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化学 高校生

(3)のδ1の求め方についてですが、2枚目の解き方で合ってますか?どうしたら答えが約0.41になりますか?

^7g 第10間 次の文電を読み,(⑪⑮の問いに答えよ。 2がphOhAbike ことによっで 還 と 〇ーーひ ( 2 重用きれる同じ原子からなる二原子他の結合には舞ががいが のように異なる原子関で化学結合が生成するときには 電子諸の者がどちらか 1 の原子に引き寄せられで極析を生じる。 原子問の結合の格性の得度を家すために。 回にがすように電荷上とる一が距離ml 腸れで存住すると考えて, メニ 8・eという量を定義し5 から 一に向いた失印で水すことにする。 ここで4は電子の電導の大きき GL61 x 10" 0 9 でわる 2されたgが"と一到する電人は5ニ1 また4が0であれば5ー0である。 一邊には5が大まくな るにつれで ( ゴイ) 結合の価質が大きくなる。 のee- のに いくつかの分子の化学結合の護さとんの仁を示す。 [人[200.YmylzGOsGgy] こらは7で人する間な人のHe上EShた FT ah Ia ものである。 ここにぶすように。ょの伯は和導に依存し和合 ee ト SS 5 における8の箇典なる。 9 |a HellH7 | ae |ょ 3原チ以上からなる分子の李性は 個々の化学結合の個人と分子| Hr | 1 26 | ぁ の形か.ら決定される。一区楽では二つの琶原子と上原子 | 由 | sl | 15h | & が 0"でCFO のように一直線上に玉5ので 原子と原子の結合には個作はあるが分子全体としては 他4は生じない。このような分子は ( どる。 一 砂分子けは了子を頂県とする折れ曲 がった指造をとるので分子全体として極ほを有する。 (① 文章中の (ア) 一 (②) に入る語句を記せ。(各2 ) 亡 (⑰ 8 の値の大小を決める原子の重要な性質を記せ。 2 京) もををり\ な ⑬ 表に示したハログン化水素化合物は, それぞれ異なる5の盾をもつ。 この中で 最大の と最小の6をみん もつ化合物名を, それぞれの6の値とともに答えよ。ただし, 8は有効数字2桁で求めよ。(各2 点) ce) (⑩ 水の分子人体として細の方向を個々の0ー了結合李の方向とともに欠印を用いて示せ。 ただし、33人がま 個々の結合の作の方向は細い和印( 一と )で 分子全体の性の方向は白抜の矢凶(ーー>) cci5 で*t 6 ⑩ オルトージクロロペンゼンの分子全体としてのの大きさをとする。 この分子の中の一っのCI 知人のの値を7を用いて表寺 ただし ペンゼンはTHE人形とし 電子人の反凶ま CC 紗 策信外の枯は無補する。 鍛えに平方層が含まれる場合には それを小数近世しなくてよい。 3 YS 中 ※ペベンゼンは慣 1 例的に談素原子 f { C および沙素原 9のさ CBX 子 HH を放して ョクッ がり 表記している 9 H RO。 オルトージクロロベンゼンの指人造式。。 ペンヤッo相S やヤン HB

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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化学 高校生

この問題がどうしてもわからないです、、少しでもいいので答えてくれるとありがたいです!

問題 次の2区時人を読んで, 以下の問い ン紫布の成分表 に管えなさい。 sl回国則内間野 四半間引中四 引用 よ し 1 eSトットットーニートートト 呈還Frame EET CH 区 5計上上 トト 5 55ミートロ ーー RCI EE EE rel se宮上上トトse soトートートートーートms ※日本食品標準成分表 2015 年版(七訂)より 昆布を 5m 角以下に切り 小鍋に入れ, 下からガスバーナーを用いて強火で焼いた。 焼け残った物質に沸騰水を加えて, a可深物を溶かした。 不要物をろ過して除いた後, ろ 液を蒸発皿に入れた。 これに少量のa濃硫酸を加えた後, ガスバーナーで加熟して液を約 1プ6 に濃縮した。温かいうちにa過酸化水素を加え, ただちにガラス漏斗を逆さまにし て蒸発皿にかぶせると, 漏斗の内壁にe針状の結晶が析出した。 (1 ) 下線①の操作を何と言いますか。 ( ) (2) 下線のならびに下線③の化合物の化学式を答えなさい。 下線②( ), 下線③( ) (3 ) 昆布の成分表を見て, 昆布に含まれていると思われる元素の全てを元素記号で答え なさい。 ( ) (4) 下線@を取り出した方法を何 と言いますか。 ( Je・ ョhh ) (5) (4) を踏まえて, | 正体を答えなさい。 ( )

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