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化学 高校生

問1がわかりません😭 式を教えて欲しいです、、 もしよければ式の途中途中で、今何が求まったのかも書いてくださると嬉しいです、、、 (ちなみに答えは51mLです)

Inter 【2】 次の文を読み、問いに答えよ。 Hcl CaCO3 化学変化の量的関係を検証するため, 塩酸に炭酸カルシウムを加え, 気体を発生させる次の実験 ①~⑤ を行った。 下の問1~問6に答えよ。 計算問題はすべて有効数字2桁で答えること。 ① 薬包紙を5枚準備し, それぞれに炭酸カルシウムを 1.0, 2.0, 3.0, 4.05.0g はかりとった。 (2) 100mL ビーカー5個に3.0mol/Lの塩酸を20.00mLずつ加え, ① で炭酸カルシウムをはかりとったそ れぞれの薬包紙とともに、全体の質量をはかった。 ③ それぞれの薬包紙上の炭酸カルシウムをビーカーの塩酸に加え, ガラス棒でよくかき混ぜた。 このと き,気体が発生し, 内容物の飛散を防ぐため薬包紙でふたをした。 ④ 反応が完了したのち、ふたをとってビーカー内の気体を追い出した。 (5) ふたに用いた薬包紙とともに、ビーカー全体の質量を測定した。 0,6mol 問 実験②で,質量パーセント濃度36.5%, 密度 1.18g/cm²の市販塩酸を用いて 3.0mol/Lの塩酸200mL をつくりたい。 必要な市販塩酸は何mLか。 ↑ 0.02 問2 実験②の塩酸20.00mLに含まれる塩化水素の物質量 [mol] を求めよ。 問3 実験③で起こる反応の化学反応式を書け。 ↓ g/cm² よくラブと 問題文を見る! 問4 実験終了後, 炭酸カルシウムと発生した気体の物質量を算出し, グラフを作成したところ、次の図 のようになった。 発生する気体の物質量が途中から一定になる理由を答えよ。 発生した気体の物質量 (mol) 3 mol/L HCl 20m² 0.05 0.04 0.03 10.02 10.01 3.0×200mL 30×0.2 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 炭酸カルシウムの物質量 (mol) 0.6mol 問5 前の図において、炭酸カルシウムと塩酸が過不足なく反応する点はどこか。 解答欄の図 (=前の図) の該当する点(・)を○で囲め。 問6 炭酸カルシウム10g と 8.0mol/Lの塩酸 15.00mL を使って同じ実験をした。このとき発生する気体 への物質量 [mol] を求めよ。

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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