これの(2)教えて頂きたいです。 答えは I1=(R1＋R3)E1-R2E2/R1R3 I2=R2E1-(R2＋R3)E2/R1R3 こちらです。 よろしくお願い致します。🙇🏻‍♀️

2025/10/20 電気回路 演習問題 (4回目) (1) 図1のように、電圧源の起電力 Eoと電流源 / および抵抗 R1 と R2, R3とからなる回路があ る。抵抗 R1と R2, R3にそれぞれ流れる電流 / と /2, /3を重ねの理を用いて求めよ。 (2) 図2の回路で電源 E1, E2に流れる電流/, /2を重ねの理を用いて求めよ。 (3)起電力 Eに R1 と R2, R3とからなる図3の回路で,端子 ab 間に抵抗 Rを接続した。 Rに流 れる電流をテブナンの定理を用いて求めよ。 (4) ある回路網の2端子間の電圧を測ると1.1Vであった。この端子に 4.5 Ωの抵抗を接続 すると端子間の電圧は 0.9 V になるという。 端子からみた回路網の抵抗を求めよ。 (5)図4に示す回路のように、端子 ef に抵抗を接続したときにこの抵抗に流れる電流/3 をテブナンの定理を用いて求めよ。 ただし, E=7.6V, E2=11.4V, R=4Ω, R2=9 Ω, R3=6 Ωとする。 I₁ R3 13 E2 R₁ R₂ R3 E₁ RI R2 I Eo 図 1 図2

(2)どうしても分かりません。 私からすると回路がとても複雑で、矢印なども書きつつ説明お願いしたいです。 どうかよろしくお願い致します。🙇🏻‍♀️

2025/10/13 電気回路 | 演習問題(3回目) (1) 図1のように、2つの起電力 E1 と E2と5つの抵抗からなる回路の be 間の抵抗に流れる 電流 / を求めよ。 (2) 図2はホイートストン・ブリッジ回路である。 bd 間の電流 /5 と ac間からみたブリッジ回 路の合成抵抗R を求めよ。 (3) 図3に示す回路で ab 間に加わる電圧 Fを抵抗 R1 R2 R3 および起電力 E1, E2で表せ。 (4)図4に示すブリッジ回路のついて次の問いに答えよ。 ただし、 G1~Gsはコンダクタンスで あり, G2= 2 S, G3 = 1 S, G=2S, G5= 2 S とする。 (a) E2とE3を求めよ。 (b) (a) の結果から, cd間に電流が流れないためのG1の値を求めよ。 R1 R2 a b 13 E₁ = R1 R3 R2 f 図1 R1 E₁ E2 a b R R Is Rs E2 R, R4 R3 E 0 f e E 図 2 E1 E2 G2 b G5 G4 G3 E3 図3 図 4

この解説が言っているまイメージがまったくつきません　教えて欲しいです

8の答 問4 観測者Aさんから見ると, 小球が手で保持されている間は, 小球は半径 号,角速度の等速円運動をしているので,小球の 速さは, V₁ = R xw= Ru 観測者Aさんから見ると、静かにはなしたあとは,小球にはた らく力が一切なくなるため, 小球は直前の速度のまま等速直線運 動をする。円筒の中心軸を点0, Aさんから見たときの, Cさん が小球をはなした位置を点C, 小球が円筒面と衝突する位置を点 Q とすると, 次図のようになる。 図の点Pは小球をはなしたと きの位置であり, 移動していく点である。 R R O T 13 22 R2 Aさんから見た小球の運動 (P) OC:OQ=1:2 より △OCQは∠COQ= TC である直角三角 √3 形であるから,CQRとなる。よって、求める時刻は、

問５の解説の？が書いてあるところがわかりません教えてください

起 B 半導体ダイオード D, 抵抗値R」の電気抵抗R., 抵抗値 R2 の電気抵抗Rま 電力Eで内部抵抗の無視できる電池Eを図2のように接続する。 ダイオードDに 加わる電圧と流れる電流の関係は、図3のように与えられる。 ただし, a側の電 位がb側の電位に対して高い場合に電圧を正とする。 問4 ダイオードDに加わる電圧を V, aからの向きに流れる電流をとしたと 24 き, R2 を流れる電流を表す式として正しいものを、次の①~⑥のうちから選 大切! E E ① ② V V R R₁ V R₁ R₁₂ ⑤I+- R ⑥I+R₁ V D b E 図2 電流 [mA] -60- 40 Q 問5 E=3.0V, Ri = 1000, R2=50Ωとしたとき、ダイオードDに加わる電 圧として最も適当なものを、次の①~⑥のうちから選べ。 25 ① 0.6 ② 1.0 ③1.6 ④2.0 ⑤2.6 ⑥ 3.0 問6 半導体ダイオードに関係した記述として適切でないものを、次の①~⑤のう ちから一つ選べ。 26 ① 半導体ダイオードは, p型半導体とn型半導体を接合してつくられていて、 型からn型の向きに電流が流れる性質がある。 ② p型半導体には,ホール (正孔)とよばれる電子の不足している部分があ る。 ③ 半導体ダイオードの中には、電流が流れる際に可視光を出す性質のあるも のがある。 20 電圧(V〕 -3.0 -2.0 -1.0 0 1.0 2.0 3.0 ④ 半導体ダイオードを二つ逆向きにして並列に接続すると、ある電圧までは A60 20 どちら向きにも電流が流れないが、 ある電圧を超えるとどちら向きにも電流 が流れ出す素子をつくることができる。 物 40 40 -60- ⑤ 半導体ダイオードは,直流を交流 (流れの向きが変化する電流)にする整 流回路に利用されている。 理 図 3 物理- 16

この式の近似計算についてで、右の黒の下線のところに書いてある近似を使うのですが、左の写真の1行目で通分してしまいよく分からなくなってしまいました。近似計算のコツがあれば教えて頂きたいですm(_ _)m

AF = G = =G- Mm (R-AR) Mm R2 - 2 - AR R Mm G AR -2 R² - G Mm R2 Mm R2 GMm (1+2 4R)- GM ≒G 1. R2

この問題の答えでなぜ10^3が分母に2つあるのか分かりません。どこから来た10^3なんですか?

