硝酸を製造するオストワルト法を一つの化学反応式で表すにはどうすればいいですか？教えて下さい🙇

L link 硝酸硝酸 HNO。は工業的には次のようにして製造される。 図 21 オストワルト法 Ostwald process 1 白金 Pt を触媒にして, アンモニアと空気を800~900℃に加熱して酸 化する。 触媒 (Pt), 高温 4NH3 + 502 4 NO + 6H2O (57) 2NQ +O2→2NO2 2 一酸化窒素をさらに酸化して二酸化窒素にする。 3 二酸化窒素を水と反応させる。 (58) すべて NO2 にする 3NO2 + H2O → 2HNO3 + NO (59)

必ず側鎖ごと酸化されるんですか？

GENERAL WRIT WRITING * HB * - 2% の炭素を含む) 第3問 有機化合物 問1 ベンゼン環の側鎖の酸化 1.0 × 10g=4.8kg 12 ... ③ OH 469 ベンゼン環の側鎖の酸化 ベンゼン環に結合した炭化水素基(側鎖) は酸化されやすく, 過 マンガン酸カリウム KMnO で酸化した後, 酸性にすると,炭化 水素基はカルボキシ基 COOH に変化する。 したがって, エチ ルベンゼンをKMnO で酸化した後, 酸性にすると, 側鎖のエチ ル基 -CH2CH3 が COOH に変化し、安息香酸 (②) が得られる。 -C-OK H ベンゼン環に結合している炭化水素基 は, KMnO で酸化した後, 酸性にすると カルボキシ基になる。 KMnO4 COOK 酸化 H2SO4 -COOH 弱酸の遊離 KMnO4 ・CH2-CH3 酸化 エチルベンゼン O 安息香酸カリウム H2SO4 C-OH 弱酸の遊離 O 安息香酸 安息香酸はCOOH をもつため, 炭酸水素ナトリウム NaHCO3 水溶液に加えると, 二酸化炭素 CO2 を発生しながら溶 解する。 -C-OH + NaHCO3 O C-ONa + H2O + CO2 Ⅱ( O なお, 側鎖がCHO, CH2OH や CH = CH2 などの場合も アルキル基と同様に, KMnO4 によって酸化され -COOH に変化 する。 (H2 F/CH3 スカフェ カルボン酸と炭酸水素ナトリウム カルボン酸に NaHCO3 水溶液を加え ると, CO2 が発生する RCOOH + NaHCO3 Find きれいな整数に なるかのうせいが 高いから ここだけ 酸化とかは ない? ・ヤと弱酸の遊離?」 RCOONa + H2O + CO2 どれだけ多く つながっていても -Cool (=18366 問2 高分

イの解説お願いします！！

プロセス 次の文中の()に適当な語句,式を入れよ。 Process B において, 4t 秒間にAが⊿c [mol/L] 変化したとき, Aの減少の速 ■ 化学反応 2A さUAはUA(ア)と表され,Bの増加の速さvg とは,CA=(イ)の関係がある。 7r. -71 P7 / 12

下線をひいたイの部分がなぜそうなるのかが分かりません。教えて下さると嬉しいです🙇‍♀️

プロセス 次の文中の( 1 化学反応 2A Process B において, 4t秒間にAが⊿c 〔mol/L] 変化したとき, Aの減少の速 さひは UA (ア)と表され,Bの増加の速さve とは,CA=(__)の関係がある。 )に適当な語句,式を入れよ。 ②反応の速さ”と反応物の濃度との関係を表す u=k[A]*[B]”のような式を(ウ)と いい。 (ウ)中の比例定数kを(エ), x+yの値を (オ)という。 (2) 3 化学反応の途中におけるエネルギーの高い状態を(カ)といい,その状態になるの に必要なエネルギーを(キ)という。 4 反応物の濃度を大きくすると,単位時間あたりの粒子のク)が増加するため,反応 の速さは(ケ)なる。 温度が高くなると,(コ)状態になりうる粒子の数が増加す るため、反応の速さは(サ)なる。 反応の速さを変化させるが,それ自身は変化しな い物質をシ)という。 プロセスの解答 (ア) -4c/4t(イ) 20m② (ウ) 反応速度式(エ) 反応速度定数 (オ) 反応次数 (カ) 活性化状態(キ) 活性化エネルギー (ク) 衝突回数(ケ)大きく(コ)活性化 (サ) 大きく (シ) 触媒

