下の3つが分からないです

E. 濃硫酸H2SO4 モル濃度と規定度を計算により求めよ 183×1000=1830 1830x 98 100 =1793.4 DOST 1793.4 98.08 モル濃度、2mg/L 18,285... 規定度...18.201 $100.0 n 37-00907LE 00298 F. E で求めた規定度をもとに, 濃硫酸を量りとり 6N, 100mLの水溶液を調製するためには, 試薬を何mL量りとり 何mLの水を加えればよいか。 1 TREED E20,10 1818 8 G. 純度100%の水酸化ナトリウムを使用し, モル濃度が2.0mol/L の水溶液100mLを調製する ためには水酸化ナトリウムを何g はかりとればよいか。 (H1.0 0 16 Na 23 ) H. G で使用した水酸化ナトリウムの純度が95%だった場合、 同様の濃度の水酸化ナトリウム水溶 液を調製するには, 何g 量りとる必要があるか。

赤で丸で囲った所の違いを教えてください。 問題文とかで見極める所があったら教えてください。

入試攻略 への 必須問題 500 酢酸の電離定数Ka, アンモニアの電離定数をK, とし,次の (1), (2)に 答えよ。ただし, (1), (2) ともに電離度αは1より十分に小さいとする。 (1) C〔mol/L] の酢酸水溶液の [H+] [mol/L] を求めよ。 (2) C〔mol/L]のアンモニア水の [OH-] [mol/L] を求めよ。 192 解説 基本的にH2Oの電離による H+ や OH の増加分を無視しないと,三次方程式 になり解を得るのが困難なので,これらを無視できる程度のCの値だとしてよ いでしょう。 Birston treekse & FRAM (1) 電離前 変化量 電離後 CH3COOH t -Ca (1-α) n K6= = = [CH3COO-][H+] [CH3COOH] Ca. Ca C(1-a) Ca² 1-a CH3COO + H+ 0 0 +Ca + Ca Ca Ca α< 1 ならば, 1-α≒1 とできるから, Ka=Ca² Ka VC ↑きり fat 答え (1) [H+]=vCka (2) よって, d= これを[H+] = Co に代入すると、 [H+]=MC2 Ma 2 C (2) [OH-]=√CKb HO ANH3+H2O NH^+ + OH~ 0 +Ca Ca 1 電離前 C 大量 変化量-Cα -Ca 電離後-C (1-α) 大量 Kb= = = = [H+][OH-] [NH3] Ca Ca (1-α) Ca² 1-α +Ca Ca Ry TH a≪1 ならば, 1-α≒1 とできるから, Kb≒Ca2 よって, α=. Kb √ C これを [OH-]=Cα に代入すると, [OH-]=√CK

これの答え全て教えてください.ᐟ.ᐟ

【1】イオン式◆ 次のイオンをイオン式で記せ。 (1))水素イオン 【2】イオンの名称◆次のイオンの名称を記せ。 (T) Li* 1チウムイオン (31組成式◆ 次の化合物について、これを構成する陽イオンと陰イオンのイオン式,およびこの 化合物の組成式をそれぞれ記せ。 3-1 ヤ村K (2) ナトリウムイオン (2) K* 化合物 陽イオン 陰イオン 組成式 Nat オリウムイオン Not 2+ Cát Fe?1 塩化ナトリウム CI Nocl Cacla Fecle Fecle 上OH Ca O (3) 銀イオン 塩化カルシウム Agt ) Mg* マクネンウムイオン cl CI 塩化鉄(II) (4) カルシウムイオン 塩化鉄(II) Fe3t 14) Fe?+ 生失(I)イオン k+ Ca?t Zn2t Cat 水酸化カリウム OH S 亜鉛イオン 酸化カルシウム 2- Fe 妹(重)イオン Zn2t 硝酸亜鉛 NO3 so SOa2- soa?- co,? 2ncNOs)2 Naz SO4 CuSD4 Al2 (SO4) (NH)2 c03 硫酸ナトリウム Nat Cu?t A3+ (VHat (6))アルミニウムイオン A13 硫酸鋼(I) オキソニウ4イオン 硫酸アルミニウム 4イオン NiHa ))アンモニウム KTD F- 7ッイ6mイオン 炭酸アンモニウクム (8) 塩化物イオン (8} S- CI 石れ化牛物イオン 【4】組成式◆ 次の表の空欄にあてはまる物質の名称と組成式を,塩化ナトリウムの例にならって それぞれ記せ。 9))ヨウ化物イオン (9) OH- 水酸化物イオン イオン|ナトリウムイオン|カルシウムイオン| アルミニウムイオン アンモニウムイオン NH。 協イオン Na* Ca?* A* 酸化物イオン (1) CH,COO Cacitaico 塩化物イオン 塩化ナトリウム 西作西袋イオン NHCI CI NaCl (11))硝酸イオン () CrO- Cho 酸化物イオン NO3 12) 過マンガン酸イオン Nao 12) /co, 投西イオン 硝酸イオン Me sooa coxwodwo.bta K Mn Ot NO, vo4 43) 硫酸イオン 硫酸イオン 4+3 PO,- リン画イオン treeson coson aa(ca ENH), Sop CCa So- NezsO4

このふたつの(まち）の違いを教えて欲しいです

理的な)国 go to town 「町へ行く」 などの定型表現では、 詞は内 注意(in town「町で」, out of town「町の外で」, leave towm A2 構造における)国 state ( カントゥリィ 光 注意の「田舎」 と表現する場合, 慣用的にせhe country とす 「その国で」は in that country と表現するのが無のlive in the count V212 town 名町 Dall over the coun [táun] hthe cóuntryside 「(# タゥン A1 213 town by the sea street strit] ◆róad 「(町から町へと続く)公道」 dówntówn図 「町の中 の Go down this s ② see him on the ストゥリートゥ 頻出 2 on the street (s) 「街で(←歩道の上にいる)」 A1 始める·終える

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

この英文分かる方教えてください。

Czochralski method (チョクラルスキー法) is af人st growth method and widely used for both semiconductors and oxide/fhuoride materials for opi applications. It also normally produces the most nearly perfect and homogei erystals. (略) Normally a crucible material is needed that i5 compatible wih melt (意味 : 浴融物), however, he most common crucible material used fo that is, sihica。 dissolves slowly in the melt and this raises certain process the growth of this material. Costs for Czochralski method are higher than other techniques, but it is used when the greatest perfection of grown required. (原文を一部変更しました.) P Capper. Bu Csia/ Grow7か: 4e/Dos ag/

化学基礎の問題です。 解答•解説お願いします。

・マou 加芝(の弧0T (6) ^loui 名 II7くとのとの B80 雇っ民※上KGぎ還ご io ら 之@2 のはコパき勢較の (]) 則半0SPコ久表疾の交=/吾紫、 マイ 1UD)

緊急！！ この酸と塩基の電離式なのですが矢印が片方と両方書く時のポイントってどこですか？？暗記しないとだめなんですか？

*\[ 永和務 1 プレン女6 ] 個が受け取ることのできる 2 ル 委 | 酸・塩基の電離式 次の酸塩 したときの電離の式を書け。 塩化水素 HCI ( oo 塩化水素 HCI を水に溶かすと 水素イオンH*と塩化物イオンCK これを電苑の式に表すと, HClI 一= HT+CIT- (1) 硝酸 HNO。s (2) 硫酸 HsSO。 に co きい本や塩基は。 水溶液中でほとんどが ので右向きの矢印ーのみを書く。電用 “ 仙00のアンモニアは, 反応が完 上なり分子が一定の割合で存 人TREE 人RE