113* 前問で,rは地球半径Rの何倍か。 有効数字1桁で答えよ。 g=10m/s2, 地球半径R =6.4×10°km, ≒3とする。

5の解説に〜を引いている部分についてよくわからないので，教えて欲しいです｡

43 電磁誘導 43 電磁誘導 137 図1のように、絶縁被覆した銅線を一様に巻いた長さ21のソレノイ ドコイルがある。 両端AとCとの間に直流電圧Vを加えたら電流) が流れ,コイルの中心P点に強さ H の磁場が生じた。 コイル以外の 導線の抵抗は無視する。 Ⅰ 次の場合,電源から流れる電流はIの何倍になるか。 また, P点 の磁場の強さはHの何倍になるか。 (1) 電圧 V の電源の正の端子をBに接続し, 負の端子をAとCに 接続する。 (2) B点を中心としてこのコイルを2倍の長さ(41)になるまで一様 に引き伸ばして固定し,両端AとCとの間に電圧 Vo を加える。 (3) コイルを元の長さ(27)に戻し,電圧Vの電源の正の端子をA に接続し,負の端子をBとCに接続する。 磁場の強さけ。 I 図2のように,固定したコイルの左端と中央とに,それぞれ銅の リングR1, R2 がつるされている。 スイッチSを閉じたとき, (4)電流が定常的になるまでの間に,R1 と R2 には電流が流れるか。 流れるとすれば,その向きはコイルに流れる電流と同じ向きか, 逆向きか。 (5)Sを閉じた直後, R1 と R2 は動きだすかどうか。 動きだすとすれ ば,その向きは左右どちら向きか。 ただし, R1, R2 間の相互作用 は無視してよい。 R₁ R. T A Vo S C B 図 1 evel (1),(2)(3)★★ (4)(5)★ 図2 (東京大)

電磁気の問題 （１）を三枚目の画像のように考えて解いていったのですが、（2）で（１）での考え方が間違っていることに気づきました。 どこが間違っているのかわかりません。教えてください

HE 120 内部抵抗が無視できる起電力Vの電 池E. 抵抗値がそれぞれR, 2R 3R で ある抵抗 R, R2, Re, 電気容量がそれぞ れC. 3Cであるコンデンサー Ci, C2 お よびスイッチSよりなる回路がある。 は じめスイッチSは開いた状態であり、コン R R3 5 C₁ R2 E C2 デンサー C, C2には電荷は蓄えられていない。

物理　電磁気の問題 （1）（ア）で答えが100=20（i1-i2）+8i1にならない理由を教えてください。

( 富山大) 116 図の回路で,E, E2は起電力100 Vと30Vの電池, R, R2, R はそれ 15Ω 20Ω, 8Ωの抵抗である。 電池の内部抵抗は無視できるものとす る。 R₁ 12 E2 150 30V R2 R 20Ω (1) E と を流れる電流を, 図の矢 印の向きにI [A], I2 〔A〕 とする。 次 の閉回路についてキルヒホッフの法 則を記せ。 802 h E 100V (ア) E→R→R→E (イ)E→→E→R→E (2) E, E2 を流れる電流の強さはそれぞれいくらか。 また. E を流れ る電流の向きは,図の左右どちら向きか。 (3) 3つの抵抗での消費電力の和Pはいくらか。 (4) E の供給電力 Qはいくらか。 (5) QP と一致しない理由を簡潔に述べよ。 (金沢工大+岩手大)

二についてで、3枚目の写真のW1＝V1IΔtとなるのが何故かわかりません。Iは変化してるのでこの式では表されないと思ってしまいました。教えてくださいm(_ _)m

次の文章を読んで, に適した式または数値を,{ のを一つ選びその番号を, それぞれの解答欄に記入せよ。 なお, からは適切なも はすでに で与えられたものと同じものを表す。 また, 問1~問3では,指示にした って、解答をそれぞれの解答欄に記入せよ。 ただし、円周率をとし,以下に登場 する物質や気体の透磁率はすべてとする。 (1) 図1のように,長さd,半径の円筒に抵抗の無視できる導線を一様に N回巻 き付けて作ったソレノイド(以下コイルとよぶ)がある。 円筒内部は気体で満たさ れており,コイルの長さdはと比べて十分長く,このコイルに電流を流すと円 筒内部には一様な磁束密度ができる。 このコイルに外部電源を接続して電流Iを 流したときに円筒内部に発生する磁束密度の大きさは イ である。 次に,微小時間 4tの間に電流をIからI + AIにゆっくりと変化させると コイルには誘導起電力 AI ロ × 4 が発生する(AIは微小量であり,起電 At 力の符号は電流の上流側の電位が高い場合を正とする)。 このことから,このコ イルの自己インダクタンスは ハ である。 また, 時間 4t の間に外部電源 がコイルにした仕事は ×4I である。 d 巻き数N