mol計算です

CO x3 molc 7) A 187.4 g sample of C3H5(NO3)3 decomposes according to the process below.malsbaz do + 12.01 3,8 4 C3H5(NO3)3 → 12 CO₂ + 10 H₂O + O₂ + 6 N₂ a. How many grams of carbon dioxide are produced? b. How many grams of water are produced? c. How many grams of oxygen gas are produced? d. How many grams of nitrogen gas are produced? e. The law of conservation of mass states that mass is neither created nor destroyed in a chemical reaction. Verify the law of conservation of mass for the decomposition of 187.4 g C3H5(NO3)3.

教えてください

74第口章 物質の変化 プロセス 次の文中の( )に適当な語句,数値を入れよ。 Process 1アレニウスの定義では, ( ア )とは水に溶かしたときに電離してオキソニウムイオ ン(水素イオン)を生じる化合物であり, ( イ )とは水に溶かしたときに電離して (ウ )イオンを生じる化合物である。一方, プレンステッド·ローリーの定義では、 (ア)とは( エ)を与えることができる物質であり, (イ)とは(エ)を受け取ることがで きる物質である。 塩酸や硫酸のように, 濃度に関係なく電離度が」とみなせる酸を( オ )という。また 削酸のように, 電離度の小さい酸を( カ )という。 日 25℃において,中性の水溶液の水素イオン濃度[H]は( キ )mol/Lであり, pHは (ク )となる。 酸性が強くなるほど, pH の値は( ケ )なる。 ん な日

オストワルト法の３つの式を一つにまとめる方法を教えてください

55) (54) OHO オストワルト法 Ostwald process 1白金Pt を触媒にして, アンモニアと空気を 800~ 900℃に加加熱して酸 化する。 触媒,高温 4NH3 + 502 4NO + 6 H2O (53) 2 一酸化窒素をさらに酸化して二酸化窒素にする。 2NO + O2 - 2NO2 3 二酸化窒素を水と反応させる。 すべて NO2にする 3NO2 + H2O → 2HNO3 + NO (55)

読みましたが、全体的に理解出来ません。英語で理解出来なかったので多分、全文和訳しても理解出来ません。 なので、この写真に載っていることを分かりやすく教えていただきたいです🙇🏻‍♀️

Free energy changes determine if a reaction is endothermic or exothermic. Processes in nature are driven in two directions: toward least MAIN IDEA enthalpy and toward greatest entropy. When these two oppose each other, the dominant factor determines th direction of change. As a way to predict which factor will dominate fora given system, a function has been defined to relate the enthalpy and entropy factors at a given temperature tropy and constant pressure. This combined enthalpy-entropy function is callepd t free energy, G, of the system; it is also called Gibbs free energy. This function simultaneously assesses the tendencies for enthalpy and entropy to change. Natural processes proceed in the direction that lowersthefree energy of a system. Only the change in free energy can be measured. It can be defined in terms of changes in enthalpy and entropy. At a constant pressure and temperature, the free-energy change, AG, of a system is defined as the difference between the change in enthalpy, AH, and the product of the Kelvin temperature and the entropy change, which is defined as TAS. Free Energy Change AGO= AH°- TASO Note that this expression is for substances in their standard states. The product TAS and the quantities AG and AHhave the same umor usually kJ. The units of AS for use in this equation are usually N If AG<0, the reaction is spontaneous. AH and AS in the free-energy equation can have positive or negative values. This leads to four possible combinations of terms.

すごく初歩的ですみませんが、イの考え方を教えて欲しいです。

半な木 プロセス 次の文中の( )に適当な語句,式を入れよ。 ー Process →Bにおいて,At 秒間にAが Ac[mol/L]変化したとき, Aの減少の速 さ 。は A=( ア )と表され,Bの増加の速さ VB とは, ひa=( イ)の関係がある。 2反応の速さvと反応物の濃度との関係を表す=k[A]*[B]°のような式を(ゥ )と 1化学反応 2A L.r 、

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED