิเตอร์
pmy 5 (K)
• เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น สภาพต้านทานจะเปลี่ยนไป → มาก
- จึงนิยมน่าโลหะผสมไปสร้างตัวต้านทานมาตรฐาน
2. สารกึ่งตัวนำ เช่น เจอร์มาเนียม ซิลิกอน แกรไฟต์
•
เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น สภาพนำไฟฟ้า - แอบ ราดเ
ală
ic
KV
112
STARTUP
GAA
- การใช้สารกึ่งตัวนําประกอบในวงจรไฟฟ้า จึงทํางานได้ดีในช่วงอุณหภูมิที่ทําหนด
3. ฉนวน เป็นวัตถุที่มีสภาพต้านทานสูงมาก
เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้นมากๆ สภาพต้านทานจะ - 999,
• เมื่อนำไปต่อกับความต่างศักย์ไฟฟ้าสูงมากๆ จะกลายเป็น 9 นางฟ้า